[Zuse 0]

Всем привет!
Есть MOSFET транзистор (отечественный) в документации которого нет графика заряда затвора.
Зато есть графики емкостей Ciss, Crss, Coss и я захотел построить примерный график заряда затвора используя графики емкостей.
Для начала решил взять документацию на похожий иностранный транзистор (IRF2805), рассчитать по графикам емкостей миллеровский заряд и сравнить с паспортным значением.

 

В DS отсутствуют значения для напряжений меньше 1 В, так что я дорисовал графики на глаз, учтя, что при токе 104 А напряжение Vds не может оказаться меньше 0.5 В:

После чего занес значения Crss в таблицу и для каждой пары соседних значений Vds рассчитал приращения заряда по формуле dq = Cavg*dU и полученные значения просуммировал:

Проблема в том, что у меня миллеровский заряд получился примерно 20 нКл, а в DS около 50 нКл.
Вопрос знатокам: где я допустил ошибку?
Буду очень благодарен за подсказку.

[wla 1]

Тема очень занимательная..

1.До Vth строить графики зависимости от тока нет смысла.

2. Полка миллера зависит от тока и напряжения питания.

3.. И прочее Я как то пробовал считать и у меня тоже все получалось меньше.

 

и здесь.

 

[тау 8]

Возможно , Вы не учли, что при заряде затвора по фиг.6  потенциал стока падает ниже затвора, а это тоже заряд, который не учтен ёмкостями в графиках С(Vds)

т.е. Вы экселем посчитали по кривым ёмкостей заряд миллеровской емкости, который характерен для Vgs=0 (это условие графика зависимости емкостей).  Это нечестно.

6 часов назад, Zuse сказал:

я дорисовал графики на глаз, учтя, что при токе 104 А напряжение Vds не может оказаться меньше 0.5 В

...а Vdg вообще переходит в отрицательное значение  при измерении заряда по фиг.6. При этом Crss (Cgd)  растет выше значений, которые показаны на графике емкостей.

Edited March 6 by тау

[Plain 71]

https://www.google.ru/search?q=mosfet+gate+charge+measurement

[Zuse 0]

On 3/6/2023 at 4:54 PM, тау said:

Вы экселем посчитали по кривым ёмкостей заряд миллеровской емкости, который характерен для Vgs=0 (это условие графика зависимости емкостей).  Это нечестно.

Согласен, тоже были сомнения на этот счет, но других то графиков нет - использовал, что есть... Возможно, по графикам емкостей, приведенных в DS, и нельзя построить график заряда затвора.  

On 3/6/2023 at 5:14 PM, Plain said:

https://www.google.ru/search?q=mosfet+gate+charge+measurement

Может проглядел, но не увидел в результатах поиска полезной информации 

[Plain 71]

1 час назад, Zuse сказал:

не увидел в результатах поиска полезной информации 

Например, AN-944 (IR) — схема там такая же древняя, но принцип измерения расписан подробно.

[тау 8]

4 часа назад, Zuse сказал:

Согласен, тоже были сомнения на этот счет, но других то графиков нет - использовал, что есть... Возможно, по графикам емкостей, приведенных в DS, и нельзя построить график заряда затвора.  

Можно. Но для начала из этих графиков и остальных графиков ДШ построить спайс модель вашего будущего транзистора . А спайс вместо экселя вам всё и посчитает, как например для IRF2805.   Вверху рисунка - то что насчитали Вы без учета всего, а внизу то, как надо из модели такой график заряда вытащить, используя двумерный график двух векторов данных после анализа переходного процесса.

А еще можете внатуре снять график с живого транзистора. Смотря что вам проще будет.