Jump to content

    
Sign in to follow this  
add

Управление 100м через оптопару.

Recommended Posts

Уважаемые =AK= и Herz, в споре рождается истина, только прошу вас не переходить на взаимные оскорбления. Давайте как-то уж мирно уживаться)) -"К людЯм надо помяхше, а на вопросы смотреть поширше" :biggrin:

то =AK=: дак как быть с "интеллектуальным" ключем IPS021? Как в этом случае избавится от помех?

Share this post


Link to post
Share on other sites
ка быть с "интеллектуальным" ключем IPS021? Как в этом случае избавится от помех?

Точно так же, как в случае с обычным MOSFET. Ведь я как раз и пропагандирую подход, при котором помехи будут задавлены гарантированно, безотносительно к параметрам ключа. Расчитайте такую RC-цепочку, чтобы спектр выходного сигнала был ограничен так, как вам требуется, даже в случае какого-нибудь быстрого MOSFET c малой (или нулевой) емкостью затвора и высокой крутизной. Тогда какой бы "реальный" MOSFET вы ни поставили, спектр будет ограничен еще больше. Очень простой и надежный инженерный подход, никаких "авось".

Share this post


Link to post
Share on other sites
Я полагаю, что вы вряд ли способны самостоятельно произвести такой расчет в силу его сложности. Несмотря на то, что он возможен в принципе.
Хотелось бы знать, по каким критериям Вы судите о моих способностях... :biggrin:

Нет, не нахожу. Я нахожу, что там вообще не указаны минимальное и максимальное этой емкости, а указано только типовое значение. То есть, ориентировочное значение, не гарантированное производителем.

Что значит не гарантированное? А какие у Вас есть основания для сомнений? Да, оно типовое, приведено для определённых условий и, естесственно, имеет разброс. Но Вы говорили о "значительном" разбросе. Можете привести порядок?

 

Точно так же, как в случае с обычным MOSFET. Ведь я как раз и пропагандирую подход, при котором помехи будут задавлены гарантированно, безотносительно к параметрам ключа. Расчитайте такую RC-цепочку, чтобы спектр выходного сигнала был ограничен так, как вам требуется, даже в случае какого-нибудь быстрого MOSFET c малой (или нулевой) емкостью затвора и высокой крутизной. Тогда какой бы "реальный" MOSFET вы ни поставили, спектр будет ограничен еще больше. Очень простой и надежный инженерный подход, никаких "авось".
Смело. Вы забываете, что затягивая фронты сигнала на затворе, Вы, в основном, влияете лишь на задержку включения/выключения ключа относительно изменения управляющего напряжения. И лишь в очень небольшой степени на скорость нарастания/спада напряжения на стоке транзистора и следовательно, спектра сигнала в линии. Значительно эффективнее было бы поставить конденсатор параллельно сток-истоку, а лучше - после резистора.

Дык там же на входе логические уровни! ?
:biggrin: Вот именно.
Edited by Herz

Share this post


Link to post
Share on other sites
Дык там же на входе логические уровни! ?

По сути это MOSFET с некоторой защитной обвязкой. К сожалению, похоже, что обвязка не очень хорошо работает если входной сигнал меняется слишком медленно. В табл. на стр.2 сказано: Max recommended rise time for IN signal - не более 1 мкс. Возможно, для полного кайфа вам было бы лучше использовать Zetex BSP75G.

 

Что значит не гарантированное?

Значит - не оговоренное документацией.

 

Да, оно типовое, приведено для определённых условий и, естесственно, имеет разброс. Но Вы говорили о "значительном" разбросе. Можете привести порядок?

Если не оговорены мин-макс значения, то рассуждать о конкретных величинах разброса довольно бессмысленно. Для пп процессов разбросы "в разы" являются обыденными.

 

Вы забываете, что затягивая фронты сигнала на затворе, Вы, в основном, влияете лишь на задержку включения/выключения ключа относительно изменения управляющего напряжения.

По этой (и не только) причине для более корректной оценки я рекомендовал воспользоваться spice-ом (Simetrix-ом).

 

Кстати, если вы внимательно почитаете, что написано, то увидите, что в моих словах нигде нет знака равенства между длительностью фронта на затворе и длительностью фронта выходного сигнала. Я использую очень корректные формулировки, и не могу нести ответственности за то, как искаженно или предвзято вы воспринимаете то, что написано.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Кстати, если вы внимательно почитаете, что написано, то увидите, что в моих словах нигде нет знака равенства между длительностью фронта на затворе и длительностью фронта выходного сигнала. Я использую очень корректные формулировки, и не могу нести ответственности за то, как искаженно или предвзято вы воспринимаете то, что написано.

Читаю внимательно Вами написанное и никак не могу интерпретировать Ваши рассуждения корректными. Не столько по форме, сколько по содержанию. Вы же про RC-цепочку в цепи затвора, не так ли? А про спектр выходного сигнала.

