[EUrry 3]

2. Создать объект в виде параллелепипеда в том месте, где должен находиться резистор , создать материал с конечной проводимостью (сим/м) и присвоить объекту материальные свойства...

Способ 3

Создать 2D-элемент с габаритами резистивной пленки и назначить импедансное граничное условие с поверхностным сопротивлением Ом/квадрат, что намного лучше 2-го способа, т. к. не приводит к измельчению сетки, а точность в общем-то такая же. 2-й способ - ловля блох. 1-й - не учитывает распределения поля по поверхности, но в большинстве случаев достаточен. Думаю, 3-й способ оптимален как с точки зрения ресурсных затрат, так и с точки зрения того, чтобы особо не думалось об адекватности результата.

[Pir0texnik 0]

1-й - не учитывает распределения поля по поверхности

это ж как? лампед RLC присвоенный какому-то прямоугольнику что-то не учитывает?

[Prostograf 0]

Можно решить проблему двумя путями:

 

 

2. Создать объект в виде параллелепипеда в том месте, где должен находиться резистор , создать материал с конечной проводимостью (сим/м) и присвоить объекту материальные свойства. При этом сопротивление объекта будет определяться его размерами, т.е. площадью поперечного сечения и длиной.

 

Способ 2 пробовал не работает. Получается какая-то несуразица. Резистор имеет резонансные свойства. Так для параллелепипеда 2 на 3 мм и высотой 0.6 с проводимостью 130 000 См/м ( по расчетам это сопротивление около 200 ОМ) АЧХ получается как у LC контура посаженного на землю. Да забыл резистор ставлю в 50-Ом линию на землю и смотрю s11 и s21. Так вот АЧХ LC контура, то есть на низких частотиах не пропускает на резонансной частоте минимум потерь и на высоких частотах также не пропускает.

 

[Aner 3]

это ж как? лампед RLC присвоенный какому-то прямоугольнику что-то не учитывает?

конечно, поскольку элементы RLC сосредоточеные.

[Prostograf 0]

Можно решить проблему двумя путями:

 

1. Использовать граничные условия Lumped RLC в том месте, где должен находиться резистор.

 

 

Попробовал первый способ все заработало. Сделал 2D плоскость 2.6 на 1.8 мм и задал граничные условия RLC. Считается по ходу верно. Ща еще пару экспериментов сделаю и отпишусь.

[Prostograf 0]

Способ 3

Создать 2D-элемент с габаритами резистивной пленки и назначить импедансное граничное условие с поверхностным сопротивлением Ом/квадрат, что намного лучше 2-го способа, т. к. не приводит к измельчению сетки, а точность в общем-то такая же. 2-й способ - ловля блох. 1-й - не учитывает распределения поля по поверхности, но в большинстве случаев достаточен. Думаю, 3-й способ оптимален как с точки зрения ресурсных затрат, так и с точки зрения того, чтобы особо не думалось об адекватности результата.

 

Вопрос такой а как понимать - поверхностным сопротивлением Ом/квадрат. Какое мне надо вввести, чтобы получить 200 Ом на 2D обьекте размерами 2.6 на 1.8.

 

Вопрос связан с тем, что способ с Lumped RLC работает как-то криво.

 

 

[Pir0texnik 0]

конечно, поскольку элементы RLC сосредоточеные.

эээ, ну вот нарисовал я прямоугольник 2х1мм2 между двумя полоскАми, поставил галочку, что это индуктивность 100500нГ и линию назначил.

что там не учтено, кроме очевидных непохожестей на реальный индуктор? а если длина у него 2000 мм это тоже сосредоточенный? на лампед элементе вроде ж есть сетка, так же как и везде.

 

Вопрос такой а как понимать - поверхностным сопротивлением Ом/квадрат. Какое мне надо вввести, чтобы получить 200 Ом на 2D обьекте размерами 2.6 на 1.8.

 

Вопрос связан с тем, что способ с Lumped RLC работает как-то криво.

