Jump to content

    

Recommended Posts

Всем добрый день!

 

Встретились с проблемой: devise при запуске через Х-терминал (пробовали XWin 9.1 и Exceed 3D) выдает ошибку

 

HOOPS STACK -- Compute_Coordinates

HOOPS STACK -- Compute_Transform

HOOPS Error -- The device for '/driver/opengl/:0.0+0/scene' doesn't seem to be alive

 

При движении мышью на окне devise в терминале выдается это сообщение, все висит.

При запуске локально все работает. Операционная система - RedHat Ent 4

 

Кто-нибудь сталкивался с подобной проблемой, как решить?

 

Спасибо.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Всем добрый день!

 

Встретились с проблемой: devise при запуске через Х-терминал (пробовали XWin 9.1 и Exceed 3D) выдает ошибку

 

HOOPS STACK -- Compute_Coordinates

HOOPS STACK -- Compute_Transform

HOOPS Error -- The device for '/driver/opengl/:0.0+0/scene' doesn't seem to be alive

 

При движении мышью на окне devise в терминале выдается это сообщение, все висит.

При запуске локально все работает. Операционная система - RedHat Ent 4

 

Кто-нибудь сталкивался с подобной проблемой, как решить?

 

Спасибо.

 

 

Да сталкивался - пропиши в .Bashrc (свой файл в home директории) export HOOPS_PICTURE=<твой IP>:0.0

 

- то же самое как переменная DISPLAY - если есть вопросы пиши еще в эту ветку отвечу поподробнее

Share this post


Link to post
Share on other sites

Планирую установить ISE TCAD 10 под Linux-ом. Опыт работы с данной ОС отсутствует полностью. Порекомендуйте, кто уже работает на такой платформе, какой дистрибутив Linux наиболее оптимален и где его можно скачать? .... Можно ли установить ISE TCAD на винт или флешку с ОС Knoppix (версию не помню). Заранее, спасибо.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Планирую установить ISE TCAD 10 под Linux-ом. Опыт работы с данной ОС отсутствует полностью. Порекомендуйте, кто уже работает на такой платформе, какой дистрибутив Linux наиболее оптимален и где его можно скачать? .... Можно ли установить ISE TCAD на винт или флешку с ОС Knoppix (версию не помню). Заранее, спасибо.

Официально поддерживается Red Hat Enterprise 3. Но это коммерческий дистрибутив и совсем не новый.

А так можно ставить практически на любой линукс, например, openSuse http://ru.opensuse.org

Насчет флешки не знаю, не задавался таким вопросом. Непонятно зачем, типа мой TCAD всегда со мной :)

Share this post


Link to post
Share on other sites
Официально поддерживается Red Hat Enterprise 3. Но это коммерческий дистрибутив и совсем не новый.

А так можно ставить практически на любой линукс, например, openSuse http://ru.opensuse.org

Насчет флешки не знаю, не задавался таким вопросом. Непонятно зачем, типа мой TCAD всегда со мной :)

Вопрос про TCAD на флешке скорее любопытство. Вдруг кто-нибудь пробовал) Так сказать технический аспект совместимости Knoppix и TCAD на флешке :)

Вы сказали, что практически любой линукс сгодится, нашел у знакомого Fedora Core2. Именно этот дистрибутив и попробую. Надеюсь, проблем не будет.

Есть вопросы по возможностям и использованию ISE TCAD. Фактически, кремниевая технология БИС и СБИС интересует мало, так сказать чисто научный и теоретический интерес. Фактический круг интересов имеющий возможность практического подтверждения это материалы A3B5. В первую очередь GaAs, InP и гетероструктуры на их основе. Приборная реализация - транзисторы и малошумящие усилители СВЧ. Как мне представляется на данный момент данные материалы поддерживаются на уровне построения профиля структуры активного элемента, топологии и дальнейшего расчета статических, динамических и СВЧ характеристик прибора с дальнейшей возможностью экстракции параметров модели активного элемента, по крайней мере SPICE. В связи с этим есть следующие вопросы:

1) Возможен ли импорт/экспорт топологии в GDS формате. Интересует возможность использования в TCAD-е слоевых прорисовок, созданных в Microwave Office. Понимаю, что вопрос специфический, но вдруг сталкивались с чем-то подобным.

2) Возможно ли использование средств Ligament и Dios применительно к технологиям MESFET и pHEMT? Как частные случаи, ионное легирования в GaAs - построение профилей распределения примесей, описание эпитаксиального роста при формировании гетероструктур, анизотропия жидкостного и сухого травления арсенида галлия и других A3B5. Напрямую, указания на такую возможность я ни в одном источнике не нашел ((( Может быть есть иная возможность.... например, через пользовательские библиотеки? (хотя даже на вскидку их создание представляется практически неподъемной задачей).

3) расчет S параметров устройства возможен. в какой частотной полосе?

4) можно ли моделировать такой параметр как минимальный коэффициент шума транзистора (NFmin)? Фактически, меняем топологию и слоевую конфигурацию - смотрим как изменяются шумы?

5) с какими моделями транзистора (линейными, нелинейными) можно работать в TCAD-е? Интересует применительно к экстракции параметров этих моделей по результата моделирования. С точки зрения интеграции с СВЧ CAD-ами интересуют модели TOM, FETN, Materka, Angelov.

