[EUrry 3]

Если я правильно понял, то PAE это не КПД.

КПД чуть-чуть другой.

[Maksimka 0]

PAE%=(Pout-Pin)/Pdc

КПД%=Pout/(Pdc+Pin)

 

Если я правильно понял, то PAE это не КПД.

Я думал, что вы совсем не знаете о PAE, поэтому решил упростить для понимания :rolleyes:

Вот здесь даны пояснения для всех эффективностей: https://www.microwaves101.com/encyclopedias...crowave-devices

[sp1noza 0]

Добрый день господа!

 

Подскажите пожалуйста, что такое PAE (Power-added efficiency)? Формулу нашел, но в чем физический смысл не могу понять.

Спасибо_)

 

Физический смысл этого параметра можно объяснить так - например, есть усилитель, который выдает мощность Рвых=1 Вт. При этом он потребляет мощность тоже Pdc= 1 Вт. Таким образом, его кпд по стандартной формуле равно 100% (кпд=Рвых/Pdc*100%).

Но если при этом у него на входе Рвх = 1 Вт, то смысл этого усилителя теряется, потому что усиление равно 1.

Поэтому есть смысл рассматривать кпд усилителя именно по добавленной мощности, т.е. включать в расчет еще и коэффициент усиления, PAE = (Рвых-Рвх)/Pdc*100%.

Чем больше коэффициент усиления, тем больше PAE стремится к кпд. Соответственно, когда усиление падает, PAE тоже падает.

[Sokrat 4]

Физический смысл этого параметра можно объяснить так - например, есть усилитель, который выдает мощность Рвых=1 Вт. При этом он потребляет мощность тоже Pdc= 1 Вт. Таким образом, его кпд по стандартной формуле равно 100% (кпд=Рвых/Pdc*100%).

Но если при этом у него на входе Рвх = 1 Вт, то смысл этого усилителя теряется, потому что усиление равно 1.

Поэтому есть смысл рассматривать кпд усилителя именно по добавленной мощности, т.е. включать в расчет еще и коэффициент усиления, PAE = (Рвых-Рвх)/Pdc*100%.

Чем больше коэффициент усиления, тем больше PAE стремится к кпд. Соответственно, когда усиление падает, PAE тоже падает.

:bb-offtopic: Вам в преподаватели надо. Доходчиво объясняете :rolleyes:

[Tetta 0]

Добрый день, товарищи электронщики!

 

Есть вопрос, касающийся моделирования копланарных волноводов.

Нужно ли рисовать дополнительно землю по бокам копланара или не нужно? В Microwave office топология копланарного волновода состоит из двух слоёв: слой Copper и слой Copper-, значит дополнительно нужно нарисовать еще и Copper+ по бокам для земли, правильно ли я всё понял?

И еще вопрос, скажем необходимо смоделировать усилитель на микросхеме AH420, к нему есть S параметры, нужно ли моделировать цепь питания усилителя? Если нужно, то до какого компонента? Заранее спасибо.

 

И еще небольшой вопрос: есть ли смысл делать согласование на полосках входного и выходного импеданса усилителя? Если есть, то как это сделать правильнее? Я нашел несколько уроков (

) , там согласование делалось исходя из получения максимального усиления. Согласование проводилось для транзистора. В другом уроке (

) согласование проводилось исходя из получения максимальной выходной мощности. Каким путём лучше пойти?

 

Спасибо всем за ответ по поводу PAE))

 

 

Edited December 14, 2016 by Tetta

[Sokrat 4]

Добрый день, товарищи электронщики!

 

Есть вопрос, касающийся моделирования копланарных волноводов.

Нужно ли рисовать дополнительно землю по бокам копланара или не нужно? В Microwave office топология копланарного волновода состоит из двух слоёв: слой Copper и слой Copper-, значит дополнительно нужно нарисовать еще и Copper+ по бокам для земли, правильно ли я всё понял?

И еще вопрос, скажем необходимо смоделировать усилитель на микросхеме AH420, к нему есть S параметры, нужно ли моделировать цепь питания усилителя? Если нужно, то до какого компонента? Заранее спасибо.

 

И еще небольшой вопрос: есть ли смысл делать согласование на полосках входного и выходного импеданса усилителя? Если есть, то как это сделать правильнее? Я нашел несколько уроков (

) , там согласование делалось исходя из получения максимального усиления. Согласование проводилось для транзистора. В другом уроке (

) согласование проводилось исходя из получения максимальной выходной мощности. Каким путём лучше пойти?

 

Спасибо всем за ответ по поводу PAE))

По компланарам не отвечу, не знаю.

Если усилитель описывается только S-параметрами, то цепи питания (сами по себе питающие напряжения) можно не моделировать, а вот bias-tee (то есть элементы, предназначенные для ввода постоянных питающих напряжений) будут влиять.