Ведь я как раз и пропагандирую подход, при котором помехи будут задавлены гарантированно, безотносительно к параметрам ключа. Расчитайте такую RC-цепочку, чтобы спектр выходного сигнала был ограничен так, как вам требуется, даже в случае какого-нибудь быстрого MOSFET c малой (или нулевой) емкостью затвора и высокой крутизной. Тогда какой бы "реальный" MOSFET вы ни поставили, спектр будет ограничен еще больше. Очень простой и надежный инженерный подход, никаких "авось".

Ну никак не инженерный подход, уж простите. Ибо о крутизне Вы совершенно уместно здесь упомянули, но вывод сделали абсолютно противоположный логике.

Edited by Herz

Share this post


Link to post
Share on other sites
Значительно эффективнее было бы поставить конденсатор параллельно сток-истоку, а лучше - после резистора.
А после какого резистора? На линии? т.е. шунтировать линию, да?.. Но ведь линия и так имеет приличную емкость? Или я что-то непонимаю?!

Share this post


Link to post
Share on other sites
А после какого резистора? На линии? т.е. шунтировать линию, да?.. Но ведь линия и так имеет приличную емкость? Или я что-то непонимаю?!

В Вашем случае эти ухищрения выглядят излишними, как и опасения неких наносекундных помех. Следует прежде уяснить, что от чего требуется зщитить. Оптроны от срабатывания из-за помех? Неактуально. Сторонние устройства от илучаемой линией помехи при коммутации - это одно. МК устройства от сбоя из-за возможной помехи, "пролезшей" из линии - это другое (и, наверное, более важное). Линия - элемент с распределёнными параметрами и обладает, как ёмкостью , так и индуктивностью. Следовало бы подобрать демфирующую RС-цепь для уменьшения "звона" в линии при переключениях, но только если необходимо.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Вы же про RC-цепочку в цепи затвора, не так ли? А про спектр выходного сигнала.

Совершенно верно. Поскольку при помощи RC-цепочки в цепи затвора можно влиять на спектр выходного сигнала. А в чем некорректность?

 

о крутизне Вы совершенно уместно здесь упомянули, но вывод сделали абсолютно противоположный логике.

Будьте любезны, изложите свою мысль подробно. Декларативная часть вам удалась, но содержательная пока что отсутствует.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Следует прежде уяснить, что от чего требуется зщитить. Оптроны от срабатывания из-за помех? Неактуально. Сторонние устройства от илучаемой линией помехи при коммутации - это одно. МК
Оптроны стоят для защиты исполнительных устройств от случайного попадания высокого напряжения на линию управления со всеми вытекающими. Т.е. что бы при случайном попадании недопустимого напряжения на линию или на одно из исп. устройств не сгорела все система целиком.

Добавлю, что наиболее важный элемент в схеме это любое исп. устройство. Линия и контроллер со своим БП по защите от выгорания не так приоритетны. Ко всему этому о помехоустойчивости тоже забывать не хочется. :rolleyes:

Share this post


Link to post
Share on other sites
Совершенно верно. Поскольку при помощи RC-цепочки в цепи затвора можно влиять на спектр выходного сигнала. А в чем некорректность?

 

 

Будьте любезны, изложите свою мысль подробно. Декларативная часть вам удалась, но содержательная пока что отсутствует.

Некорректность я вижу в увязывании постоянной времени RC-цепочки в цепи затвора со спектром выходного сигнала. Влияние действительно будет, но весма слабым, как раз сильно зависящим от характеристик самого прибора. Вы обратили внимание на параметр Gate Threshold Voltage в даташите на MOSFET, значение которого регламентируется, как Вы и хотели, и "сверху" и "снизу"? Так вот, грубо, при достижении напряжением на затворе этого значения ключ откроется со скоростью, не зависящей от параметров RC-цепочки в затворе. А вот от крутизны - таки да. Поэтому всё, что данная цепочка может обеспечить - задержать время включения/выключения. Достаточно подробно?

Share this post


Link to post
Share on other sites
Достаточно подробно?

Достаточно подробно для того, чтобы проявились ошибки в ваших рассуждениях. Вот это утверждение "при достижении напряжением на затворе этого значения ключ откроется со скоростью, не зависящей от параметров RC-цепочки в затворе" - является фундаментально неверным. После этого (т.е. после выхода из отсечки) транзистор переходит в линейный режим и находится в нем вплоть до того, как начнет входить в насыщение. А в линейном режиме сигнал на его стоке является усиленным сигналом на затворе и, соответственно, скорость изменения сигнала на стоке прямо пропорциональна скорости изменения сигнала на затворе. Вследствие чего RC-цепочка в затворе очень эффективно ограничивает скорость изменения сигнала в стоке.

 

Достаточно часто встречающаяся ошибка - думать, что работающий в ключевом режиме транзистор вообще никогда не находится в линейном режиме. А на самом деле транзистор работающий в ключевом режиме в каждый момент времени находится в одном из трех режимов - в режиме отсечки, линейном режиме или в режиме насыщения. Несколько общеизвестных формул для линейного режима:

 

S = dIс/dUзи - крутизна определяет, как меняется ток стока при изменении напряжения на затворе

 

dUвых = dIс*Rн = S*dUзи*Rн

 

Надеюсь, вам не надо расписывать, как влияет RC-цепочка на скорость изменения напряжения на затворе dUзи?

