Сергей Борщ 0 Posted February 2, 2007 · Report post А что означает NoDelay™ Writes? Запись без задержек - это как?А посмотрите алгоритм записи любой флешки. После команды записи начинается собственно запись и перед следующими обращениями вам надо ждать пока эта запись закончится. Здесь же работает по принципу "пустил-забыл" - время записи меньше минимально допустимого промежутка между обращениями. Share this post Link to post Share on other sites
SergeyX 0 Posted February 2, 2007 · Report post FRAM - штука хорошая, сам пользую и доволен. Просто хочу сказать что ее ресурс имеет границу, правда очень большую. Когда-то читал и цифра была порядка ~миллионов циклов, хотя щас нашел только параметр "10 Year Data Retention" второй параметр паказывает кол-во записей. Технология не стоит на месте. Features: 4K bit Ferroelectric Nonvolatile RAM • Organized as 512 x 8 bits • Unlimited Read/Write Cycles • 10 Year Data Retention • NoDelay™ Writes • Advanced High-Reliability Ferroelectric Process А что означает NoDelay™ Writes? Запись без задержек - это как? после записи не требуется выдерживать паузу для програмирвания ячеек памяти и опроса когони-будь бита занятости...а можно сразу не беспокоясь о потере данных записывать или читать следующие данные...все так как если бы это было озу. Share this post Link to post Share on other sites
rezident 0 Posted February 2, 2007 · Report post FRAM - штука хорошая, сам пользую и доволен. Просто хочу сказать что ее ресурс имеет границу, правда очень большую. Когда-то читал и цифра была порядка ~миллионов циклов, хотя щас нашел только параметр "10 Year Data Retention" второй параметр паказывает кол-во записей. Технология не стоит на месте. Features: 4K bit Ferroelectric Nonvolatile RAM • Organized as 512 x 8 bits • Unlimited Read/Write Cycles • 10 Year Data Retention • NoDelay™ Writes • Advanced High-Reliability Ferroelectric Process А что означает NoDelay™ Writes? Запись без задержек - это как? Технология памяти FRAM работает на перезаписи элементарных ячеек памяти. Вне зависимости от того читаете вы или пишите в FRAM каждый раз происходит перезапись или запись в ячейки памяти. Поэтому и нет задержек. Share this post Link to post Share on other sites
_Bob_ 0 Posted February 8, 2007 · Report post Вас спасет FRAM. Например => http://www.ramtron.com/doc/Products/Nonvol...?ID=68&gr=5 Просто в десятку! Спасибо! Вариантов 3: 1) Система раннего предупреждения отключения питания. 2) Батарейное ОЗУ. 3) FRAM. Первые два по схемотехнике на порядок сложнее, дороже + громоздкие. FRAM более элегантное решение и думаю в 90% случаев подходит. Сами используем FRAM и систему раннего предупреждения, но раннее предупреждение связано не столько с архивом сколько корректным завершением работы устройства. Share this post Link to post Share on other sites
SM 0 Posted February 8, 2007 · Report post Технология памяти FRAM работает на перезаписи элементарных ячеек памяти. Вне зависимости от того читаете вы или пишите в FRAM каждый раз происходит перезапись или запись в ячейки памяти. Поэтому и нет задержек. Ну я бы не сказал, что это причина отсутствия задержек. Причиной скорее является отсутствие медленных процессов туннелирования или инжекции электронов (FNT и CHE), когда высоким напряжением "вкрячивают" заряд в затвор, характерных для памяти на транзисторах с плавающим затвором. Share this post Link to post Share on other sites
npu3pak13 0 Posted February 24, 2007 · Report post Есть вариант - использовать флэш с SPI интерфейсом раз есть порты Share this post Link to post Share on other sites
slimjack 0 Posted February 26, 2007 · Report post Есть вариант - использовать флэш с SPI интерфейсом раз есть порты А какое будет количество циклов перезаписи? Кстати, кто занет, что за память используется в юсб-флэшках для компьютеров? Довольно быстрая и надежная память, мне кажется. Share this post Link to post Share on other sites
SM 0 Posted February 26, 2007 · Report post Кстати, кто занет, что за память используется в юсб-флэшках для компьютеров? Довольно быстрая и надежная память, мне кажется. NAND там. Уж чем-чем, а повышенной надежностью она не страдает, особенно с последними изобретениями навроде спанзионского MirrorBit... Share this post Link to post Share on other sites
vvvvv 0 Posted February 26, 2007 · Report post В NAND туча ограничений на работу, вот несколько из них: = ограниченное число циклов стирания блока памяти, примерно 100K, а блоки там по 128 Kb. Записал один байт, стирай весь блок для перезаписи. = писать можно только постранично, страница 512байт. Дважды на одну страницу лучше не записывать, может потеряться информация. Поэтому инфа накапливается где то, затем сливается сразу по 512 байт. = писать можно только по нарастающему адресу внутри блока, т.е. первая страница, вторая и т.д. В разном порядке нельзя. = в процессе работы, информация может потеряться, рекомендуется использовать контрольные суммы для определения этого момента. Зато офигенно высокая скорость и очень большой обьем. С микроконтроллером к NAND лучше не лезть или если очень надо, придется плотно разбираться. Иначе потерь информации будет больше, чем пользы. Share this post Link to post Share on other sites
slimjack 0 Posted February 26, 2007 · Report post Принято. Буду пробовать FRAM Share this post Link to post Share on other sites
ed4mk 0 Posted March 12, 2007 · Report post Тут кроме FRAM применять нечего. С флэш еще хуже, т.к. сейчас больше делают не обычную NAND флеш, а ее более дешевую модификацию NAND MLC (multi-level core) с 10000 циклов перезаписи (как в первых советских eeprom) - такие чипы в основном применяют в ЮСБ драйвах для снижения их стоимости - в результате можем нарватся на поддельную АТ49 :ohmy: :unsure: . Еще помню тестирование обычной АТ49 - ячейки начали портится уже после 110000 циклов перезаписи, а полностью ИС сдохла после ок. 350000 циклов перезаписи :( . Да, FRAM дорогая, но другог о выбора пока нет :angry2: . Share this post Link to post Share on other sites
