Перейти к содержанию
    

А если вместо проверочных диодов включить резистор с эквивалентным сопротивлением для рабочего режима...

 

Когда режим по току близок к максимальному возможному (90%), то никаких генераций нет.

Эквивалент должен быть мах близок к реальной нагрузке.

Изменено пользователем Петрик

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Во-первых, ещё раз: работа ОУ на емкостную нагрузку, на что неоднократно Вам указывали. Резистор между выходом ОУ и затвором в сотню ом (ориентировочно) обязательно. Во-вторых, небольшой конденсатор в ОС ОУ (с выхода на инвертирующий вход не помешал бы ( зависит от требуемого быстродействия)). В-третьих: а почему обязательно мосфет? Я в аналогичной схеме использую биполярник и нет проблем.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Я, конечно, тоже склонен считать, что дело в ёмкости. Хотя, в данном случае обратная связь заводиться так, что ёмкость скорее является форсирующим элементом и не должна сама по себе приводить к колебаниям. Другое дело, что её величина сравнима с внутренними емкостями ОУ - а это совсем другая история.

А если допустисть, что дело исключительно в нелинейном элементе, охваченном обратной связью? В общем случае это тоже хороший повод для автоколебаний.

Петрик, Вы упомянули, что с биполярным транзистором всё нормально. Кроме того, явление зависит и от нагрузки...

Может быть, совместная ВАХ двух диодов и полевика в рабочей точке имеет dU/dI сравнимое с коэффициентом усиления ОУ, схема оказывается в релейном режиме и начинает "щёлкать" туда-сюда...

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Я в аналогичной схеме использую биполярник и нет проблем.

С полевиком будет точнее, нет базового тока.Минимизировать можно с помощью Дарлингтона.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Хотелось бы тоже добавить несколько слов к уже сказанному, извините что повторяюсь :)

Действительно, ОУ здесь работает на достаточно большую емкость. Если частота полюса образованная выходным сопротивлением ОУ (несколько Ом, можно уточнить в даташите) и емкостью нагрузки достаточно низкая, т.е. находится вблизи частоты единичного усиления ОУ, то это приводит к существенному ухудшению запаса по фазе.

MOSFET здесь лучше применять, т.к. ОУ на постоянном токе, в таком случае, работает на холостом ходу, т.е. с максимальным Ку - отсюда большая стабильность источника тока. Но если Ку не изменяется значительно при изменении нагрузки (выходной каскад ОУ хорошо "изолирует" нагрузку от помежуточного каскада) то можно применять и биполяр.

Проблему решить можно:

- установить ОУ с как можно меньшим выходным сопротивлением (ОУ rtr имеет большое выходное сопротивление, которое уменьшается за счет петлевого усиления) и с достаточно большим запасом по фазе . Можно сделать развязку на транзисторном повторителе напряжения...но это усложнение схемы, которая как я понял должна быть простой.

- можно применять изоляцию емкостной нагрузки от выхода ОУ как например в http://www.analogzone.com/acqt0704.pdf. Есть более короткое описание этих методов в одном из аппликейшн ноут на сайте Аналог Дев, но к сожалению не смог быстро найти.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Хотелось бы тоже добавить несколько слов к уже сказанному, извините что повторяюсь :)

Действительно, ОУ здесь работает на достаточно большую емкость. Если частота полюса образованная выходным сопротивлением ОУ (несколько Ом, можно уточнить в даташите) и емкостью нагрузки достаточно низкая, т.е. находится вблизи частоты единичного усиления ОУ, то это приводит к существенному ухудшению запаса по фазе.

MOSFET здесь лучше применять, т.к. ОУ на постоянном токе, в таком случае, работает на холостом ходу, т.е. с максимальным Ку - отсюда большая стабильность источника тока. Но если Ку не изменяется значительно при изменении нагрузки (выходной каскад ОУ хорошо "изолирует" нагрузку от помежуточного каскада) то можно применять и биполяр.

Проблему решить можно:

- установить ОУ с как можно меньшим выходным сопротивлением (ОУ rtr имеет большое выходное сопротивление, которое уменьшается за счет петлевого усиления) и с достаточно большим запасом по фазе . Можно сделать развязку на транзисторном повторителе напряжения...но это усложнение схемы, которая как я понял должна быть простой.

- можно применять изоляцию емкостной нагрузки от выхода ОУ как например в http://www.analogzone.com/acqt0704.pdf. Есть более короткое описание этих методов в одном из аппликейшн ноут на сайте Аналог Дев, но к сожалению не смог быстро найти.

