AlexZabr 0 2 мая, 2007 Опубликовано 2 мая, 2007 · Жалоба Задачка в файле. Для тех кому будет интересно отвлечься и пошевелить извилинами :) Требуется проанализировать как что работает и дать функцию входа/выхода. Буду рад мнениям. Хочу проверить себя правилен ли мой подход. Interview_analog2.doc Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
yxo 0 3 мая, 2007 Опубликовано 3 мая, 2007 · Жалоба Задачка в файле. Для тех кому будет интересно отвлечься и пошевелить извилинами :) Требуется проанализировать как что работает и дать функцию входа/выхода. Буду рад мнениям. Хочу проверить себя правилен ли мой подход. Транзистор в насыщении, ОУ идеальный. Тогда, ТОк через резистор равен току через транзистор. Напряжение на неинвертирующем входе "0". Тогда нпряжение Vgs = Vo = (sqrt(2*I/betta) + Vt). ток черех резистор и через транзистор I = Vin/R. Отсюда Vo/Vin несложно выразить. betta = k*W/L k - gain factor Vt - threshold voltage Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
AlexZabr 0 3 мая, 2007 Опубликовано 3 мая, 2007 · Жалоба Транзистор в насыщении, ОУ идеальный. Тогда, ТОк через резистор равен току через транзистор. Напряжение на неинвертирующем входе "0". Тогда нпряжение Vgs = Vo = (sqrt(2*I/betta) + Vt). ток черех резистор и через транзистор I = Vin/R. Отсюда Vo/Vin несложно выразить. betta = k*W/L k - gain factor Vt - threshold voltage Близко к моей версии. Да, ОУ идеальный. Так какой точный ответ и описание процесса при входном сигнале ? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
yxo 0 3 мая, 2007 Опубликовано 3 мая, 2007 · Жалоба Близко к моей версии. Да, ОУ идеальный. Так какой точный ответ и описание процесса при входном сигнале ? А в чем отличия Вашей версии ? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Losik 1 3 мая, 2007 Опубликовано 3 мая, 2007 · Жалоба Близко к моей версии. Да, ОУ идеальный. Так какой точный ответ и описание процесса при входном сигнале ? теж все нарисовали? подставить только. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
AlexZabr 0 3 мая, 2007 Опубликовано 3 мая, 2007 · Жалоба А в чем отличия Вашей версии ? Я не знаю полностью ли вы высказали сво мнение или просто укоротили ответ но на самом деле подразумевали более полный процесс. По моему, то что происходит: Case 1: Vin > 0 Тогда source будет со стороны выхода ОУ -> Vgs = 0 -> Vgs < Vt -> MOSFET in cut-off (отсечка). В результате разорвана цепь обратной связи ОУ - на выходе отицательное saturation т.е. Vout = Vee. Case 2: Vin < 0 Тогда source будет со стороны входа ОУ (и drain соотв. со стороны выхода). Vgs = Vds. По теории: Vds > Vgs -Vt -> saturation. Если Vgs = Vds, то подавно Vds > Vgs - Vt. Значит транзистор в насыщении. Уравнение насыщение: Id =(k/2)(Vgs-Vt)^2. С другой стороны: Id = -Vin/R и Vgs = Vds = Vout. Получаем: -Vin/R = (k/2)(Vout - Vt)^2. Отсюда следует: Vout = sqrt(2/(kR))*sqrt(|Vin|), при Vin < 0. Т.е. мы получили устройство делает квадратный корень из модуля отрицательного сигнала на входе (умноженного ка фактор) и уходя в отрицательное насыщение при положительном сигнале. В принципе мой и ваш подходы очень близки (и надеюсь они правильны), просто я ожидал полного изложения процесса, я не знаю имели ли вы ввиду всю эту картину и просто вкатце изложили ответ, или вы считаете транзистор всегда в насыщении, вне зависимости от полярности входного сигнала... Вообще я тут должен дать кредит Deemonу, просветивщему меня насчет факто того что у такого рода полевиков source/drain могут меняться местами (а значит и Vgs там или сям) в зависимости от ситуации (http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=30918). Если-бы не сия мысля - я бы врядле решил бы ее... теж все нарисовали? подставить только. Сорри, не понял что вы имеете ввиду.... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
KykyryzzZ 0 3 мая, 2007 Опубликовано 3 мая, 2007 · Жалоба По моему, то что происходит: Case 1: Vin > 0 Тогда source будет со стороны выхода ОУ -> Vgs = 0 -> Vgs < Vt -> MOSFET in cut-off (отсечка). В результате разорвана цепь обратной связи ОУ - на выходе отицательное saturation т.е. Vout = Vee. Почему у вас при Vin > 0 -> Vout = Vee? Разве мы не получим в этом состоянии из транзистора грубо говоря диод катодом на линию out а анодом на землю? Тогда при Vin > 0 -> Vout = - V p-n перехода, т.е. около -0.6? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
