[Sivent 0]

1D - одномерное моделирование, только по глубине. Полезно когда требуется подогнать режимы диффузии и имплантации для получения требуемого профиля распределения примесей.

3D - соответственно трехмерное моделирование. Из лигамента эту возможность я никогда не использовал. В большинстве случаев, если Вы не работаете с субмикронными процессами или не моделируете датчики, достаточно двухмерного моделирования. 3D не даст существенного выиграша по точности, зато значительно увеличит время расчета.

Что-то я файлов проекта не вижу.

прошу прощения файл не прикрепился размер большой получился у него

в mdraw сохранил контакты под осмысленным именем E1,B1,K1

вид на рисунке1

сохранил коммандный файл

сохранил mesh (он не закрыл окошко сохранения пришлось нажать кнопку dismiss)

после этого закрыл mdraw (запросил сохранить boundary - сохранил)

 

посмотрел лог, dessise запускается перед mdraw хотя он стоит после

 

как мне сформировать командный файл для dessise?

почему dessise запускается перед mdraw?

Изменено 4 октября, 2006 пользователем Sivent

[psygash 0]

Командный файл для dessis должен быть примерно такой:

 

File {

*input files:

Grid="ваш_файл_mdr.grd"

Doping="ваш_файл_mdr.dat"

*output files:

Plot="ваш_файл_des.dat"

Current="ваш_файл_des.plt"

Output="ваш_файл_des.log"

}

Electrode {

{ Name="E1" Voltage=0.0 }

{ Name="B1" Voltage=0.0 Current=0.0}

{ Name="K1" Voltage=2.0 }

}

Physics {AreaFactor=10

Temperature=300

Mobility( DopingDep HighFieldSat Enormal )

EffectiveIntrinsicDensity( BandGapNarrowing(OldSlotboom ))

Recombination( SRH(DopingDep) Auger Avalanche(Eparallel))

}

Plot {

eDensity hDensity eCurrent hCurrent

eQuasiFermi hQuasiFermi

Potential SpaceCharge ElectricField

Doping DonorConcentration AcceptorConcentration

SRHRecombination AvalancheGeneration Auger

eMobility hMobility eVelocity hVelocity

}

Math { Extrapolate

Derivatives

Avalderivatives

Notdamped=50

RelErrControl

NewDiscretization

Iterations=20

Digits=5

}

Solve {

Poisson

Coupled (Digits=5, Iterations=100, Notdamped=100) {Poisson Electron Hole }

Quasistationary

(InitialStep=1.0e-5 MaxStep=0.01 Minstep=1.0e-6

Goal {name="B1" Current=0.01})

{Coupled{Poisson Electron Hole}}

}

Электрические воздействия на электроды для получения ВАХ задаются командой goal, поставите, что Вам нужно.

Физические воздействия (магнитное поле, механические напряжения, свет, температура) задаются в секции Physics.

Насчет порядка запуска - создайте файл для dessis и наверное все станет нормально.

[Sivent 0]

создал des.cmd

при расчете выдает следующюю ошибку что мол не может выделить место для массива (приложил файлы проекта там все есть, убрал из проекта файлы больше 150 кб)

в mdraw контакты (слева на право : первые два не использовать, потом по порядку K1 B1 E1)

 

ещевопрос после того как отработает dessise что надо для вывода графиков? и как сформировать коммандный файл для него? (если можно пример)

 

заранее огромное спасибо за помощь

tr.zip

[psygash 0]

создал des.cmd

при расчете выдает следующюю ошибку что мол не может выделить место для массива (приложил файлы проекта там все есть, убрал из проекта файлы больше 150 кб)

в mdraw контакты (слева на право : первые два не использовать, потом по порядку K1 B1 E1)

 

ещевопрос после того как отработает dessise что надо для вывода графиков? и как сформировать коммандный файл для него? (если можно пример)

 

заранее огромное спасибо за помощь

 

А какой у Вас объем оперативки? 7-й tcad для винды имеет такой баг, что прибольших количествах узлов в сетке dessis вылетает с ошибкой "can not reallocate enough space for array wrk", при этом по мониторингу свободной оперативки еще достаточно. Единственное решение проблемы - уменьшать количество узлов, либо упрощать физические модели. В Вашем проекте упрощать дальше нельзя, т.к. и так используется обычная дрейфо-диффузионная модель, разве что убрать Avalanche и Enormal (Enormal лучше убрать в любом случае, т.к. влияние вертикального поля актуально для МОП-структур, а не для биполярных, я добавил его по привычке т.к. работаю с МОПами). Поэтому для начала уменьшите размер структуры, у Вас ее можно разрезать наполовину (сечением в prolyt) по коллектору без потери точности, тем более 2 из 5-ти контактов все равно не используются. Другой путь - создать в MDRAW области Refiniments и в них указать минимальный и максимальный размер ячеек сетки.

