andrusha 0 8 октября, 2008 Опубликовано 8 октября, 2008 · Жалоба Всем добрый день! Встретились с проблемой: devise при запуске через Х-терминал (пробовали XWin 9.1 и Exceed 3D) выдает ошибку HOOPS STACK -- Compute_Coordinates HOOPS STACK -- Compute_Transform HOOPS Error -- The device for '/driver/opengl/:0.0+0/scene' doesn't seem to be alive При движении мышью на окне devise в терминале выдается это сообщение, все висит. При запуске локально все работает. Операционная система - RedHat Ent 4 Кто-нибудь сталкивался с подобной проблемой, как решить? Спасибо. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Sherminator3 0 2 декабря, 2008 Опубликовано 2 декабря, 2008 · Жалоба Всем добрый день! Встретились с проблемой: devise при запуске через Х-терминал (пробовали XWin 9.1 и Exceed 3D) выдает ошибку HOOPS STACK -- Compute_Coordinates HOOPS STACK -- Compute_Transform HOOPS Error -- The device for '/driver/opengl/:0.0+0/scene' doesn't seem to be alive При движении мышью на окне devise в терминале выдается это сообщение, все висит. При запуске локально все работает. Операционная система - RedHat Ent 4 Кто-нибудь сталкивался с подобной проблемой, как решить? Спасибо. Да сталкивался - пропиши в .Bashrc (свой файл в home директории) export HOOPS_PICTURE=<твой IP>:0.0 - то же самое как переменная DISPLAY - если есть вопросы пиши еще в эту ветку отвечу поподробнее Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
strelok.nov 0 2 декабря, 2008 Опубликовано 2 декабря, 2008 · Жалоба Планирую установить ISE TCAD 10 под Linux-ом. Опыт работы с данной ОС отсутствует полностью. Порекомендуйте, кто уже работает на такой платформе, какой дистрибутив Linux наиболее оптимален и где его можно скачать? .... Можно ли установить ISE TCAD на винт или флешку с ОС Knoppix (версию не помню). Заранее, спасибо. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
psygash 0 3 декабря, 2008 Опубликовано 3 декабря, 2008 · Жалоба Планирую установить ISE TCAD 10 под Linux-ом. Опыт работы с данной ОС отсутствует полностью. Порекомендуйте, кто уже работает на такой платформе, какой дистрибутив Linux наиболее оптимален и где его можно скачать? .... Можно ли установить ISE TCAD на винт или флешку с ОС Knoppix (версию не помню). Заранее, спасибо. Официально поддерживается Red Hat Enterprise 3. Но это коммерческий дистрибутив и совсем не новый. А так можно ставить практически на любой линукс, например, openSuse http://ru.opensuse.org Насчет флешки не знаю, не задавался таким вопросом. Непонятно зачем, типа мой TCAD всегда со мной :) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
strelok.nov 0 3 декабря, 2008 Опубликовано 3 декабря, 2008 · Жалоба Официально поддерживается Red Hat Enterprise 3. Но это коммерческий дистрибутив и совсем не новый. А так можно ставить практически на любой линукс, например, openSuse http://ru.opensuse.org Насчет флешки не знаю, не задавался таким вопросом. Непонятно зачем, типа мой TCAD всегда со мной :) Вопрос про TCAD на флешке скорее любопытство. Вдруг кто-нибудь пробовал) Так сказать технический аспект совместимости Knoppix и TCAD на флешке :) Вы сказали, что практически любой линукс сгодится, нашел у знакомого Fedora Core2. Именно этот дистрибутив и попробую. Надеюсь, проблем не будет. Есть вопросы по возможностям и использованию ISE TCAD. Фактически, кремниевая технология БИС и СБИС интересует мало, так сказать чисто научный и теоретический интерес. Фактический круг интересов имеющий возможность практического подтверждения это материалы A3B5. В первую очередь GaAs, InP и гетероструктуры на их основе. Приборная реализация - транзисторы и малошумящие усилители СВЧ. Как мне представляется на данный момент данные материалы поддерживаются на уровне построения профиля структуры активного элемента, топологии и дальнейшего расчета статических, динамических и СВЧ характеристик прибора с дальнейшей возможностью экстракции параметров модели активного элемента, по крайней мере SPICE. В связи с этим есть следующие вопросы: 1) Возможен ли импорт/экспорт топологии в GDS формате. Интересует возможность использования в TCAD-е слоевых прорисовок, созданных в Microwave Office. Понимаю, что вопрос специфический, но вдруг сталкивались с чем-то подобным. 