Jump to content

    
EUrry

Вопросы по Microwave Office

Recommended Posts

31.08.2021 в 00:18, Freesom сказал:

Потому что график обратных потерь в дБ несёт информацию только о мощности, а есть ещё фаза. А фаза как раз и показывает соотношение действительной и мнимой частей комплексного импеданса. Но и обратные потери можно представить не в дБ и фазе, а в виде действительной и мнимой части. Когда согласование не идеально, отражение может быть чисто активным, или чисто мнимым, или комплексным. На графике S11 в дБ все эти варианты могут выглядеть одинаково, разница будет только в фазе.

Согласен, спасибо за объяснение. Но нужно еще небольшое разъяснение. График обратных потерь в дБ можно получить взяв модуль от импеданса порта (корень квадратный из суммы квадратов активной и реактивной составляющей). Т.е. график обратных потерь тоже учитывает реактивную составляющую. Я это к чему всё: привык смотреть на АЧХ, игнорируя ФЧХ вовсе. Можете ли вы указать пример, когда S11 в дБ идеален (потери больше 20 дБ), а на ФЧХ или на диаграмме Смита все плохо?

И правильный ли вывод, что чем ближе активная составляющая импеданса неидеально согласованного устройства к 50 Ом, тем больше обратные потери, т.е. меньше S11, лучше КСВ?

 

 

 Как в схематике размещается любой сосредоточенный элемент, чтобы при просмотре топологии был учтен размер этого элемента (корпус)? Т.е. на скрине вместо отрезка TL18 должен встать резистор R1. Длина резистора равна длине отрезка TL18 (корпус резистора 0603). Тоже самое касается и S-параметров сосредоточенного элемента- к цепи я его подключу, а как учесть промежуток, который имитирует корпус элемента?

Скрытый текст

image.thumb.png.cac1d4d1b6fc503733bdbb8bc03ee9eb.png

 

Edited by Turgenev

Share this post


Link to post
Share on other sites
2 часа назад, Turgenev сказал:

 Как в схематике размещается любой сосредоточенный элемент, чтобы при просмотре топологии был учтен размер этого элемента (корпус)? Т.е. на скрине вместо отрезка TL18 должен встать резистор R1. Длина резистора равна длине отрезка TL18 (корпус резистора 0603). Тоже самое касается и S-параметров сосредоточенного элемента- к цепи я его подключу, а как учесть промежуток, который имитирует корпус элемента?

  Скрыть содержимое

 

 

 

Назначить резистору R1 либо вашему Субблоку S-параметров топологическое представление (ПКМ в Схематике/Layout). В GDS библиотеке рисуете Layout желаемого элемента. Там же ставятся порты (пины), к которым будут тянуться соединения к подключаемым далее элементам в схеме. 
Плавно перетекаете в AWR? :)

Share this post


Link to post
Share on other sites
6 hours ago, Turgenev said:

Можете ли вы указать пример, когда S11 в дБ идеален (потери больше 20 дБ), а на ФЧХ или на диаграмме Смита все плохо?

20дБ это круг в примерно 10 Ом вокруг ваших 50 Ом на диаграмме Смита. Может быть 41 или 61 Ом или 50±j10 Ом. Это уже плохо или ещё нет?

Share this post


Link to post
Share on other sites
19 часов назад, K0nstantin сказал:

В GDS библиотеке рисуете Layout желаемого элемента.

  Спасибо. Сразу вспомнились основы моделирование в офисе от Дмитриева. Там это подробно расписано.

19 часов назад, K0nstantin сказал:

Плавно перетекаете в AWR? :)

Стало до жути интересно проверить, когда узнал что схематик AWR дает сходимость с измерениями реальной платы.

 

27.08.2021 в 15:24, cismoll сказал:

Это да, похоже, что никак.

Оказывается можно! В измерениях указываем APLAC симулятор, чтобы он автоматически создавал наборы данных в Data set (не графики!).

Скрытый текст

image.png.e2577801661ea09bb1f6e3818883d653.png

image.thumb.png.7ed968badfe3bf17dcd958b16a351b0c.png


Затем создаем дубликат измерений и в качестве источника указываем интересующий датасет, напихивая таких измерений в 1 график сколько влезет:

Скрытый текст

image.thumb.png.73a4e99b4c78471ccfc0a47e461c2df1.png

 

14 часов назад, Freesom сказал:

20дБ это круг в примерно 10 Ом вокруг ваших 50 Ом на диаграмме Смита. Может быть 41 или 61 Ом или 50±j10 Ом. Это уже плохо или ещё нет?

