Jump to content

    

Recommended Posts

у меня вопрос по сеткам,насколько я знаю, в tcad'е очень важна расчётная сетка, она не должна быть слишком крупной,и слишком мелкой.

а посему вопрос по какому принципу вы строите расчетные сетки для приборного моделирования? :cranky:

 

я использую refinebox . Задаю основную сетку достаточно крупной, например 1.5 мкм а затем через refinebox в областях истоков-стоков например делаю сетку 0.3 мкм а под затвором 0.1, ну или мельче, если позволяют ресурсы сервера =) На мой взгляд это очень удобно, так как там где не надо мелкую сетку она будет грубой, а там где надо мелкой.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Выложил файлы проекта. Можно прогнать не всю технологию а хотя бы одну операцию

А почему я вижу внутри файла формат diosа.

Вы diosом моделируете или floopsом?

Share this post


Link to post
Share on other sites
В floops_lig_cmd ? Написал его в лигамент флоу

К сожалению оттранслировать в команды флоопса не могу ибо "3D pattern not yet implemented"

Диос даже трогал

 

у тебя в созданном проекте,в лигаменте, для большинства типов травления указано "speific" при последущей трансляции выходной командник для диоса не содержит никакой информации об этом травлении(кроме материала),можешь сделать по-хитрому, перевести в командник для диоса и выложить его?

Share this post


Link to post
Share on other sites

Да вроде каждое травление описано у меня как анизотропное, не совсем соответствует реальности, но для первого приближения сойдет. Перевел, выложил.

Господа, а кто нибудь моделировал технологическое создание 3D структуры размером так 60х60 микрон с разгонками по 10 часов. Не могли бы вы оценить время этого действия с точность до порядка (процессор P4 3.2GHz)

Dios.txt

Share this post


Link to post
Share on other sites

проблема с масками решается вставками кода вручную и в мануале 2007года об этом записи есть. кто-нибудь знает, от каких настроек mgoals зависит вышибет ли из процесса симуляции или досчитает до конца? Пока с этим полный рандом и логика floops(sprocess) непонятна.

Edited by Тинкс

Share this post


Link to post
Share on other sites
проблема с масками решается вставками кода вручную и в мануале 2007года об этом записи есть. кто-нибудь знает, от каких настроек mgoals зависит вышибет ли из процесса симуляции или досчитает до конца? Пока с этим полный рандом и логика floops(sprocess) непонятна.

 

mgoals определяет стратегию формирования сетки, следовательно чем меньше там параметры тем мельче будет сетка и больше вычисленний прийдется делать процессору, больше необходимо оперативной памяти. Поэтому угадать заранее невозможно, все зависит от возможностей вашего сервера, если вылетает значит надо сделать крупнее сетку, увеличить шаг уменьшения сетки, уменьшить точность, вобщем сделать все чтобы снизить число решаемых уравнений.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Ну по своему опыту Internal error появлялся на более слабых машинах при одной и той же версии тикада. На процессорах целерон так чуть ли не через раз. Думаю тут дело в оптимизации работы тикада под определенное железо, в вашем случае помогла установка более новой версии программы. У меня эта ошибка появлялась даже на core e7200 при разгоне до 3.6 ГГц, убрал разгон и ошибка исчезла. На повышенных частотах процессор чаще "делает ошибки" =)

Share this post


Link to post
Share on other sites

Здравствуйте.

У кого-нибудь есть опыт моделирования pHEMT в Sentaurus TCAD? Подскажите, пожалуйста, какие физические модели обязательно надо использовать?

И какой вариант структуры pHEMT для моделирования лучше выбрать: 1) как в реальности, когда омические контакты сверху, или 2) оставить только область транзистора между омическими, а сами омические расположить по краям структуры (т.е. сделать контакт напрямую к каналу)?

Share this post


Link to post
Share on other sites

Как решить проблему с Newton didn't converge, попробуйте с более мелким шагом?

Собственно сама схема:

System {

Vsource_pset V1 (n1 0) {dc = 1800}

Isource_pset I1 (0 n4) {pwl = (0 0 1e-6 1 11e-6 1 12e-6 0 13e-6 0) }

Resistor_pset R1 (n2 n33) {resistance = 10}

Capacitor_pset C1 (n33 0) {capacitance = 0.25e-6}

Set (n33 = 1800)

Inductor_pset L (n1 n2) {inductance = 20e-6}

Thyristor Vs ("cathode" = 0 "anode" = n2 "gate" = n4)

}

 

И решалка:

Solve {

 

Coupled { Poisson }

Transient (

InitialTime=0e-6 FinalTime=13e-6

InitialStep=1e-9 MaxStep=5e-7 MinStep=1e-14

Increment=1.5

Decrement=2.5

)

{ Coupled (Iterations=20) { Poisson Electron Hole Circuit Contact Temperature }

}

}

И как можно время моделирования уменьшить, T-CAD 10, не вставляет ни разу по дню ждать на моделирование 14 мкс.

Edited by passat

Share this post


Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

Sign in to follow this