2) Возможно ли использование средств Ligament и Dios применительно к технологиям MESFET и pHEMT? Как частные случаи, ионное легирования в GaAs - построение профилей распределения примесей, описание эпитаксиального роста при формировании гетероструктур, анизотропия жидкостного и сухого травления арсенида галлия и других A3B5. Напрямую, указания на такую возможность я ни в одном источнике не нашел ((( Может быть есть иная возможность.... например, через пользовательские библиотеки? (хотя даже на вскидку их создание представляется практически неподъемной задачей). 3) расчет S параметров устройства возможен. в какой частотной полосе? 4) можно ли моделировать такой параметр как минимальный коэффициент шума транзистора (NFmin)? Фактически, меняем топологию и слоевую конфигурацию - смотрим как изменяются шумы? 5) с какими моделями транзистора (линейными, нелинейными) можно работать в TCAD-е? Интересует применительно к экстракции параметров этих моделей по результата моделирования. С точки зрения интеграции с СВЧ CAD-ами интересуют модели TOM, FETN, Materka, Angelov. 6) поддерживается ли в ISE TCAD расчет тепловых полей для приборов, реализованных на материалах A3B5? Все тот же GaAs или GaN. 7) и вроде бы из насущно интересующего последний вопрос. Если все, что написал в ISE TCAD не реализуемо и не поддерживается, то есть ли другие CAD-ы или отдельные программы, решающие какие-либо частные задачи? Заранее спасибо за любую полезную информацию. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
psygash 0 4 декабря, 2008 Опубликовано 4 декабря, 2008 · Жалоба Импорт файлов из GDSII поддерживается (насчет поддержки иерархии не уверен). Насчет СВЧ опыта не имею, я с КМОП работаю. Но судя по описанию A3B5 поддерживается, в том числе и при моделировании электрики. Экстракция транзисторов - BSIM3, BSIM4, BSIMSOI, BJT Gummel–Poon. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
strelok.nov 0 5 декабря, 2008 Опубликовано 5 декабря, 2008 · Жалоба Импорт файлов из GDSII поддерживается (насчет поддержки иерархии не уверен). Насчет СВЧ опыта не имею, я с КМОП работаю. Но судя по описанию A3B5 поддерживается, в том числе и при моделировании электрики. Экстракция транзисторов - BSIM3, BSIM4, BSIMSOI, BJT Gummel–Poon. спасибо за ответ. попробую, что получится. будут вопросы, напишу))). отпишусь и о любых результатах. правда, думаю, что быстро не получится. указанные модели - в значительной степени физические, даже если попробовать приспособить их к GaAs pHEMT - ,будет круто!!! ))) что получится - сообщу! ... боюсь, что при настройке могут возникнуть вопросы, буду спрашивать, если что. С уважением, Strelok!!! до связи))) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
strelok.nov 0 11 декабря, 2008 Опубликовано 11 декабря, 2008 · Жалоба C 10-ой версией не вышло. В состав дистрибутива входят три диска. у меня только CD1. Буду пробовать с 7-ой. В связи с этим вопрос. Можно ли описать топологию транзистора и профиль структуры без описания технологии и используя dessis расчитать СВЧ параметры? Исходный материал - арсенид галлия. И вобще СВЧ-электронщики или ростовики пользуются TCAD-ом?) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
psygash 0 11 декабря, 2008 Опубликовано 11 декабря, 2008 · Жалоба Можно описать профиль транзистора и без моделирования технологии - в MDRAW (2D) или в MESH (3D). Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