 

 

Спасибо всем откликнувшимся ) .Как я указывал выше, стабильности я добился, если с ОУ в затвор через резистор 1,5 к с параллельно резистору включенным конденсатором 4,7 н и с затвора на землю 3 к резистор. Качество тока почти исключительное. А с биполярной парой Дарлингтона, кстати, тоже возникает небольшой самовозбуд (я пробовал КТ827 и КТ817+КТ503 - в обоих возникала генерация). MOSFET лучше чем БП и тем когда нет нагрузки, ОУ мах нагружается, дает в базк мах ток.

В общем хотелось услышать ваше мнение о данной схеме и методы улучшения стабильности, а по поводу простоты, то можно было бы и чуток усложнить, для стабильности ).

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Спасибо всем откликнувшимся ) .Как я указывал выше, стабильности я добился, если с ОУ в затвор через резистор 1,5 к с параллельно резистору включенным конденсатором 4,7 н и с затвора на землю 3 к резистор. Качество тока почти исключительное.

Опять у Вас опер оказывается нагруженным на ёмкость. Для чего эти 4,7н параллельно резистору? Для увеличения быстродействия? Вряд ли ОУ способен выдавить из себя достаточно току для быстрого заряда ёмкости затвора. Для скоростной аппликации лучше биполярного, опять же, нет.

А с биполярной парой Дарлингтона, кстати, тоже возникает небольшой самовозбуд (я пробовал КТ827 и КТ817+КТ503 - в обоих возникала генерация).

А зачем Дарлингтон? Какой у Вас ток лазера? В каких пределах он меняется? Вас волнует ошибка источника тока в сотые доли процента за счёт базового тока?

MOSFET лучше чем БП и тем когда нет нагрузки, ОУ мах нагружается, дает в базк мах ток.

Здесь ничего не понял, но учтите, что МОСФЕТ, который Вы пытаетесь применять, рассчитан для работы в ключевом режиме и откровенно плох для линейного, усилительного режима.

В общем хотелось услышать ваше мнение о данной схеме и методы улучшения стабильности, а по поводу простоты, то можно было бы и чуток усложнить, для стабильности ).

Повторюсь, у меня работает ОРА727 в связке с 2SD602A, ток лазера 50мА, никаких нареканий нет.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Опять у Вас опер оказывается нагруженным на ёмкость. Для чего эти 4,7н параллельно резистору? Для увеличения быстродействия? Вряд ли ОУ способен выдавить из себя достаточно току для быстрого заряда ёмкости затвора...
Простите, что приходится дублировать Вас, но... лучше один раз нарисовать, чем десять раз объяснить.

По-видимому, Вы имели в виду примерно такую схемму:

post-4987-1183664872.gif

Здесь R1 выбирается равным 50-200 Ом (о чём здесь неоднократно писали), R2 - сотни Ом, а C1 - единицы - первые десятки пикофарад, в зависимости от быстродействия ОУ.

 

 

Для скоростной аппликации лучше биполярного, опять же, нет.
Не факт. Зависит от приложения. Современные низковольтные быстрые ПТ вполне могут конкурировать с любыми БТ. Если нужна именно точность поддержания тока, применять ПТ вполне уместно. А если принять во внимание, скажем, радиочастотные HEMT, то тут и биполярникам несладко придётся...

 

А зачем Дарлингтон? Какой у Вас ток лазера? В каких пределах он меняется? Вас волнует ошибка источника тока в сотые доли процента за счёт базового тока?
Присоединяюсь к вопросам.

 

2 Петрик

Чтобы получить полезный совет, нужно затратить определённые усилия, чтобы грамотно сформулировать вопрос. То есть, описать по возможности наиболее полно, что Вы хотите получить от данного устройства, указать все токи, напряжения, крутизну фронтов и т.д. А также нарисовать имнно ту схему, с которой Вы в данный момент работаете. Иначе толку не будет.

 

...Здесь ничего не понял, но учтите, что МОСФЕТ, который Вы пытаетесь применять, рассчитан для работы в ключевом режиме и откровенно плох для линейного, усилительного режима.
Э-э, простите, но, как мне кажется, силовой ФЕТ вообще вполне применим в узлах данного типа, при условии, что не нужно получать рекордные показатели по быстродействию (об этом, кстати, автор темы ничего не сообщил).

