Jump to content

    

Энергонезависимое хранение часто меняющихся данных

А что означает NoDelay™ Writes? Запись без задержек - это как?
А посмотрите алгоритм записи любой флешки. После команды записи начинается собственно запись и перед следующими обращениями вам надо ждать пока эта запись закончится. Здесь же работает по принципу "пустил-забыл" - время записи меньше минимально допустимого промежутка между обращениями.

Share this post


Link to post
Share on other sites

FRAM - штука хорошая, сам пользую и доволен.

Просто хочу сказать что ее ресурс имеет границу, правда очень большую. Когда-то читал и цифра была порядка ~миллионов циклов, хотя щас нашел только параметр "10 Year Data Retention"

 

второй параметр паказывает кол-во записей. Технология не стоит на месте.

Features: 4K bit Ferroelectric Nonvolatile RAM
• Organized as 512 x 8 bits
• Unlimited Read/Write Cycles
• 10 Year Data Retention 
• NoDelay™ Writes
• Advanced High-Reliability Ferroelectric Process

 

А что означает NoDelay™ Writes? Запись без задержек - это как?

 

после записи не требуется выдерживать паузу для програмирвания ячеек памяти и опроса когони-будь бита занятости...а можно сразу не беспокоясь о потере данных записывать или читать следующие данные...все так как если бы это было озу.

Share this post


Link to post
Share on other sites

FRAM - штука хорошая, сам пользую и доволен.

Просто хочу сказать что ее ресурс имеет границу, правда очень большую. Когда-то читал и цифра была порядка ~миллионов циклов, хотя щас нашел только параметр "10 Year Data Retention"

 

второй параметр паказывает кол-во записей. Технология не стоит на месте.

Features: 4K bit Ferroelectric Nonvolatile RAM
• Organized as 512 x 8 bits
• Unlimited Read/Write Cycles
• 10 Year Data Retention 
• NoDelay™ Writes
• Advanced High-Reliability Ferroelectric Process

 

А что означает NoDelay™ Writes? Запись без задержек - это как?

Технология памяти FRAM работает на перезаписи элементарных ячеек памяти. Вне зависимости от того читаете вы или пишите в FRAM каждый раз происходит перезапись или запись в ячейки памяти. Поэтому и нет задержек.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Вас спасет FRAM. Например => http://www.ramtron.com/doc/Products/Nonvol...?ID=68&gr=5

 

Просто в десятку!

Спасибо! :biggrin:

 

Вариантов 3:

1) Система раннего предупреждения отключения питания.

2) Батарейное ОЗУ.

3) FRAM.

 

Первые два по схемотехнике на порядок сложнее, дороже + громоздкие. FRAM более элегантное решение и думаю в 90% случаев подходит.

Сами используем FRAM и систему раннего предупреждения, но раннее предупреждение связано не столько с архивом сколько корректным завершением работы устройства.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Технология памяти FRAM работает на перезаписи элементарных ячеек памяти. Вне зависимости от того читаете вы или пишите в FRAM каждый раз происходит перезапись или запись в ячейки памяти. Поэтому и нет задержек.

 

Ну я бы не сказал, что это причина отсутствия задержек. Причиной скорее является отсутствие медленных процессов туннелирования или инжекции электронов (FNT и CHE), когда высоким напряжением "вкрячивают" заряд в затвор, характерных для памяти на транзисторах с плавающим затвором.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Есть вариант - использовать флэш с SPI интерфейсом раз есть порты

Share this post


Link to post
Share on other sites
Есть вариант - использовать флэш с SPI интерфейсом раз есть порты

А какое будет количество циклов перезаписи?

Кстати, кто занет, что за память используется в юсб-флэшках для компьютеров? Довольно быстрая и надежная память, мне кажется.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Кстати, кто занет, что за память используется в юсб-флэшках для компьютеров? Довольно быстрая и надежная память, мне кажется.

 

NAND там. Уж чем-чем, а повышенной надежностью она не страдает, особенно с последними изобретениями навроде спанзионского MirrorBit...

Share this post


Link to post
Share on other sites

В NAND туча ограничений на работу, вот несколько из них:

 

= ограниченное число циклов стирания блока памяти, примерно 100K, а блоки там по 128 Kb. Записал один байт, стирай весь блок для перезаписи.

 

= писать можно только постранично, страница 512байт.

Дважды на одну страницу лучше не записывать, может потеряться

информация. Поэтому инфа накапливается где то, затем сливается сразу по 512 байт.

 

= писать можно только по нарастающему адресу внутри блока, т.е.

первая страница, вторая и т.д. В разном порядке нельзя.

 

= в процессе работы, информация может потеряться, рекомендуется

использовать контрольные суммы для определения этого момента.

 

Зато офигенно высокая скорость и очень большой обьем.

С микроконтроллером к NAND лучше не лезть или если очень

надо, придется плотно разбираться. Иначе потерь информации

будет больше, чем пользы.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Тут кроме FRAM применять нечего. С флэш еще хуже, т.к. сейчас больше делают не обычную NAND флеш, а ее более дешевую модификацию NAND MLC (multi-level core) с 10000 циклов перезаписи (как в первых советских eeprom) - такие чипы в основном применяют в ЮСБ драйвах для снижения их стоимости - в результате можем нарватся на поддельную АТ49 :ohmy: :unsure: . Еще помню тестирование обычной АТ49 - ячейки начали портится уже после 110000 циклов перезаписи, а полностью ИС сдохла после ок. 350000 циклов перезаписи :( . Да, FRAM дорогая, но другог о выбора пока нет :angry2: .

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now
Sign in to follow this