да не мучайтесь вы с этим погонным импедансом, все там нормально с Lumped RLC...

шоб было прямо надо структуру смд-шку учитывать. Паразитные емкости/индуктивности...

 

[Prostograf 0]

эээ, ну вот нарисовал я прямоугольник 2х1мм2 между двумя полоскАми, поставил галочку, что это индуктивность 100500нГ и линию назначил.

что там не учтено, кроме очевидных непохожестей на реальный индуктор? а если длина у него 2000 мм это тоже сосредоточенный? на лампед элементе вроде ж есть сетка, так же как и везде.

 

 

да не мучайтесь вы с этим погонным импедансом, все там нормально с Lumped RLC...

шоб было прямо надо структуру смд-шку учитывать. Паразитные емкости/индуктивности...

 

 

Там какая то хрень и не важно поверхностный импеданс или LumpedRLC. Например, у резистора 50 Ом, включеннорго в середину 50- Ом линии длиной 50 мм. КСВ на частоте 1 ГГц -10дб как и должно быть, а далее почему то скатывается до -17 дб на 15 ГГц и далее начинается возрастать и на 24 ГГц - 12. Такого нет в реале (я промерял). Почему так происходит.

 

Длина линии 50 мм на частотах свыше 10 ГГц это намного больше длины волны. Там должны быть осцилляции КСВ. В идеале расчет должен был дать s11 такой - на низких частотах -10 дб, а начиная с 6ГГц осцилляции КСВ вокруг -10 дб. Но он выдает описанную выше хрень, почему?

 

ПОМОГИТЕ разобраться плизз!!!!!

[old_boy 0]

Вопрос такой а как понимать - поверхностным сопротивлением Ом/квадрат. Какое мне надо вввести, чтобы получить 200 Ом на 2D обьекте размерами 2.6 на 1.8. Вопрос связан с тем, что способ с Lumped RLC работает как-то криво.

 

3-й способ не проверял.

 

1-й и 2-й способы проверил в проекте 0.1-1 ГГц, (не знаю ваши частоты).

 

В 1-м случае Lamp_R=200 Oм, реально получается (193-266) Ом.

 

Во 2-м случае объемный резистор 2х3х0,6 мм при сопротивлении равном 200 Ом должен быть выполнен из материала с проводимостью 12,5 Сим/м.

 

R=ρL/S, где ρ - удельное сопротивление [Ом*м], величина обратная удельной проводимости σ[Сим/м].

 

У вас же приводилась какая-то огромная цифра, где вы писали про резонанс.

 

По результатам моделирования получилось (93-167) Ом, как-то грубовато.

 

Очевидно - 1-й способ точнее.

 

Проект Resistor.rar, может быть знатоки подскажут, в чем здесь ошибки.

 

Ну а что касается 3 способа, да он по определению самый верный...

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

[Prostograf 0]

3-й способ не проверял.

 

1-й и 2-й способы проверил в проекте 0.1-1 ГГц, (не знаю ваши частоты).

 

В 1-м случае Lamp_R=200 Oм, реально получается (193-266) Ом.

 

Во 2-м случае объемный резистор 2х3х0,6 мм при сопротивлении равном 200 Ом должен быть выполнен из материала с проводимостью 12,5 Сим/м.

 

R=ρL/S, где ρ - удельное сопротивление [Ом*м], величина обратная удельной проводимости σ[Сим/м].

 

У вас же приводилась какая-то огромная цифра, где вы писали про резонанс.

 

По результатам моделирования получилось (93-167) Ом, как-то грубовато.

 

Очевидно - 1-й способ точнее.

 

Проект Resistor.rar, может быть знатоки подскажут, в чем здесь ошибки.

 

Ну а что касается 3 способа, да он по определению самый верный...

 

 

Точно с кубиком получается 12.5 См/м неправильно в формуле перевел мм в м. Но это ща не важно про кубик мы забыли. Давайте разбираться с 2-мя остальными методами.

 

А насчет 0.1-1 ГГц, так у меня тоже на этих частотах все хорошо, а вот на высоких частотах как-то все плохо.

