Jump to content

    

Recommended Posts

Проблема запуска mdraw в связке Cygwin + TCAD под XP.

post-6491-1317132674_thumb.png

Данная проблема поднималась уже в этой ветке passat'ом год назад

http://electronix.ru/forum/index.php?act=f...&pid=743390

но ответа тут в теме так и не последовало...

Может кто подскажет сейчас?

Edited by Kadzak

Share this post


Link to post
Share on other sites

Добрый день. Есть следующая проблема.

Поставлена задача рассчитать пробивное напряжение диода N-карман в P-кармане. Также присутствуют поликремниевые кольца. Какими методами можно рассчитать пробой?

Пробовали считать ионизационным интегралом, получили некоторые результаты, но насколько адекватны они?

Также пробовали рассчитать пробой с помощью внешнего резистора, однако метод подбора номинала резистора, описанный в мануале, не получается, иногда получается рассчёт, но чаще происходит обрыв рассчёта. Данная проблема касается не только диода, но и при расчете других приборов.

Заранее спасибо.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Доброго времени суток. При выращивании структуры с помощью sprocess сталкиваюсь со следующей ошибкой после генерации SnMesh: invalid face. Что-то нигде не могу найти что это значит, менял несколько раз шаг сетки, заданной с помощью refinebox - не помогло. Не сталкивались с этим? Заранее благодарен.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Здравствуйте.

Только начинаю изучать TCAD (10 версия), столкнулся со следующим вопросом. Создаю новую папку, создаю новый проект. Теперь хочу его сохранить, выдает:

"C:/DATAFILES/MYISEDATA/... Not a valid GENESISe project directory"

При этом если я беру проект Tutorial он сохраняется без проблем. Немогу понять чем они отличаются и как сохранить чистый проект.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Прошу прощения за поднятие некротемы, но появился вопрос, на который сам ответить не могу:

 

Есть ли в ISE TCAD, во floops'e возможность вывода поверхностного сопротивления в процессе моделирования?

 

Поясню, в последних версиях Synopsys TCAD есть команда SheetResistance, которая в ходе выполнения показывает в логах глубину залегания перехода (Xj)

и поверхностное сопротивление (Rs). В мануале к старенькому ISE floops ничего похожего найти не смог, может не там ищу? Подскажите, буду благодарен.

 

P.S. ISE версии 10.0

Share this post


Link to post
Share on other sites

Добрый день. ищу примеры проектов TCAD с оф.сайта поддержки sso.synopsys.com/

может есть у кого?

или доступ туда... у нас, поддержка закончилась, а нового ничего не покупали:( а сейчас возникла острая необходимость разобраться с одним вопросом

Share this post


Link to post
Share on other sites
у нас, поддержка закончилась, а нового ничего не покупали:( а сейчас возникла острая необходимость разобраться с одним вопросом

Если закончилась только поддержка, а лицензия perpetual, то доступ к SolvNet должен быть.

В противном же случае, закончилась не только поддержка, но и действие лицензии, соответственно, легально использовать тулы всё равно нельзя.

 

Кстати, примеров в составе дистрибутива мало?

Share this post


Link to post
Share on other sites

Доброго вемени суток!

Работю в ATLAS Silvaco. При попытке extract распределения заряда по телу диода выдает ошибку error filling internal structure. Может кто встречался? А то не могу понять что не так. Заранее благодарен.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Проблема запуска mdraw в связке Cygwin + TCAD под XP.

post-6491-1317132674_thumb.png

Данная проблема поднималась уже в этой ветке passat'ом год назад

http://electronix.ru/forum/index.php?act=f...&pid=743390

но ответа тут в теме так и не последовало...

Может кто подскажет сейчас?

И вот спустя 4 года прошу, пожалуйста, ответьте уже на этот вопрос.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Можно ли в TCAD моделировать деградацию, например, биполярного транзистора вследствие диффузионного расплывания легирующих примесей? То есть, можно ли в TCAD сделать следующее-нарисовать структуру транзистора, задать уровни легирования и прочее, а затем загнать на моделирование в заданных электрическом и температурном режиме и посмотреть, как истончается база, расплываются переходы (а также как видоизменяется зонная диаграмма), как меняются вольт-амперные характеристики прибора? Я понимаю, что диффузия даже при +125 идет гораздо медленнее, чем при выращивании структуры, но она идет. Можно ли в TCAD смоделировать ее влияние. Я с этим пакетом раньше не работал, вот и хочу понять, умеет ли он моделировать деградационные процессы в полупроводниковых приборах, в том числе и за счет диффузии.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Можно ли в TCAD моделировать деградацию ...

 

Наверное, как-то можно, хотя сам не пробовал.

