Jump to content

    

tcad начало

Можешь конкретно ошибку привести, в какой именно прорамме пакета она происходит?

Хорошо бы посмотреть сам проект целиком, ну если не можешь тогда хотя б скрин сделай и(или) лог файл приведи.

Вот скрины из моего проекта по шагам.

 

______.rar

 

А вот что мне пишет программа в Execution Log:

 

'gen' release 7.0, version 7.0.9

Copyright © 1994-2001 ISE Integrated Systems Engineering

Loading global tool database 'C:/ISE/tcad/7.0/lib/GENESISelib/tooldb.tcl'

Loading preferences 'C:/ISE/project/pref_win_spm.7.0'

Warning: couldn't load user's preferences: C:/ISE/project/pref_win_spm.7.0 doesn't exist

Loading project 'C:/ISE/project/n-MOP/NEW_90310'...done

--------------------------------------------------------------------

'local' submitted jobs:

default: 2 5 6 7 3 8 9 10 4 11 12 13

--------------------------------------------------------------------

Mar 11 11:13:03 <NEW_90310> started locally: nodes "all"

local% submit job 2 for local execution

local% submit job 7 for local execution

local% submit job 3 for local execution

local% submit job 10 for local execution

local% submit job 4 for local execution

local% submit job 13 for local execution

local% exec "genjob -nice 19 -job 2 @ISEDB@/n-MOP/NEW_90310"

Mar 11 11:13:03 job 2 <dios> started on host 'spm': "dios -u n2_dio.cmd"

Mar 11 11:13:06 --- job 2 <dios> exited abnormally: exit(44)

local% exec "genjob -nice 19 -job 7 @ISEDB@/n-MOP/NEW_90310"

Mar 11 11:13:09 job 7 <inspect> started on host 'spm': "inspect -f pp7_ins.cmd"

Mar 11 11:13:15 +++ job 7 <inspect> done (6 secs)

local% exec "genjob -nice 19 -job 3 @ISEDB@/n-MOP/NEW_90310"

Mar 11 11:13:18 job 3 <dios> started on host 'spm': "dios -u n3_dio.cmd"

Mar 11 11:13:21 --- job 3 <dios> exited abnormally: exit(44)

local% exec "genjob -nice 19 -job 10 @ISEDB@/n-MOP/NEW_90310"

Mar 11 11:13:24 job 10 <inspect> started on host 'spm': "inspect -f pp10_ins.cmd"

Mar 11 11:13:30 +++ job 10 <inspect> done (6 secs)

local% exec "genjob -nice 19 -job 4 @ISEDB@/n-MOP/NEW_90310"

Mar 11 11:13:33 job 4 <dios> started on host 'spm': "dios -u n4_dio.cmd"

Mar 11 11:13:36 --- job 4 <dios> exited abnormally: exit(44)

local% exec "genjob -nice 19 -job 13 @ISEDB@/n-MOP/NEW_90310"

Mar 11 11:13:40 job 13 <inspect> started on host 'spm': "inspect -f pp13_ins.cmd"

Mar 11 11:13:46 +++ job 13 <inspect> done (6 secs)

Mar 11 11:13:52 <NEW_90310> failed

 

SCHEDULING REPORT

+++ done : 7 10 13

--- failed : 2 3 4

not started : 5 6 8 9 11 12

 

gen exits with status 1

Share this post


Link to post
Share on other sites

что даёт output c

job 2 <dios> exited abnormally: exit(44)

job 3 <dios> exited abnormally: exit(44)

job 4 <dios> exited abnormally: exit(44) ?

В 10м Ткаде view output или с клавиатуры Ctrl+W на выделенной задаче

Edited by baumanets

Share this post


Link to post
Share on other sites

Приветствую всех!

Столкнулся с такой проблемой, моделирую технологию стабилитрона, с технологической точки зрения все получается правильно, профили красивые :biggrin: все хорошо.

но как дело доходит до моделирования ВАХ то напряжение пробоя стабильно держится на одной отметке, примерно в 2 раза больше чем планировалось.

Пробовал играться с технологией это ни к чему существенному не привело. Стал копаться в выходных файлах SDEVICE обнаружил что туннелирования через p-n-переход нет(( Подскажите пожалуйста как включить модели туннелирования в SDEVICE ? Читал в мануале про Band2Band туннелирование, там необходимо обозначить регионы или материалы через которые собственно и происходит туннелирование, но как их задать напрямую в SPROCESS так и не понял.

