Jump to content

    

Вопросы по mobile DDR SDRAM памяти и ее контролеру

Recommended Posts

White

Может кто сможет подсказать:

Необходимо получить контролер DDR SDRAM. В устройстве использованы 4 корпуса 32Мх16 Samsung K4X51163PC-L(F)E/GC3. Естественно такой микросхемы MIG не знает, пытаюсь выставить параметры корпуса в ручную.

А вот теперь проблема - в генераторе задан диапазон значений и эти значения не подходят для моей памяти (пример: Address and Control Input setup time имеет диапазон до 1100 ps, а для указанной схемы памяти он 1300 ps), и соответственно, данное значение нельзя ввести

Может кто подскажет как выкручиваться?

PS Такая же ситуация свойственна для Micron MT46H16M16LF-75.

Share this post


Link to post
Share on other sites

deus

Что бы не плодить ветки задам свой вопрос здесь.

До сих пор мы работали с Альтерой, в том числе реализовали на ней несколько устройств с интерфейсом DDR2. Сейчас мы рассматриваем Xilinx Spartan-6 в качестве значительно более дешевой альтернативы микросхеме Stratix III. Вопрос: есть ли у кого опыт реализации интерфейса DDR2 400 MHz на микросхемах Spartan-6 и нет ли там "подводных камней" с которыми можно столкнутся на этапе разработки и которые не описаны в документации Xilinx?

Требуемая ширина шины 64 бит - максимально возможный для этого семейства. Еще проблема еще в том, что времени на освоение ISE и MIG у нас мало. Выигрыш по деньгам конечно не малый - 958$ (EP3SL50F780C2) - 250$(XC6SLX150-3FG900C) = 700$. Но с альтерой мы уже работали, а с Xilinx - нет.

Share this post


Link to post
Share on other sites

DmitryR

Самый очевидный подводный камень заключается в том, что контроллер в Spartan-6 поддерживает только шестнадцатиразрядную память, и для шестидесяти четырех разрядов вы будете иметь 4 отдельных контроллера с необходиомстью разводить адреса и управление отдельно, то есть примерно 60 лишних ног и соответственно невозможность использовать модули, так как там одно управление на все 64 разряда.

Share this post


Link to post
Share on other sites

White
Для начала выбрать тип памяти LPDDR - MT46H16M16LF-75 появится.

Дмитрий, а где выбрать? У меня нет такой опции, использую Virtex-4.

Share this post


Link to post
Share on other sites

White

Да вот и у меня такое ощущение.

Может кто знает как отыскать С А S T, Inc. D D R/D D R2 S D R A M Controller ? Он вроде бы поддерживает mobile DDR для Virtex-4.

Share this post


Link to post
Share on other sites

gosha
Да вот и у меня такое ощущение.

Может кто знает как отыскать С А S T, Inc. D D R/D D R2 S D R A M Controller ? Он вроде бы поддерживает mobile DDR для Virtex-4.

 

Есть cast sdr sdram контроллер. Если поможет...

Share this post


Link to post
Share on other sites

DmitryR

Так надо ж было этот вопрос решать наверное до того, как плату делать. Посмотрите на OpenCores - там несколько DDR контроллеров есть. Вообще не понимаю смысла к Virtex-4 ставить Mobile DDR - экономия на спичках IMHO.

Share this post


Link to post
Share on other sites

White
Так надо ж было этот вопрос решать наверное до того, как плату делать. Посмотрите на OpenCores - там несколько DDR контроллеров есть. Вообще не понимаю смысла к Virtex-4 ставить Mobile DDR - экономия на спичках IMHO.

 

Ну выходит так как нужно далеко не всегда, особенно, когда ТЗ на разработку выдается теми кто совсем ничего не понимает в нем, большая часть условий задачи не оговорена. В общем что сделано то сделано, но задачи с меня снимать все равно ни кто не хочет. Это была лирика.

Теперь вопрос к тем кто писал что-то похожее на DDR контролер

f4555000ed39.jpg

 

tCK = 12 ns tAC = 2-8 ns

 

afcd9d614d9b.jpg

 

 

Вопрос заключается в том, как обеспечить надежный захват данный?

Может у кого есть здравые мысли как это сделать, но не излишне сложно?

Share this post


Link to post
Share on other sites

DmitryR

Мысли есть: сгенерируйте с помощью MIG контроллер и посмотрите. Без излишних сложностей там IMHO не получится - обычно требуется калибровка IODELAY, и у памяти случаются недокументированные косяки, как показывает анализ комментариев в коде фирменных контроллеров. Так же еще посмотрите, какой стандарт ввода-вывода вы будете использовать: мне кажется, что у LPDDR свой стандарт какой-то, у новых ПЛИС он выделен в отдельный стандарт ввода-вывода, а вот в Virtex-4 - нет. Поэтому для начала просто попробуйте регистр режима прочитать, убедитесь что у вас память и ПЛИС электрически совместимы.

Share this post


Link to post
Share on other sites

White
Мысли есть: сгенерируйте с помощью MIG контроллер и посмотрите. Без излишних сложностей там IMHO не получится - обычно требуется калибровка IODELAY, и у памяти случаются недокументированные косяки, как показывает анализ комментариев в коде фирменных контроллеров.

Мдя, не просто там разобраться... ладо это-то я делаю.

... Так же еще посмотрите, какой стандарт ввода-вывода вы будете использовать: мне кажется, что у LPDDR свой стандарт какой-то, у новых ПЛИС он выделен в отдельный стандарт ввода-вывода, а вот в Virtex-4 - нет. Поэтому для начала просто попробуйте регистр режима прочитать, убедитесь что у вас память и ПЛИС электрически совместимы.

LVCMOS там.

 

У меня возник вопрос - на ниже приведенном рис 17 и на выше приведенном рис 30 есть задержки.

577160f7ab1b.jpg

 

Вопрос в том, откуда они возникают?

И с чем связан такой разброс фронтов DQ? так в стандарте я не нашел ничего похожего.

Просвятите, если кто знает?

Share this post


Link to post
Share on other sites

BarsMonster
И с чем связан такой разброс фронтов DQ? так в стандарте я не нашел ничего похожего.

Просвятите, если кто знает?

 

Ну так это видимо показывают, что в реальности проводники разной длины по шине DQ + внутри плисины все не одинаковой длины...

17см дороги = 1нс

Share this post


Link to post
Share on other sites

DmitryR
LVCMOS там.

Хм. У Virtex-4 LVCMOS18 Vol=0.4 max, Voh=1.35 min. У MT46H16M16 Vil=0.36 max, Vih=1.44 min. То есть теоретически может сложиться ситуация, когда выход Virtex-4 будет колебаться в пределах зоны гистерезиса памяти, и это не будет противоречить даташитам. Очевидно не зря в Spartan-6 введен стандарт ввода-вывода MOBILE_DDR c Vol=0.18 max, Voh=1.62 min.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.