По запросу "transistor degradation tcad" вроде-бы много ссылок, но в основном про влияние облучения и горячих носителей.

И еще - где-то осенью (?) прошли подобные вебинары по деградации структур (в Silvaco). Можно там посмотреть.

А вообще-то, ведь в TCAD моделируются техпроцессы, в том числе, диффузия.

И, получается, можно промоделировать исходную структуру, потом промоделировать структуру с "размытыми" слоями и сравнить результаты.

 

 

Share this post


Link to post
Share on other sites

Вопрос по mdraw.exe. (ISE TCAD 10, windows xp)

 

При запуске вываливает ошибка:

 

starting mdraw ....> # ISE TCAD Software Release 10.0
> # Version Mdraw 10.0.5
> # Version Mesh 10.0.5
> # Compiled Tue Aug 31 17:14:08  2004 on TERM101
> # Copyright (c) 1994-2004 ISE Integrated Systems Engineering AG
..Warning: I18NOpenFile: Could not open file dialogs.uid - MrmNOT_FOUND

Please install the .uid files for this program.
Contact your local system administrator to have them correctly installed

 

Может кто подскажет что править?

Share this post


Link to post
Share on other sites
Всем привет!

Народ, как вам идея по созданию сайта с разного рода разработками по ТКАДу, переводом документации, примерами и др. материалами на русском? ... ИМХО по этой темой у нас мало народа занимается. И весьма трудно новичкам читать по-английски. ... Поэтому если желание есть может как-то скооперируемся и создадим сайт?

... В общем кто хочет участвовать - пишите!

Замечательная идея!

Если мне придётся участвовать, то в роли первопроходца, который по ходу освоения TCAD описывает основные шаги и встречающиеся трудности. Есть опыт написания книг по освоению прикладного ПО и созданию сайтов. А также опыт по работе в реальной микроэлектронике (разработка технологии ЛИС). В учебных материалах важен логичный и системный подход. На первых этапах, наоборот, практически неизбежно происходит слепое и хаотичное метание.

Пока дошёл только до 7-й страницы темы "tcad начало". Досмотрю все 12 страниц - отвечу подробнее.

 

Можно ли в TCAD моделировать деградацию, например, биполярного транзистора вследствие диффузионного расплывания легирующих примесей? То есть, можно ли в TCAD сделать следующее-нарисовать структуру транзистора, задать уровни легирования и прочее, а затем загнать на моделирование в заданных электрическом и температурном режиме и посмотреть, как истончается база, расплываются переходы (а также как видоизменяется зонная диаграмма), как меняются вольт-амперные характеристики прибора? Я понимаю, что диффузия даже при +125 идет гораздо медленнее, чем при выращивании структуры, но она идет. Можно ли в TCAD смоделировать ее влияние. Я с этим пакетом раньше не работал, вот и хочу понять, умеет ли он моделировать деградационные процессы в полупроводниковых приборах, в том числе и за счет диффузии.

Процитировал всё сообщение, чтобы пояснить, что при 125°С сдвинуть p-n переходы уже практически невозможно, они формируются при гораздо более высоких температурах. Кстати, температура 125°С не случайно выбрана для проведения электро-термо-тренировки (ЭТТ) на 100% образцов ответственных изделий (в процедуре т.н. военной приёмки). ЭТТ продолжается 168 часов (7 суток). За первые несколько суток отказывают потенциально ненадёжные образцы, дальше всё идёт гладко и отказов не должно наблюдаться. Если же таковые имеются, то необходимо останавливать приёмку и срочно разбираться с причинами. После ЭТТ не отказавшие приборы полностью пригодны для дальнейшего использования без снижения ресурса надёжности. При 125°С в основном перераспределяются заряды в полупроводнике и диэлектриках, ионы быстро диффундирующих примесей (в народе именуемые "грязь") затягиваются электрическими полями в область p-n переходов, ухудшая их характеристики (утечки, пробивные напряжения, коэффициенты усиления, пороговые напряжения и т.д.). При 125°С ещё не происходит ускоренной деградации полупроводниковых приборов. Это наблюдается при длительной выдержке при 140-150°С - материалы могут вступать в химические реакции, образуя соединения, не свойственные исходным структурам и не предусмотренные в них. Может ли TCAD моделировать подобные процессы? Возможно для этого существует какая-то его особо специализированная версия. Это не простое направление, оно относится к вопросам надёжности. TCAD может моделировать облучение электронами (или даже гамма-квантами от источника Co-60) а также альфа-частицами. Нейтроны формально относятся к военному применению, поэтому в учебных пакетах их не должно быть. На этом приходится прервать, так как тема неисчерпаема...

Share this post


Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

Sign in to follow this