И сразу еще один вопрос спрошу) Как после SPROCESS'а включить NOFFSET3D чтобы на выходе ноффсета была не только сетка но и показывалось легирование структуры? Заранее спасибо.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Приветствую всех!

Столкнулся с такой проблемой, моделирую технологию стабилитрона, с технологической точки зрения все получается правильно, профили красивые :biggrin: все хорошо.

но как дело доходит до моделирования ВАХ то напряжение пробоя стабильно держится на одной отметке, примерно в 2 раза больше чем планировалось.

Пробовал играться с технологией это ни к чему существенному не привело. Стал копаться в выходных файлах SDEVICE обнаружил что туннелирования через p-n-переход нет(( Подскажите пожалуйста как включить модели туннелирования в SDEVICE ? Читал в мануале про Band2Band туннелирование, там необходимо обозначить регионы или материалы через которые собственно и происходит туннелирование, но как их задать напрямую в SPROCESS так и не понял.

И сразу еще один вопрос спрошу) Как после SPROCESS'а включить NOFFSET3D чтобы на выходе ноффсета была не только сетка но и показывалось легирование структуры? Заранее спасибо.

Какая версия TCADа?

Share this post


Link to post
Share on other sites

Добрый день. Поставил на WinXP SP2 T-CAD 10.0. C горем пополам добился того, что стал запускаться GENESISe. Однако всплыла другая проблема-при запуске mdraw выдается такая ошибка (в прикрепленном файле). Однако эти файлы лежат в директории %ISEROOT\tcad\10.0\ix86\WinNT\lib\mdraw. Перекинул всю папку в %ISEROOT\tcad\10.0\lib, потом отдельно их туда закинул. Эффекта ноль. Может у кого была уже такая проблема и кто-то знает, куда нужно их кинуть, чтоб запускался mdraw?

Error.rar

Share this post


Link to post
Share on other sites
Какая версия TCADа?

 

Sentaurus tcad 10

сейчас пробую после Sprocess'a вставить SDE и в нем определить регионы для туннелирования. но пока не очень успешно

Share this post


Link to post
Share on other sites
Добрый день. Поставил на WinXP SP2 T-CAD 10.0. C горем пополам добился того, что стал запускаться GENESISe. Однако всплыла другая проблема-при запуске mdraw выдается такая ошибка (в прикрепленном файле). Однако эти файлы лежат в директории %ISEROOT\tcad\10.0\ix86\WinNT\lib\mdraw. Перекинул всю папку в %ISEROOT\tcad\10.0\lib, потом отдельно их туда закинул. Эффекта ноль. Может у кого была уже такая проблема и кто-то знает, куда нужно их кинуть, чтоб запускался mdraw?

Пиши в личку, на паблик не буду выкладывать.

 

Sentaurus tcad 10

сейчас пробую после Sprocess'a вставить SDE и в нем определить регионы для туннелирования. но пока не очень успешно

У меня в синопсисе 10 для снятия вахов в программе DESSIS есть 4 модели для работы

дрейфово-диффузионная, термодинамическая, гидродинамическая, квантовая.

Нечто подобное ИМХО должно быть и тут.

Share this post


Link to post
Share on other sites

baumanets, у меня пишет, что мне нельзя использовать личные сообщения. Если не сложно, можно на почту отправить: wersun DOG rambler POINT ru

Share this post


Link to post
Share on other sites

baumanets? пока вы здесь, личка заработала, вчера сообщение отправил.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Sorry za translit. Pishu s servera, tut russkoy raskladki net ((

 

Vobshem modeley dlya tunnelirovaniya tut 5 shtuk. Problema v tom chto pri prostom podhode, toest' prosto propisav ispol'zuemie modeli v komandnike DEVICE tunnelirovanie ne shitaetsya. Neobhodimo oboznachit' v razdele Physics region ili material gde neobhodimo uchitivat eti modeli. Naprimer:

 

Physics (RegionInterface="JN_Region/JP_Region")

{

Recombination ( Band2BandTunneling ....

 

 

}

 

Ya dobilsa razmechenih oblastey s pomoshyu SDE, no tunnelirovanie vse ravno ne shitaetsya((((

Share this post


Link to post
Share on other sites
Приветствую всех!

Столкнулся с такой проблемой, моделирую технологию стабилитрона, с технологической точки зрения все получается правильно, профили красивые :biggrin: все хорошо.

но как дело доходит до моделирования ВАХ то напряжение пробоя стабильно держится на одной отметке, примерно в 2 раза больше чем планировалось.