Это одно и тоже по потерям, рискну предположить или я не понял о чем вы. Построил на диаграмме Смита этот круг в подтверждение своих слов:

Скрытый текст

image.thumb.png.4992ec7ac4d0d88cfb98d7c9cd05f661.png


 

 

 

Созрел еще вопрос. У меня в Data files лежат S-параметры и ноунейм табличные данные (выделено на скрине слева). В настройках Data files указано, что в этот раздел я складываю Z-параметры, нормируя их на 1. Почему настройки Data files никак не отражаются на S-параметрах? Какую бы нормировку не ставил или тип данных не выбирал моделирует по одинаковому.

Скрытый текст

image.thumb.png.1219a994407c4ea27cfccc12eb2b6854.png

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
1 hour ago, Turgenev said:

Затем создаем дубликат измерений и в качестве источника указываем интересующий датасет, напихивая таких измерений в 1 график сколько влезет:

Да, получилось, спасибо.

Не очень, конечно, удобный способ, когда, например, надо одновременно контролировать КСВН входа и амплитуды и фазы нескольких выходов.

Share this post


Link to post
Share on other sites
1 hour ago, Turgenev said:

а не насторожило использование не дефолтного симулятора, а APLAC? В чем разница?

Нет, не насторожило. Это "просто" другой солвер, который AWR когда-то давно купила вместе с компанией, его разработавшей, и встроила в свой интерфейс. Насколько я понимаю, разница была бы заметна при нелинейном моделировании. Странно только то, что возможность так работать с датасетами появляется лишь при его использовании.

Вообще, конечно, было бы полезно знать разницу между солверами. Так навскидку ничего не нашёл.

 

Share this post


Link to post
Share on other sites

 

22 hours ago, Freesom said:

Можете ли вы указать пример, когда S11 в дБ идеален (потери больше 20 дБ), а на ФЧХ или на диаграмме Смита все плохо?

8 hours ago, Turgenev said:

Построил на диаграмме Смита этот круг в подтверждение своих слов:

Ну так вот, речь о том, что все точки имеющие отражение меньше -20 дБ будут попадать внутрь этого круга. Всегда. Это к вопросу, возможно ли что на графике S11 отражение меньше 20дБ, но на диаграмме Смита всё плохо. Всё зависит от того что считать плохо. Будет там 52+j7 Ом, например. Это плохо или где?

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
02.09.2021 в 23:11, Freesom сказал:

Это плохо или где?

Это КСВ 1.1 или больше 20 дБ обратных потерь в 50 омной системе, а хорошо это или плохо зависит от задачи. Я так думаю.

 

Не подскажите как задать воздух в качестве подложки в AWR? А именно тангенс диэлектрических потерь и Rho? На большой Rho (больше 100) ругается симулятор.

Share this post


Link to post
Share on other sites
2 часа назад, Turgenev сказал:

Это КСВ 1.1 или больше 20 дБ обратных потерь в 50 омной системе, а хорошо это или плохо зависит от задачи. Я так думаю.

 

Не подскажите как задать воздух в качестве подложки в AWR? А именно тангенс диэлектрических потерь и Rho? На большой Rho (больше 100) ругается симулятор.

Rho это ведь сопротивление дорожки относительно золота. К подложке оно не имеет отношение.

Чуть Вас подкорректирую: зависит от ТЗ (она же задача). Кому-то и 1.5 норм и 2, кому-то 1.1 беда (читал здесь на форуме, что кого-то за это выгнали с работы :D ). Да и полосу нужно смотреть. В природе ничего идеального не бывает и всё относительно, тут прибыло, там убыло. + ещё не раз здесь скажут, что на погрешности измерений теряется больше.

Share this post


Link to post
Share on other sites
16 часов назад, K0nstantin сказал:

Rho это ведь сопротивление дорожки относительно золота.

Согласен, снова напутал. А тангенс угла диэлектрических потерь (tand) для воздуха не подскажите?

Share this post


Link to post
Share on other sites
11 часов назад, Tonilo сказал:

Подскажите, отчего после созданий EM structure  на графике все значение уползают?

Первоначально вам нужно увеличить габариты подложки. От края полоска до края дорожки должно быть не менее двух толщин подложки. Это же касается на самом деле и  сторон, где расположены порты. Там можно использовать Deembeding на длину более двух толщих подложки, заранее увеличив полосок на эту длину.

Share this post


Link to post
Share on other sites
20 часов назад, K0nstantin сказал:

Подскажите, отчего после созданий EM structure  на графике все значение уползают?

В каком смысле уползают? Если вы промоделировали в схематике, то получите одни зависимости коэффициентов. Если по этой же схеме, создали ЭМ-структуру, и попробуйте промоделировать, значения у вас уползут, это неудивительно, так как схематик и аксием по-разному расчет производят. 

Share this post


Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.