 

Да и еще вопрос а что значит "реально получается (193-266) Ом" - это зависимость от частоты?

Изменено 19 августа, 2014 пользователем Prostograf

[Prostograf 0]

Точно с кубиком получается 12.5 См/м неправильно в формуле перевел мм в м. Но это ща не важно про кубик мы забыли. Давайте разбираться с 2-мя остальными методами.

 

А насчет 0.1-1 ГГц, так у меня тоже на этих частотах все хорошо, а вот на высоких частотах как-то все плохо.

 

Да и еще вопрос а что значит "реально получается (193-266) Ом" - это зависимость от частоты?

 

Да кстати, господа, если варьировать длину 50-Ом резистора на LumpedRLC, то s11 в полосе 1-20 ГГц меняется, причем меняется значительно. Что за фигня?

Изменено 20 августа, 2014 пользователем Prostograf

[old_boy 0]

Да кстати, господа, если варьировать длину 50-Ом резистора на LumpedRLC, то s11 в полосе 1-20 ГГц меняется, причем меняется значительно. Что за фигня?

 

Верьте товарищам из Ansys 03_1_hfss_bc_7.pdf

 

а если варьировать и ширину, то s11 тоже будет меняться - проверено...

 

 

 

Да и еще вопрос а что значит "реально получается (193-266) Ом" - это зависимость от частоты?

 

(193-266) Ом - это re(ActiveZ(P1:1)) действительная часть входного импеданса порта Р1, см. влож. проект...

 

 

 

 

 

[Prostograf 0]

Верьте товарищам из Ansys 03_1_hfss_bc_7.pdf

 

а если варьировать и ширину, то s11 тоже будет меняться - проверено...

 

Так получается, что в HFSS нельзя создать адекватную модель резистора. Или ,например, идеальный резистор.

Изменено 20 августа, 2014 пользователем Prostograf

[EUrry 3]

Вопрос такой а как понимать - поверхностным сопротивлением Ом/квадрат. Какое мне надо вввести, чтобы получить 200 Ом на 2D обьекте размерами 2.6 на 1.8.

Есть понятие коэффициента формы резистивной пленки Кф = L/B, где L - длина, B - ширина пленки. Поверхностное сопротивление ρs - сопротивление пленки с размерами а×а, т. е. квадратной формы, не зависящее от абсолюной величины а. Поэтому, и размерность - Ом/квадрат. При этом сопротивление пленочного резистора определяют выражением R = Кф×ρs. Более подробно смотрите расчет пленочных интегральных схем.

 

Так получается, что в HFSS нельзя создать адекватную модель резистора. Или ,например, идеальный резистор.

Всё можно. Нужны лишь светлая голова, прямые руки и, конечно же, терпение!

[Prostograf 0]

Есть понятие коэффициента формы резистивной пленки Кф = L/B, где L - длина, B - ширина пленки. Поверхностное сопротивление ρs - сопротивление пленки с размерами а×а, т. е. квадратной формы, не зависящее от абсолюной величины а. Поэтому, и размерность - Ом/квадрат. При этом сопротивление пленочного резистора определяют выражением R = Кф×ρs. Более подробно смотрите расчет пленочных интегральных схем.

 

 

Всё можно. Нужны лишь светлая голова, прямые руки и, конечно же, терпение!

По хелпу давно разобрался. Более того варьировал ширину и длину пленки резистивной и там S11 получается сильно зависит от размеров.

 

И все таки про голову это конечно хорошо, но вот так не отвечая на вопрос. просто подколоть человека - это плохой тон.

 

Но вопрос остается как сделать правильно резистор в HFSS. Просто задать пленку определенных размеров и присвоить поверхностное сопротивление - это не правильно, потому что резистор начинает обладать какими то своими частотными свойствами, зависящими от размеров, которые никак нельзя прогнозировать и которыми никак нельзя управлять.

Изменено 21 августа, 2014 пользователем Prostograf