Кстати, в Linux такой проблемы с памятью нет, а если оперативка забита - начинает свапить. Так что этот баг скорее связан с особенностями менеджера памяти винды.

Для вывода вольт-амперных характеристик используеися Inspect. Просто добавте его в проект после dessis и в параметрах укажите запуск в интерактивном режиме. Можно запускать инспект отдельно и открывать файл с расширением .plt (Inspect не требует запуска иксов).

Для вывода пространственных распределлений параметров (тех, что указаны в секции plot {}) можно использовать либо picasso, либо tecplot_ise. В них надо загрузить 2 файла - файл сетки .grd, полученный после MDRAW и файл данных .dat, полученных после DESSIS. В tecplot это делается так: в меню Tools, пункт ISE TCAD Tools. Откроется окно, в нем в меню File, Load DF-ISE, выбрать сначала .grd файл и Add to list, затем выбрать .dat файл и Add to list, после Open files.

[Sivent 0]

А какой у Вас объем оперативки? 7-й tcad для винды имеет такой баг, что прибольших количествах узлов в сетке dessis вылетает с ошибкой "can not reallocate enough space for array wrk", при этом по мониторингу свободной оперативки еще достаточно. Единственное решение проблемы - уменьшать количество узлов, либо упрощать физические модели. В Вашем проекте упрощать дальше нельзя, т.к. и так используется обычная дрейфо-диффузионная модель, разве что убрать Avalanche и Enormal (Enormal лучше убрать в любом случае, т.к. влияние вертикального поля актуально для МОП-структур, а не для биполярных, я добавил его по привычке т.к. работаю с МОПами). Поэтому для начала уменьшите размер структуры, у Вас ее можно разрезать наполовину (сечением в prolyt) по коллектору без потери точности, тем более 2 из 5-ти контактов все равно не используются. Другой путь - создать в MDRAW области Refiniments и в них указать минимальный и максимальный размер ячеек сетки.

Кстати, в Linux такой проблемы с памятью нет, а если оперативка забита - начинает свапить. Так что этот баг скорее связан с особенностями менеджера памяти винды.

запускал проект дома у себя : конфигурация дюрон 700, 384 Мб оперативы, свободной оперативы было около 150 мб , а ошибка выдавалась что нужно 53 мб

также запускал на рабочем компе: P4 3000, 1024 Мб оперативы, свободно было около 700 Мб

 

последовал вашему совету, уменьшил область в prolyt и убрал Enormal

 

dessise перестал выдавать ощибку

но теперь ____________________________________________________________

local% exec "genjob -nice 19 -job 3 @ISEDB@/COPIED_OBJECT_ivan/PROJECT_TR"

Oct 07 11:50:21 job 3 <dessis> started on host '211-4': "dessis pp3_des.cmd"

Oct 07 11:50:43 --- job 3 <dessis> exited abnormally: exit(2)

_____________________________________________________________________

 

как я понял в des.cmd воздействие на электрод K1 от 0 до 3 вольт будет описывать следующей строчкой (причем здесь же задаются минимальный и максимальный шаги)

_____________

(InitialStep=1.0e-3 MaxStep=1 Minstep=1.0e-4

Goal {name="K1" Voltage=3.0})

_____________

 

а начальные условия _______________________

Electrode {

{ Name="E1" Voltage=0.0 }

{ Name="B1" Voltage=0.0 Current=-0.001}

{ Name="K1" Voltage=0.0 }

}

__________________________________________

 

добавил inspect

и на графике увидел что dessise просчитал от -0,1 до 0,1 вольта причем ток был 10000

 

у меня ошибка в структуре или в командном файле? (я так думаю в структуре потомучто ток не может быть так велик)

Изменено 7 октября, 2006 пользователем Sivent

[psygash 0]

А в выходном файле что dessis пишет?