strelok.nov 0 11 декабря, 2008 Опубликовано 11 декабря, 2008 · Жалоба Описание в Mdraw это хорошо. Но мне еще очень важна топология транзистора, поскольку она существенным образом может повлиять на параметры прибора. Единичная ширина затвора, гребенка или просто Т-образная структура затвора. Ширина пальца стока и истока, размеры контактных площадок и т.д. Все эти геометрические характеристики по совокупности могут существенно повлиять на параметры прибора на высоких частотах (более 18 ГГц). Для мощных приборов это еще важнее. Если можно описать топологию и структуру, то это оченьхорошо. как мэш моделирует 3D ? профиль поняино, а что такое, то есть как задается третье измерение? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
psygash 0 16 декабря, 2008 Опубликовано 16 декабря, 2008 · Жалоба а что такое, то есть как задается третье измерение? Как и везде - координатами. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
strelok.nov 0 16 декабря, 2008 Опубликовано 16 декабря, 2008 · Жалоба + :) Эт понятно, что координатами) я имел в виду, что отобразив в MDRAW структуру транзистора, как задать ширину затвора? а если можно, то вобще привязаться к конкретной топологии? В этой же теме описано, как это делается в лигаменте: топология по слоям, затем сечение, описание техпроцесса и дальнейшее моделирование в дессисе. а вот как поступить без техпроцесса? (речь идет о моделировании GaAs FET) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
sergeysim1 0 21 января, 2009 Опубликовано 21 января, 2009 · Жалоба Здравствуйте, уважаемые участники форума! Не ответит ли кто-нибудь на следующие мои вопросы: 1) Можно ли в Диосе проводить двустороннее легирование (например, и сверху, и снизу)? И как это запрограммировать в lig.com? 2) Допустим, я в Mdraw подготовил описания нескольких приборов. Например, два-три диода которые почти полностью идентичны (вплоть до профилей легирования), но отличаются по толщине кремния (в Mdraw это прямоугольнички с разными длинами, но одинаковой шириной). Можно ли в Genesis-е сделать поток, который автоматизировал бы процесс расчета ВАХ всех сразу этих диодов и как это сделать? С чего нужно начать поток (с Mdraw или Dessis) и куда лепить параметры (и, кстати, какие)? Опыта работы никакого. Изучаю Tcad 7. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
strelok.nov 0 4 марта, 2009 Опубликовано 4 марта, 2009 · Жалоба Взялся за освоение ISE TCAD 7.0 с нуля. Первую задачу для себя выбрал построение семейства ВАХ для полевого транзистора с барьером Шоттки на арсениде галлия (ПТШ). В качестве основы выбрал пример Example_Library/GettingStarted/Dessis/advanced_Id-Vd . Описал в MDRAW cтруктуру ПТШ с указанием контактов, задал профили легирования и сетку. Немного изменил командный файл des.cmd , отключив лишнее, то же самое проделал с ins.cmd. Проект выполняется без ошибок, но вот отоброжаемое в inspect семейство ВАХ, я понять не могу. Меню полярность на затворе (из любопытства) тоже не то. Проект прилагаю. Кто разбирается, посмотрите, пжлста. Где я ошибаюсь? У самого глаза уже замылены и ошибки не вижу ((( 1.ZIP Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ArizonaWeird 0 7 марта, 2009 Опубликовано 7 марта, 2009 · Жалоба Здравствуйте, уважаемые участники форума! Не ответит ли кто-нибудь на следующие мои вопросы: 1) Можно ли в Диосе проводить двустороннее легирование (например, и сверху, и снизу)? И как это запрограммировать в lig.com? В DIOS нет возможности сделать имплантацию с обратной стороны. Беда небольшая, моделируется верхняя часть, а потом в .CMD добавляются аналитические профили, структура еще раз прогоняется через MESH и можно считать в DESSIS Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