 

2 Петрик

А Вы уверены, что Вам нужен именно ПТ на 60 вольт и 57 ампер, имеющий ёмкость затвор-исток более 1,5 нанофарады? Может быть, Ваш лазер способен удовлетвориться гораздо более скромными значениями токов и напряжений?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

А может, возбуд из-за того что питание соизмеримо с порговым напряжением (VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0 – 4.0 V) ?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

А может, возбуд из-за того что питание соизмеримо с порговым напряжением (VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0 – 4.0 V) ?

 

Да нет, на затворе то до 8 В доходит.

 

Ток питания 0...5 А. Напряжение питания нагрузки 3,3 В. Частота тока менялась до 10 кГц и фронты были достаточно крутыми (цифры не скажу, но картинка на С1-68 была красивой ) ).

 

Ошибка за счет базового тока меня не волнует, хочется обойтись минимумом активных составляющих.

 

По поводу транзистора на 57 А, то в общем-то волнует минимизация сопротивления канала в открытом состоянии.

 

Собственно рабочая схема.

post-24476-1183710278_thumb.jpg

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Станислав предложил правильную схему. Она свободна от проблемы возбуждения (за счет ФНЧ R2C1) и перегрузки выхода ОУ (за счет R1). Единственное замечание к этой схеме в номиналах (при использовании LM258):

 

Чтобы не перегружать выход ОУ R1 > 12В/10мА = 1,2К

 

Произведение R2C1 должно быть таким, чтобы обеспечивать запас по фазе. Проще всего это сделать, если частота среза фильтра R2C1 будет самой низкой (еще есть фильтр внутренней компенсации ОУ и фильтр, образованный емкостью затвора и выходным сопротивлением ОУ).

 

У вас возбуждение было на частоте 100КГц и выше, значит R2C1 должно иметь частоту среза не более 50КГц, а лучше не выше 30. При R2 = 10К и C1 = 470пФ имеем частоту среза 34КГц.

 

А еще лучше отказаться от использования LM258 и взять микросхему драйвера полевых транзисторов или сильноточный ОУ, расчитанный для работы на емкостную нагрузку (например кабельные усилители).

 

 

Если все это вас не убедило, тогда укажу проблемы исправленной вами схемы:

 

1) выбранный ОУ не имеет защиты от КЗ в нижнем плече. Это видно как из внутренней схемы, так и из спецификации. Получается работа на емкость (4,7нФ последовательно с емкостью затвора и сопротивлением 0,3 Ома в стоке). Имеем ненормированный ток с возможностью выхода ОУ из строя (см Note 2 в LM158.PDF).

 

2) выбранный ОУ имеет слаботочный выход. При резком изменении напряжения нагрузки ОУ не способен обеспечивать ток заряда емкости затвор-сток. Следовательно будут выбросы по току.

 

3) примененная схема компенсации привела к уменьшению усиления ОУ и уменьшению диапазона изменения выходного напряжения для управления затвором полевого транзистора. Лучше бы использовать частотозависимую обратную связь.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

По поводу транзистора на 57 А, то в общем-то волнует минимизация сопротивления канала в открытом состоянии.

Вы уж определитесь, что строите - управляемый источник тока или ключ на полевике. Если первое, то Rdson полевика будет волновать в последнюю очередь. имхо, разумнее, исходя из максимальной частоты сигнала управления током и параметров ОУ по выходу, рассчитать допустимую емкость затвора полевика в такой схеме и номинал резистора в затвор.

Собственно рабочая схема.

Посмотрите чуть выше. Деталей столько же, зато понятно, зачем они нужны.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Станислав предложил правильную схему. Она свободна от проблемы возбуждения (за счет ФНЧ R2C1) и перегрузки выхода ОУ (за счет R1). Единственное замечание к этой схеме в номиналах (при использовании LM258):

 

Чтобы не перегружать выход ОУ R1 > 12В/10мА = 1,2К

Согласен, но я бы такой опер не стал применять в данном приложении вовсе. Слава богу, сейчас есть хороший выбор ОУ с достаточно большими выходными токами и защитой выхода от токовых перегрузок.

Пользуясь тем, что большой ток выхода будет протекать не всё время, а только в момент включения-выключения (ну, или резкого изменения) тока через ПТ, можно смело ставить сопротивление в указанных мной пределах, от этого быстродействие только выиграет. Правда, в эти моменты возможно срабатывание токовой защиты выхода и утрата устойчивости, но это не опасно: при уменьшении тока до меньшей величины она быстро восстановится, и никаких выбросов при правильно рассчитанной коррекции не будет.