Пробовал играться с технологией это ни к чему существенному не привело. Стал копаться в выходных файлах SDEVICE обнаружил что туннелирования через p-n-переход нет(( Подскажите пожалуйста как включить модели туннелирования в SDEVICE ? Читал в мануале про Band2Band туннелирование, там необходимо обозначить регионы или материалы через которые собственно и происходит туннелирование, но как их задать напрямую в SPROCESS так и не понял.

И сразу еще один вопрос спрошу) Как после SPROCESS'а включить NOFFSET3D чтобы на выходе ноффсета была не только сетка но и показывалось легирование структуры? Заранее спасибо.

 

может это?

 

Physics(MaterialInterface="<mat1>/<mat2>") { Recombination(eBarrierTunneling(nonlocal)) }

 

Math(MaterialInterface="<mat1>/<mat2>") { NonLocal(Length=1e-6) }

Share this post


Link to post
Share on other sites
может это?

 

Physics(MaterialInterface="<mat1>/<mat2>") { Recombination(eBarrierTunneling(nonlocal)) }

 

Math(MaterialInterface="<mat1>/<mat2>") { NonLocal(Length=1e-6) }

 

 

хм а вот в мат часть я ничего не добавлял. попробую, спасибо за совет. только сразу вопрос)

я так понял тут задается туннелирование через два материала например Оксид/Кремний а как быть если материал один, тоесть в кремнии необходимо увидеть

туннелирование между n++ областью стабилитрона и p+ карманом?

Share this post


Link to post
Share on other sites

Physics(Material="<mat>") { Recombination(eBarrierTunneling(nonlocal)) } попробуй

Share this post


Link to post
Share on other sites

вот привожу командник. мож так проще будет понять че не так)

 

 

* --- Defining Electrodes

 

Electrode {

 

 

{ Name="Gate" Voltage=0 AreaFactor=250 }

{ Name="Source" Voltage=0 AreaFactor=250 }

{ Name="Drain" Voltage=0 AreaFactor=250 }

{ Name="Substrate" Voltage=0 AreaFactor=250 }

 

}

File {

 

* --- Defining Input Files

 

Grid = "@tdr@"

Doping = "@tdr@"

 

* --- Defining Output Files

 

Plot = "@dat@"

Current = "@plot@"

}

 

* --- Defining Physical Models

 

 

Physics ( Material="Silicon" ) {

 

EffectiveIntrinsicDensity (OldSlotboom)

Mobility (DopingDep HighFieldSaturation Enormal)

Recombination (SRH (DopingDep) Auger Avalanche (Eparallel)

eBarrierTunneling(nonlocal) hBarrierTunneling(nonlocal)

eBarrierTunneling(Band2Band TwoBand) hBarrierTunneling(Band2Band TwoBand)

Fermi

)

 

}

 

* --- Plot Section (Tecplot SV)

 

Plot {

eDensity hDensity

eCurrent hCurrent

ElectricField

eQuasiFermi hQuasiFermi

Potential Doping SpaceCharge

SRH Auger

eMobility hMobility

DonorConcentration AcceptorConcentration

Doping

eVelocity hVelocity

eEparal hEparal eTemperature

Bandgap Auger

eDirectTunneling

eBarrierTunneling

hBarrierTunneling

eQuantumPotential

qcBandGapShift

Band2BandTunneling

AvalancheGeneration RadiativeRecombination

eAvalanche hAvalanche

ConductBandEnergy ValenceBandEnergy

}

 

* --- Math Section

 

Math ( Material="Silicon" ){

NonLocal(Length=20e-6)

Extrapolate

Derivatives

RelErrControl

Avalderivatives

Digits=5

Notdamped=50

Iterations=30

 

 

Directcurrent

ErRef(hole)=1e10

ErRef(electron)=1e10

}

 

* --- Solve Section

 

Solve {

 

Coupled (Iterations=3000 LineSearchDamping=1e-4)

{ Poisson Electron Hole }

 

 

Quasistationary ( InitialStep=0.001 MaxStep=0.005 Minstep=1e-10

Goal { Name="Gate" Voltage=15 } )

{ Coupled { Poisson Electron Hole } }

}

Share this post


Link to post
Share on other sites

Все с туннелированием разобрался. Необходимо было просто прописать в Physics строчку Band2Band ... как всегда все гениальное просто, не знаю как я раньше до этого не додумался))

спасибо за советы

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now
Sign in to follow this