[Sivent 0]

попоробовал сделать резистор и диод все нормально считает

и строит нормальные Вахи

буду теперь белать биполярный транзистор и моп-структуру

дня через 2 напишу что получилось/неполучилось

[Sivent 0]

такой вопрос

можно ли Tcad заставить строить не только вольт-амперные, но и вольт-фарадные и другие типы характеристик.

если можно то как это сделать?

[psygash 0]

такой вопрос

можно ли Tcad заставить строить не только вольт-амперные, но и вольт-фарадные и другие типы характеристик.

если можно то как это сделать?

DESSIS позволяет проводить малосигнальный AC анализ (в mixed-mode) и анализ переходных процессов. В режиме АС можно получить CV характеристики (пример находиться в Example_Library/GettingStarted/Dessis/advanced_AC).

[Sivent 0]

чем больше начинаю понимать, тем все больше мне начинает нравится эта программа

 

уважаемые форумчане

в Tcad уже изначально описаны полупроводниковые свойства различных материалов

но например нет такого полупроводника как ZnS или ZnO

можно ли каким то образом их ввести для создания полупроводниковых приборов на их основе

или эта среда позволяет только создавать п/п приборы на кремнии?

[psygash 0]

В DESSIS можно вносить новые материалы. Библиотека материалов содержиться здесь: $ISEROOT/tcad/$ISERELEASE/lib/dessis/MaterialDB. Там много файлов с названиями типа материал.par: silicon.par, oxide.par и тд. В каждом файле описаны параметры материала. Можно создать свой файл параметров нужного материала и поместить в эту библиотеку. В командном файле использовать секцию физика типа Physics (material="material") {<physics-body>}. Также можно создать файл типа dessis.par в текущей директории и в нем указать ссылки на файлы параметров:

Region = "Region0" { Insert = "Silicon.par" }

Region = "Region1" { Insert = "Oxide.par" }

Region = "Region3" { Insert = "Oxide.par" }

Region = "Region4" { Insert = "Oxide.par" }

Region = "Region5" { Insert = "Oxide.par" }

RegionInterface = "Region1/Region0" { Insert = "Oxide%Silicon.par" }

RegionInterface = "Region4/Region1" { Insert = "Oxide%Oxide.par" }

RegionInterface = "Region3/Region4" { Insert = "Oxide%Oxide.par" }

RegionInterface = "Region5/Region3" { Insert = "Oxide%Oxide.par" }

RegionInterface = "Region5/Region1" { Insert = "Oxide%Oxide.par" }

Electrode = "gate" { Insert = "Electrode.par" }

Electrode = "source" { Insert = "Electrode.par" }

Electrode = "drain" { Insert = "Electrode.par" }

Electrode = "substrate" { Insert = "Electrode.par" }

 

В dios помоему добавлять новые материалы нельзя.

[Sivent 0]

скачал tcad10 под линукс

у меня стоит fedore core 5

распаковал оба архива

и установочным скриптом установил его

а вот что делать дальше не знаю

пробовал запустить generic не получается

[psygash 0]

скачал tcad10 под линукс

у меня стоит fedore core 5

распаковал оба архива

и установочным скриптом установил его

а вот что делать дальше не знаю

пробовал запустить generic не получается

А что пишет то?

Лицензию правильно установили? Или переменные ISEROOT, PATH, ISEDB может быть неправильно установлены (автоматом не устанавливаются)?

[Sivent 0]

с помощью команд данных в логах установки установил себе переменные среды

ISEROOT и PATH

потом

iselm install

в логах lic.log пишет что вроде все хорошо

проходит по всем пунктам лицензии

запускаю generic

и тут он заявляет что ошибка в синтаксисе на 304 строке

что то типа не найден аргумент .....base....

не найдена команда cyg.....

смотрите хелп

пытался разобраться в скрипте

он в принцыпе не должен на 304 строку переходить, так как она должна выполняться только в среде windows, а у меня вроде как линукс установлен

 

после этого он завершается

 

что делать не знаю

помогите я 2 недели качал дистрибутив и вот он не работает :(

ise_error.zip

[psygash 0]

А зачем Вы скрипт generic запускаете?

Попробуйте команды:

$ GENESISe -@diag

$ GENESISe -@ldiag

Что они покажут.