Share this post


Link to post
Share on other sites
После этого (т.е. после выхода из отсечки) транзистор переходит в линейный режим и находится в нем вплоть до того, как начнет входить в насыщение. А в линейном режиме сигнал на его стоке является усиленным сигналом на затворе и, соответственно, скорость изменения сигнала на стоке прямо пропорциональна скорости изменения сигнала на затворе. Вследствие чего RC-цепочка в затворе очень эффективно ограничивает скорость изменения сигнала в стоке.

 

Достаточно часто встречающаяся ошибка - думать, что работающий в ключевом режиме транзистор вообще никогда не находится в линейном режиме. А на самом деле транзистор работающий в ключевом режиме в каждый момент времени находится в одном из трех режимов - в режиме отсечки, линейном режиме или в режиме насыщения. Несколько общеизвестных формул для линейного режима:

 

S = dIс/dUзи - крутизна определяет, как меняется ток стока при изменении напряжения на затворе

 

dUвых = dIс*Rн = S*dUзи*Rн

 

Надеюсь, вам не надо расписывать, как влияет RC-цепочка на скорость изменения напряжения на затворе dUзи?

Спасибо за ликбез. :biggrin: Хорошо, что Вы привели формулы: как видите, скорость изменения тока стока таки зависит от крутизны, которая у приборов, специально предназначенных для работы в ключевом режиме, довольно высока. (так, для того же IRF540 в даташите приводится только её минимальное значение. Что, по Вашим же словам, говорит о разбросе параметра минимум в разы. Полагаю, разброс значений крутизны гораздо выше разброса входной ёмкости). Да, ключ - не компаратор, да и тот не переключается мгновенно. Но чтобы заявлять, что RC-цепочка в затворе очень эффективно ограничивает скорость изменения сигнала в стоке, нужно знать область активного режима транзистора. Вы можете её чётко обозначить? Она регламентируется в документации на эти приборы? Посмотрите на график Typical Transfer Characteristics (ключевое слово тypical :biggrin: ) в даташите и скажите мне, где она находится для токов стока в десятки - сотни миллиампер (речь ведь о таких порядках?) Особенно у приборов с "логическими" уровнями управления...

То, что эффект ограничения будет - бесспорно, но что эффективный... :wassat: Достаточный - может быть. И я продолжаю утверждать, что дополнительныя ёмкость по затвору - ни к чему, Может, и не аргумент, но нигде не встречалось такого безобразия. Может, Вам встречалось?

 

P.S. Отчего Вы, кстати, обращаетесь ко мне во множественном числе? :rolleyes: Думал, показалось...

Share this post


Link to post
Share on other sites
Спасибо за ликбез.

Пожалуйста.

 

Что, по Вашим же словам, говорит о разбросе параметра минимум в разы.

Увы, вы превратно истолковали мои слова. Еще раз: если не оговорены мин-макс значения, то рассуждать о конкретных величинах разброса довольно бессмысленно. Для пп процессов разбросы "в разы" являются обыденными. Но из этого никак не следует, что разброс составляет "минимум разы" или "максимум разы", или что вам там еще в голову взбредет. Становится понятно, почему вы высказываете столь ошибочные суждения - раз вы превратно истолковываете слова собеседников на форуме, то можно предположить, что вы так же превратно истолковывали слова преподавателей и тексты учебников.

 

нужно знать область активного режима транзистора. Вы можете её чётко обозначить?

Я ее уже обозначил: между отсечкой и насыщением. Если вас интересует более точно - постройте нагрузочную прямую на выходных характеристиках.

 

Она регламентируется в документации на эти приборы?

Ой... Студенту второго курса, изучающему курс "основы радиоэлектроники", за такой вопрос полагается "банан". Просто за сам факт постановки вопроса.

 

Отчего Вы, кстати, обращаетесь ко мне во множественном числе?

Ну не "тыкать" же вам, ведь я с вами на брудершафт не пил.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Увы, вы превратно истолковали мои слова. Еще раз: если не оговорены мин-макс значения, то рассуждать о конкретных величинах разброса довольно бессмысленно. Для пп процессов разбросы "в разы" являются обыденными. Но из этого никак не следует, что разброс составляет "минимум разы" или "максимум разы", или что вам там еще в голову взбредет. Становится понятно, почему вы высказываете столь ошибочные суждения - раз вы превратно истолковываете слова собеседников на форуме, то можно предположить, что вы так же превратно истолковывали слова преподавателей и тексты учебников.

Я уже пожалел, что вступил с Вами в полемику - не ожидал от Вас такой "аргументации"... Видно, из-за стремления к "очень корректным формулировкам" Ваши слова всё сложнее истолковывать Непревратно. А по существу, без хамства, опровергнуть "столь ошибочные суждения" не получается? Ну не это же принимать всерьёз:

Я ее уже обозначил: между отсечкой и насыщением.

Вы бы ещё написали: между землёй и питанием...

 

Ну не "тыкать" же вам, ведь я с вами на брудершафт не пил.

Ну так, насколько мне известно, письменное обращение на "Вы" к собеседнику принято с заглавной буквы...

Share this post


Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

Sign in to follow this