Иными словами, устойчивость достаточно обеспечить только на малом сигнале, и не бояться включения токовой защиты выхода ОУ на переходных процессах.

 

У вас возбуждение было на частоте 100КГц и выше, значит R2C1 должно иметь частоту среза не более 50КГц, а лучше не выше 30. При R2 = 10К и C1 = 470пФ имеем частоту среза 34КГц.
В схеме, предложенной мной, думается, можно выбрать частоту среза и повыше - полюс выходного каскада даже такого хилого ОУ, как LM258, здорово сместится в область ВЧ.

 

Если все это вас не убедило, тогда укажу проблемы исправленной вами схемы:

 

1) выбранный ОУ не имеет защиты от КЗ в нижнем плече. Это видно как из внутренней схемы, так и из спецификации. Получается работа на емкость (4,7нФ последовательно с емкостью затвора и сопротивлением 0,3 Ома в стоке). Имеем ненормированный ток с возможностью выхода ОУ из строя (см Note 2 в LM158.PDF).

 

2) выбранный ОУ имеет слаботочный выход. При резком изменении напряжения нагрузки ОУ не способен обеспечивать ток заряда емкости затвор-сток. Следовательно будут выбросы по току.

 

3) примененная схема компенсации привела к уменьшению усиления ОУ и уменьшению диапазона изменения выходного напряжения для управления затвором полевого транзистора. Лучше бы использовать частотозависимую обратную связь.

Присоединяюсь.

 

По поводу транзистора на 57 А, то в общем-то волнует минимизация сопротивления канала в открытом состоянии.
А зачем его "минимизировать"? :07:

У Вас же ИТ, а не коммутатор. Поэтому, должен быть выбран ПТ с небольшим допустимым напряжением СИ и малыми междуэлектродными ёмкостями. Естественно, он должен быть рассчитан на рассеивание определённой мощности, для этого придётся сделать теплоотвод. Единственное требование в сопротивлению канала во включенном состоянии - оно не должно превышать некого порога, определяемого напряжением питания и падением напряжения на ЛД и резисторе R3 (в моей схеме).

Кстати, падение напряжения на ЛД при максимальном рабочем токе Вы не привели...

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Согласен, но я бы такой опер не стал применять в данном приложении вовсе. Слава богу, сейчас есть хороший выбор ОУ с достаточно большими выходными токами и защитой выхода от токовых перегрузок.

Пользуясь тем, что большой ток выхода будет протекать не всё время, а только в момент включения-выключения (ну, или резкого изменения) тока через ПТ, можно смело ставить сопротивление в указанных мной пределах, от этого быстродействие только выиграет. Правда, в эти моменты возможно срабатывание токовой защиты выхода и утрата устойчивости, но это не опасно: при уменьшении тока до меньшей величины она быстро восстановится, и никаких выбросов при правильно рассчитанной коррекции не будет.

Иными словами, устойчивость достаточно обеспечить только на малом сигнале, и не бояться включения токовой защиты выхода ОУ на переходных процессах.

 

В схеме, предложенной мной, думается, можно выбрать частоту среза и повыше - полюс выходного каскада даже такого хилого ОУ, как LM258, здорово сместится в область ВЧ.

 

Присоединяюсь.

 

А зачем его "минимизировать"? :07:

У Вас же ИТ, а не коммутатор. Поэтому, должен быть выбран ПТ с небольшим допустимым напряжением СИ и малыми междуэлектродными ёмкостями. Естественно, он должен быть рассчитан на рассеивание определённой мощности, для этого придётся сделать теплоотвод. Единственное требование в сопротивлению канала во включенном состоянии - оно не должно превышать некого порога, определяемого напряжением питания и падением напряжения на ЛД и резисторе R3 (в моей схеме).

Кстати, падение напряжения на ЛД при максимальном рабочем токе Вы не привели...

Все новое-давно забытое старое. Полистал свои записи и увидел, что лет пять назад, я именно так и делал (по схеме Stanislavа ) даже плата была разведена под такую коррекцию, но что привело к изменению, сейчас и не вспомню...

Вчера собрал все работает отлично, выбросов практически нет.

Напряжение на ЛД не превышает 2,4 В, но это ,в принципе, не очень критично, есть ЛД и с 1,5 В.

А если уж и менять ОУ, навскидку, недорогой посоветуйте, двухканальный, с однополярным питанием.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...