6) поддерживается ли в ISE TCAD расчет тепловых полей для приборов, реализованных на материалах A3B5? Все тот же GaAs или GaN.

7) и вроде бы из насущно интересующего последний вопрос. Если все, что написал в ISE TCAD не реализуемо и не поддерживается, то есть ли другие CAD-ы или отдельные программы, решающие какие-либо частные задачи?

Заранее спасибо за любую полезную информацию.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Импорт файлов из GDSII поддерживается (насчет поддержки иерархии не уверен).

Насчет СВЧ опыта не имею, я с КМОП работаю. Но судя по описанию A3B5 поддерживается, в том числе и при моделировании электрики. Экстракция транзисторов - BSIM3, BSIM4, BSIMSOI, BJT Gummel–Poon.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Импорт файлов из GDSII поддерживается (насчет поддержки иерархии не уверен).

Насчет СВЧ опыта не имею, я с КМОП работаю. Но судя по описанию A3B5 поддерживается, в том числе и при моделировании электрики. Экстракция транзисторов - BSIM3, BSIM4, BSIMSOI, BJT Gummel–Poon.

спасибо за ответ. попробую, что получится. будут вопросы, напишу))). отпишусь и о любых результатах. правда, думаю, что быстро не получится. указанные модели - в значительной степени физические, даже если попробовать приспособить их к GaAs pHEMT - ,будет круто!!! ))) что получится - сообщу! ... боюсь, что при настройке могут возникнуть вопросы, буду спрашивать, если что. С уважением, Strelok!!! до связи)))

Share this post


Link to post
Share on other sites

C 10-ой версией не вышло. В состав дистрибутива входят три диска. у меня только CD1. Буду пробовать с 7-ой. В связи с этим вопрос. Можно ли описать топологию транзистора и профиль структуры без описания технологии и используя dessis расчитать СВЧ параметры? Исходный материал - арсенид галлия. И вобще СВЧ-электронщики или ростовики пользуются TCAD-ом?)

Share this post


Link to post
Share on other sites

Описание в Mdraw это хорошо. Но мне еще очень важна топология транзистора, поскольку она существенным образом может повлиять на параметры прибора. Единичная ширина затвора, гребенка или просто Т-образная структура затвора. Ширина пальца стока и истока, размеры контактных площадок и т.д. Все эти геометрические характеристики по совокупности могут существенно повлиять на параметры прибора на высоких частотах (более 18 ГГц).

 

Для мощных приборов это еще важнее.

 

Если можно описать топологию и структуру, то это оченьхорошо. как мэш моделирует 3D ? профиль поняино, а что такое, то есть как задается третье измерение?

Share this post


Link to post
Share on other sites

+ :) Эт понятно, что координатами) я имел в виду, что отобразив в MDRAW структуру транзистора, как задать ширину затвора? а если можно, то вобще привязаться к конкретной топологии? В этой же теме описано, как это делается в лигаменте: топология по слоям, затем сечение, описание техпроцесса и дальнейшее моделирование в дессисе. а вот как поступить без техпроцесса? (речь идет о моделировании GaAs FET)

Share this post


Link to post
Share on other sites

Здравствуйте, уважаемые участники форума!

 

Не ответит ли кто-нибудь на следующие мои вопросы:

1) Можно ли в Диосе проводить двустороннее легирование (например, и сверху, и снизу)? И как это запрограммировать в lig.com?

2) Допустим, я в Mdraw подготовил описания нескольких приборов. Например, два-три диода которые почти полностью идентичны (вплоть до профилей легирования), но отличаются по толщине кремния (в Mdraw это прямоугольнички с разными длинами, но одинаковой шириной). Можно ли в Genesis-е сделать поток, который автоматизировал бы процесс расчета ВАХ всех сразу этих диодов и как это сделать? С чего нужно начать поток (с Mdraw или Dessis) и куда лепить параметры (и, кстати, какие)?

 

Опыта работы никакого. Изучаю Tcad 7.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Взялся за освоение ISE TCAD 7.0 с нуля. Первую задачу для себя выбрал построение семейства ВАХ для полевого транзистора с барьером Шоттки на арсениде галлия (ПТШ). В качестве основы выбрал пример Example_Library/GettingStarted/Dessis/advanced_Id-Vd . Описал в MDRAW cтруктуру ПТШ с указанием контактов, задал профили легирования и сетку. Немного изменил командный файл des.cmd , отключив лишнее, то же самое проделал с ins.cmd. Проект выполняется без ошибок, но вот отоброжаемое в inspect семейство ВАХ, я понять не могу. Меню полярность на затворе (из любопытства) тоже не то. Проект прилагаю. Кто разбирается, посмотрите, пжлста. Где я ошибаюсь? У самого глаза уже замылены и ошибки не вижу (((

1.ZIP

Share this post


Link to post
Share on other sites
Здравствуйте, уважаемые участники форума!

 

Не ответит ли кто-нибудь на следующие мои вопросы:

1) Можно ли в Диосе проводить двустороннее легирование (например, и сверху, и снизу)? И как это запрограммировать в lig.com?

В DIOS нет возможности сделать имплантацию с обратной стороны.

Беда небольшая, моделируется верхняя часть, а потом в .CMD добавляются аналитические профили, структура еще раз прогоняется через MESH и можно считать в DESSIS

Share this post


Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

Sign in to follow this