yxo 0 3 мая, 2007 Опубликовано 3 мая, 2007 · Жалоба Почему у вас при Vin > 0 -> Vout = Vee? Разве мы не получим в этом состоянии из транзистора грубо говоря диод катодом на линию out а анодом на землю? Тогда при Vin > 0 -> Vout = - V p-n перехода, т.е. около -0.6? Полевой транзистор в диодном включении - это не свосем диод, в отличии от биполярного Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
AlexZabr 0 3 мая, 2007 Опубликовано 3 мая, 2007 · Жалоба Почему у вас при Vin > 0 -> Vout = Vee? Разве мы не получим в этом состоянии из транзистора грубо говоря диод катодом на линию out а анодом на землю? Тогда при Vin > 0 -> Vout = - V p-n перехода, т.е. около -0.6? Мы же не говорил о биполярном, тут у нас mosfet enhancement - там структура другая. При Vgs < Vt нет проводящего канала (грубо говоря) - эквивалент разрыву цепи. Разрыв цепи -> разрыв обратной связи ОУ что ведет к отрицательному насыщению на выходе ОУ ибо входной полож. подан на инверсный вход. (Тут начинает играть open loop gain операционника, а он в небесах посему сразу выбрасывает ОУ в насыщение (близкое к питанию). Полевой транзистор в диодном включении - это не свосем диод, в отличии от биполярного А, вот меня уже опередили .. :) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
yxo 0 3 мая, 2007 Опубликовано 3 мая, 2007 · Жалоба Саша, ваши рассуждения верны . Мой ответ был несолько не полным. Только не знаю насчет коректности теримнологии, насчет переворотов source. И еще это верно для N канального транзистора, для P все будет наоборот Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
KykyryzzZ 0 3 мая, 2007 Опубликовано 3 мая, 2007 · Жалоба Полевой транзистор в диодном включении - это не свосем диод, в отличии от биполярного То есть вы согласны с тем, что при Vin > 0 на выходе получаем отрицательное питание ОУ (Vee)? При положительном напряжении - транзистор в режиме отсечки. цепь - разорвана, но p-n переход между подложкой и стоком никуда не делся. П.С. Ладно :) двое на одного не честно :) подумаю, может я не прав. кто- нибудь пробовал моделировать схему? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
yxo 0 3 мая, 2007 Опубликовано 3 мая, 2007 · Жалоба То есть вы согласны с тем, что при Vin > 0 на выходе получаем отрицательное питание ОУ (Vee)? При положительном напряжении - транзистор в режиме отсечки. цепь - разорвана, но p-n переход между подложкой и стоком никуда не делся. П.С. Ладно :) двое на одного не честно :) подумаю, может я не прав. кто- нибудь пробовал моделировать схему? Прошу обратить внимание, что подложка не подключена ни к истоку ни к стоку. Если брать транзистор корпусной, когда соурс подключен к подложке, тогда да - паразитный диод откроется.... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
KykyryzzZ 0 3 мая, 2007 Опубликовано 3 мая, 2007 · Жалоба Прошу обратить внимание, что подложка не подключена ни к истоку ни к стоку. Если брать транзистор корпусной, когда соурс подключен к подложке, тогда да - паразитный диод откроется.... Прокомментируйте пожалуйста модель схемы Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
AlexZabr 0 3 мая, 2007 Опубликовано 3 мая, 2007 · Жалоба Прокомментируйте пожалуйста модель схемы Хмм...транзистор точно n-channel ? Стрелка вовнутрь обычно означает n, но симуляция намекает на p... :cranky: Кроме того, симуляция намекает об открытом диоде (на положительной полуволне на входе)... Хмм, нужно подумать... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
yxo 0 3 мая, 2007 Опубликовано 3 мая, 2007 · Жалоба Прокомментируйте пожалуйста модель схемы По-моему всн нормально. Коэффициент усиления неинвертирующего усилетеля -(Roc/Rin), Rос вздесь всегда остается очень большим, так как транзистор либо в насыщении либо выключен следовательно коэффициент усиления тоже очень большой, в результате ОУ оказывается в насыщении... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться