Jump to content

    

Расчет бутстрепного конденсатора.

Читал аппноты от IR. Считал но почему то емкость получается порядка 10 мкФ. а на схемах в инете смотрю кондюк этот всего сотни нФ.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Читал аппноты от IR. Считал но почему то емкость получается порядка 10 мкФ. а на схемах в инете смотрю кондюк этот всего сотни нФ.

Если, к примеру полумост, то бустерный кондер (сотни нан) заряжается каждый период, и в свою очередь заряжает емкость максимум в 10 нан. зачем там микрофарады?

Share this post


Link to post
Share on other sites

Частота 100 кГц

 

к примеру берем транзистор с зарядом затвора 67 нКл, в апноте сказано что для работы самой схемы сдвига уровней необходимо 5 нКл конденсатор берем обычныфй к примеру (т.е. пренебрегаем током утечки), потом берем величину тока драйвера (IR2153 = 0.3 А).

тогда:

 

Заряд который должен иметь бутстрепный кондюк равен:

 

2*ЗАРЯД ЗАТВОРА ТРАНЗИСТОРА+(ТОК ДРАЙВЕРА/частоту)+ЗАРЯД НЕОБХОДИМЫЙ СХЕМЕ СДВИГА =

 

2*67нКл+(0.3/100кГц)+5нКл =

 

= 3.139 мкКл

 

Тогда необходимый конденсатор должен иметь емкость больше чем:

 

2*3.139мкКл/(НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ-ПАДЕНИЕ НА ДИОДЕ+ПАДЕНИЕ НА НИЖНЕМ ТРАНЗИСТОРЕ) =

 

= 2*139.мкКл/(13-0.8-0.8) = 550 нКл

 

Но в формулу в апноте еще входи напряжение Vmin = Minimum voltage between VB and VS

Что значит это Vmin и чему оно равно я так и не выяснил.

 

Ну конечно получились не десятки мкФ, но кстати и не 10 нФ, плюс я не учитывал напряжение Vmin, которое может увеличить емкость.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Читал аппноты от IR. Считал но почему то емкость получается порядка 10 мкФ. а на схемах в инете смотрю кондюк этот всего сотни нФ.

Самый лучший вариант - отказ от бутстрепной емкости. При современной стоимости DC-DC преобразователей или обмотки в многообмоточном трансформаторе внутреннего БП в особенности.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Самый лучший вариант - отказ от бутстрепной емкости. При современной стоимости DC-DC преобразователей или обмотки в многообмоточном трансформаторе внутреннего БП в особенности.

 

это как. я к примеру делаю БП дежурного режима на основе IR21531.

Share this post


Link to post
Share on other sites
это как. я к примеру делаю БП дежурного режима на основе IR21531.

БП дежурного режима лучше делать на этом:

 

Особенно в условиях экономического кризиса. Дабы не расходовать хозяйские деньги.

Share this post


Link to post
Share on other sites

это конечно хорошо, что лучше что хуже, НО мне хоца на IR21531 и я хочу понять как выбрать элементы.

Сейчас вопрос заключается в параметре:

Vmin = Minimum voltage between VB and VS

 

Каких величин может быть этот Vmin

Share this post


Link to post
Share on other sites
... Сейчас вопрос заключается в параметре:

Vmin = Minimum voltage between VB and VS

 

Каких величин может быть этот Vmin

Дак, а чего тут непонятного? В паузе бутстрепный конденсатор заряжается, в импульсе разряжается на емкость затвора. Когда конденсатор разряжется (теряет заряд), напряжение на нем уменьшается. Vmin - это до какого напряжения ему дозволено разрядиться - он ведь должен мосфет удерживать в открытом состоянии всю длительность импульса. :)

А есть драйверы, IR2155 например, у которых есть защита от пониженного Vbs (порог примерно 8 В).

Share this post


Link to post
Share on other sites
Ну конечно получились не десятки мкФ, но кстати и не 10 нФ, плюс я не учитывал напряжение Vmin, которое может увеличить емкость.
Ваш результат в переводе на емкость означает, что даже керамика с диэлектриком Y5V на 50В емкостью 0,1мкФ подойдет.

Каких величин может быть этот Vmin
Если не хотите самостоятельно проштудировать даташит на полевики, то считайте, что грубо Vmin=10В.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Если не хотите самостоятельно проштудировать даташит на полевики....

правильно ли я понимаю что нужно кумекать над графиком зависисмости напряжения GATE-SOURCE и тока DRAIN.

Share this post


Link to post
Share on other sites
правильно ли я понимаю что нужно кумекать над графиком зависисмости напряжения GATE-SOURCE и тока DRAIN.
Да, правильно.

Share this post


Link to post
Share on other sites
правильно ли я понимаю что нужно кумекать над графиком зависисмости напряжения GATE-SOURCE и тока DRAIN.

интересно мне, а вот до чего можно докумекаться гладя на эти графики.

то что Vmin =20V лучше чем Vmin =10V ??????

или наоборот?

Share this post


Link to post
Share on other sites
интересно мне, а вот до чего можно докумекаться гладя на эти графики.

то что Vmin =20V лучше чем Vmin =10V ??????

или наоборот?

При 20 вольтах, просто затвор пробьет и все. При недостаточном кол-ве вольтов транзистор не полностью откроется и тоже сгорит.

Share this post


Link to post
Share on other sites

оказыватеся параметр Vmin указывается в даташите на драйвер и обзывается он там как Vbsmin.

К примеру для IR21531 он равен 4-5 вольта.

вот еще чего непонятно:

в доке IR присутвует еще рекомендация, которая гласит что полученную в расчетах емкость необходимо увеличить 15-ти кратно, для исключения того, что малая емкость зардиться быстро и напряжение на конденсаторе превысит рабоее его напряжение и тогда будет "бух".

Что скажеет по поводу этого? применяете рекомендацию?

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now
Sign in to follow this