Про согласование тут уж Вам решать, по какому параметру. Вариантов масса. Полоса частот, усиление, P1dB, и параметр, про который часто забывают новички - устойчивость. Обычно как раз нужно найти компромисс между устойчивостью и коэффициентом усиления.

[Pir0texnik 0]

Aга, много получится согласовать по P1dB при доступных только S параметрах. Вот тут-то и понадобится нелинейная модель и в ней в принципе должно быть понятно куда питание заводить. :)

Согласовывать надо по возможности и там, и там хотя бы потому, что не хорошо если параметры усилителя будут зависеть от длины 50Ом кабеля, которым он подключен...

По идее при расчете усилителя люди дают спецификация чего и как им хочется: куму мало шума, кому хороший КУ, кому широкополосность ( (не)в ущерб всем остальному). По ситуации.

[oleg_uzh 0]

Здравствуйте коллеги!

При экспорте топологии в файл формата *.gds появляется помимо выделенных для экспорта слоев в файле *.lpf, служебный слой. Как от него избавиться, чтобы он каждый раз не экспортировался?

[Tetta 0]

По компланарам не отвечу, не знаю.

Если усилитель описывается только S-параметрами, то цепи питания (сами по себе питающие напряжения) можно не моделировать, а вот bias-tee (то есть элементы, предназначенные для ввода постоянных питающих напряжений) будут влиять.

Про согласование тут уж Вам решать, по какому параметру. Вариантов масса. Полоса частот, усиление, P1dB, и параметр, про который часто забывают новички - устойчивость. Обычно как раз нужно найти компромисс между устойчивостью и коэффициентом усиления.

 

Спасибо, очень помогли)!

 

 

[max_donetsk 0]

Ребята, доброго времени суток! Прошу помощи, иначе меня MWO уже почти победил. Сразу прошу прощения, если такой вопрос поднимался. Пытаюсь добавить нелинейную модель транзистора MRF8S9260H, при добавлении файла .ini, MWO издает два коротких гудка (чего я до этого случая не слышал ни разу) и более ничего не происходит, модель не добавляется. При следующем запуске выскакивает вот такое предложение. Сначала делал все по инструкции от NXP, потом забил и начал править файл .ini вручную, никак не могу победить. Помогите, пожалуйста!

[Maksimka 0]

Ребята, доброго времени суток! Прошу помощи, иначе меня MWO уже почти победил. Сразу прошу прощения, если такой вопрос поднимался. Пытаюсь добавить нелинейную модель транзистора MRF8S9260H, при добавлении файла .ini, MWO издает два коротких гудка (чего я до этого случая не слышал ни разу) и более ничего не происходит, модель не добавляется. При следующем запуске выскакивает вот такое предложение. Сначала делал все по инструкции от NXP, потом забил и начал править файл .ini вручную, никак не могу победить. Помогите, пожалуйста!

Смог подключить библиотеку без проблем. Возможно версия вашего MWO ниже, чем требуется. Выложите содержимое errorlog.txt, может там есть ответ.

[max_donetsk 0]

Возможно версия вашего MWO ниже, чем требуется

Версия MWO 10.01.5956, если ориентироваться на модель NXP, то должна подходить

 

Выложите содержимое errorlog.txt, может там есть ответ.

Выкладываю, насколько я понимаю, отсутствует Foundry, но все вроде есть...

 

Если не сложно, можете пошагово расписать, как добавляете эту модель, а то я уже как только не пробовал...

errorlog.txt

Edited January 19, 2017 by max_donetsk

[Maksimka 0]

Если не сложно, можете пошагово расписать, как добавляете эту модель, а то я уже как только не пробовал...

Распакуйте архив, сохранив структуру содержимого.

Потом в MWO заходим File/New with library/Browse, выбираете ini файл. Во вкладке Elements в разделе Libraries все появляется.

 

[max_donetsk 0]

Распакуйте архив, сохранив структуру содержимого.

Потом в MWO заходим File/New with library/Browse, выбираете ini файл. Во вкладке Elements в разделе Libraries все появляется.

Все так и делал, в итоге получаю пик-пик от MWO и тишина...

[Tetta 0]

Добрый день, дорогие форумчане!!!!

В очередной раз сталкиваюсь с проблемой задания портов в MWO. В одних случаях одни результаты, в других другие.

Экспериментировал с LC фильтром. Промоделировал его, развёл и ЛУТом сделал. В итоге графики устройства оказались сдвинуты относительно графиков модели ниже по частоте.

В файле предоставлены различные комбинации портов для ЕМ моделирования. Пытался методом "научного тыка" получить результаты близкие к результату реального устройства. Оказалось, что бы они (результаты) приблизительно совпали, необходимо в модели порты соединить с землёй. Пожалуйста разъясните мне разницу между портами, я так и не могу понять, и какие виды портов ПРАВИЛЬНО было бы использовать при моделировании не только простых LC цепочек, но и усилителей СВЧ.

 

Заранее спасибо!

Archive.zip

Edited January 20, 2017 by Tetta