Энергонезависимое хранение часто меняющихся данных

[Сергей Борщ 0]

А что означает NoDelay™ Writes? Запись без задержек - это как?

А посмотрите алгоритм записи любой флешки. После команды записи начинается собственно запись и перед следующими обращениями вам надо ждать пока эта запись закончится. Здесь же работает по принципу "пустил-забыл" - время записи меньше минимально допустимого промежутка между обращениями.

[SergeyX 0]

FRAM - штука хорошая, сам пользую и доволен.

Просто хочу сказать что ее ресурс имеет границу, правда очень большую. Когда-то читал и цифра была порядка ~миллионов циклов, хотя щас нашел только параметр "10 Year Data Retention"

 

второй параметр паказывает кол-во записей. Технология не стоит на месте.

Features: 4K bit Ferroelectric Nonvolatile RAM
• Organized as 512 x 8 bits
• Unlimited Read/Write Cycles
• 10 Year Data Retention 
• NoDelay™ Writes
• Advanced High-Reliability Ferroelectric Process

 

А что означает NoDelay™ Writes? Запись без задержек - это как?

 

после записи не требуется выдерживать паузу для програмирвания ячеек памяти и опроса когони-будь бита занятости...а можно сразу не беспокоясь о потере данных записывать или читать следующие данные...все так как если бы это было озу.

[rezident 0]

FRAM - штука хорошая, сам пользую и доволен.

Просто хочу сказать что ее ресурс имеет границу, правда очень большую. Когда-то читал и цифра была порядка ~миллионов циклов, хотя щас нашел только параметр "10 Year Data Retention"

 

второй параметр паказывает кол-во записей. Технология не стоит на месте.

Features: 4K bit Ferroelectric Nonvolatile RAM
• Organized as 512 x 8 bits
• Unlimited Read/Write Cycles
• 10 Year Data Retention 
• NoDelay™ Writes
• Advanced High-Reliability Ferroelectric Process

 

А что означает NoDelay™ Writes? Запись без задержек - это как?

Технология памяти FRAM работает на перезаписи элементарных ячеек памяти. Вне зависимости от того читаете вы или пишите в FRAM каждый раз происходит перезапись или запись в ячейки памяти. Поэтому и нет задержек.

[_Bob_ 0]

Вас спасет FRAM. Например => http://www.ramtron.com/doc/Products/Nonvol...?ID=68&gr=5

 

Просто в десятку!

Спасибо!

 

Вариантов 3:

1) Система раннего предупреждения отключения питания.

2) Батарейное ОЗУ.

3) FRAM.

 

Первые два по схемотехнике на порядок сложнее, дороже + громоздкие. FRAM более элегантное решение и думаю в 90% случаев подходит.

Сами используем FRAM и систему раннего предупреждения, но раннее предупреждение связано не столько с архивом сколько корректным завершением работы устройства.

[SM 0]

Технология памяти FRAM работает на перезаписи элементарных ячеек памяти. Вне зависимости от того читаете вы или пишите в FRAM каждый раз происходит перезапись или запись в ячейки памяти. Поэтому и нет задержек.

 

Ну я бы не сказал, что это причина отсутствия задержек. Причиной скорее является отсутствие медленных процессов туннелирования или инжекции электронов (FNT и CHE), когда высоким напряжением "вкрячивают" заряд в затвор, характерных для памяти на транзисторах с плавающим затвором.

[npu3pak13 0]

Есть вариант - использовать флэш с SPI интерфейсом раз есть порты

[slimjack 0]

Есть вариант - использовать флэш с SPI интерфейсом раз есть порты

А какое будет количество циклов перезаписи?

Кстати, кто занет, что за память используется в юсб-флэшках для компьютеров? Довольно быстрая и надежная память, мне кажется.

[SM 0]

Кстати, кто занет, что за память используется в юсб-флэшках для компьютеров? Довольно быстрая и надежная память, мне кажется.

 

NAND там. Уж чем-чем, а повышенной надежностью она не страдает, особенно с последними изобретениями навроде спанзионского MirrorBit...

[vvvvv 0]

В NAND туча ограничений на работу, вот несколько из них:

 

= ограниченное число циклов стирания блока памяти, примерно 100K, а блоки там по 128 Kb. Записал один байт, стирай весь блок для перезаписи.

 

= писать можно только постранично, страница 512байт.

Дважды на одну страницу лучше не записывать, может потеряться

информация. Поэтому инфа накапливается где то, затем сливается сразу по 512 байт.

 

= писать можно только по нарастающему адресу внутри блока, т.е.

первая страница, вторая и т.д. В разном порядке нельзя.

 

= в процессе работы, информация может потеряться, рекомендуется

использовать контрольные суммы для определения этого момента.

 

Зато офигенно высокая скорость и очень большой обьем.

С микроконтроллером к NAND лучше не лезть или если очень

надо, придется плотно разбираться. Иначе потерь информации

будет больше, чем пользы.

[slimjack 0]

Принято. Буду пробовать FRAM

[ed4mk 0]

Тут кроме FRAM применять нечего. С флэш еще хуже, т.к. сейчас больше делают не обычную NAND флеш, а ее более дешевую модификацию NAND MLC (multi-level core) с 10000 циклов перезаписи (как в первых советских eeprom) - такие чипы в основном применяют в ЮСБ драйвах для снижения их стоимости - в результате можем нарватся на поддельную АТ49 :ohmy: :unsure: . Еще помню тестирование обычной АТ49 - ячейки начали портится уже после 110000 циклов перезаписи, а полностью ИС сдохла после ок. 350000 циклов перезаписи :( . Да, FRAM дорогая, но другог о выбора пока нет :angry2: .