[DSIoffe 2]

18 часов назад, Arlleex сказал:

делаю импеданс порядка 100 Ом в слабосвязанной паре

А почему именно в слабосвязанной?

UPD: нашёл ответ, Выравнивание дифференциальных пар. Отличный текст. Я не могу оценить, насколько прав автор, мне не хватает знаний и опыта, но впечатление сильное.

[Arlleex 131]

Требование такое видел в руководствах по трассировке от TI или NXP, вроде.

А объясняется это тем, что кроме передачи скоростных "быстрых" битов по диффпаре, CSI-2 какое-то время использует проводочки диффпары по-отдельности (single-ended). Вроде так. Этих MIPI-водов не понять))

P.S. Статья как статья - в целом, что хотел сказать автор понятно и тут не прикопаешься.

[Александр Мылов 4]

В 02.02.2023 в 14:47, DSIoffe сказал:

Как называется симулятор? Его долго осваивать для этих целей?

Таких симуляторов куча. Базируются на S-параметрах. Дальше сервис и удобство использования. Я пользуюсь Ansys, очень жирный и толстый. 

Возможностей - море!.

Для получения правильных результатов, необходимо обязательно с начало сделать анализ шумов по питанию и их оптимизацию.

[DSIoffe 2]

В 03.02.2023 в 16:19, Arlleex сказал:

А объясняется это тем, что кроме передачи скоростных "быстрых" битов по диффпаре, CSI-2 какое-то время использует проводочки диффпары по-отдельности (single-ended). Вроде так. Этих MIPI-водов не понять))

Ага, не понять 🙂 По отдельности там сигналы на таких частотах, что им без разницы форма проводников, я думаю. Но я тоже где-то видел такое требование.

Кстати, калькулятор импеданса дифф. пар обнаружился в Altium Designer. Симпатичный, и подхватывает параметры прямо из проекта. Вот: РАСЧЕТ ВОЛНОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ В САПР ALTIUM DESIGNER.

[_Sergey_ 13]

On 2/3/2023 at 4:19 PM, Arlleex said:

Требование такое видел в руководствах по трассировке от TI или NXP, вроде.

А объясняется это тем, что кроме передачи скоростных "быстрых" битов по диффпаре, CSI-2 какое-то время использует проводочки диффпары по-отдельности (single-ended). Вроде так. Этих MIPI-водов не понять))

Подозреваю, нет смысла завязывать сильной связью проводники внутри пары, вести их в SE-режиме.. аккуратно.

Как считаете?

[Arlleex 131]

Я бы не стал, всё-таки это диффпары в первую очередь. SE там вторичны, как дополнение в MIPI.а

Разводим как обычные диффпары, просто волновое рассчитываем так, чтобы от зазора зависело заметно меньше, чем от расстояния до опоры или ширины трасс.

[DSIoffe 2]

А вот ещё вопрос. Я это дело посчитал, получается, что нужно иметь расстояние между проводниками в одной паре 3 - 4 мм. А расстояние между соседними парами такое же делать? Или больше, или меньше? Заранее признателен.

[Arlleex 131]

1 час назад, DSIoffe сказал:

Я это дело посчитал, получается, что нужно иметь расстояние между проводниками в одной паре 3 - 4 мм.

 это очень много. Это уже не диффпара, а, по сути, SE-провода. У Вас расстояние до опоры какое? И где - внутри платы или наружние слои?

[DSIoffe 2]

11 минут назад, Arlleex сказал:

это очень много. Это уже не диффпара, а, по сути, SE-провода. У Вас расстояние до опоры какое? И где - внутри платы или наружние слои?

Я не один раз видел такое соотношение. Вот тут и тут пишут про нечто похожее. Наружный слой, под ним plain на расстоянии 0,045 мм.

Вот, и у классика: spacing = 3*w.

[Arlleex 131]

7 минут назад, DSIoffe сказал:

Наружный слой, под ним plain на расстоянии 0,045 мм.

А чего такой препрег тонкий? Вы не сделаете адекватный импеданс на таком тонком препреге. Берите потолще, например, 0.075, 0.1...

3W относится к зазору между краями двух разных сигнальных пар. Но 3W - немного "средняя по больнице" величина, с увеличением расстояния до опоры она возрастает.

[DSIoffe 2]

24 минуты назад, Arlleex сказал:

А чего такой препрег тонкий? Вы не сделаете адекватный импеданс на таком тонком препреге. Берите потолще, например, 0.075, 0.1...

Я же считал... В калькуляторе из Altium Designer. Хотел 100 Ом, и получил примерно столько. Менял расстояние между проводниками и смотрел, когда дифференциальный импеданс будет отличаться от соседних значений сверху и снизу не более, чем на 5%. Если брать препрег толще, то расстояние между проводниками будет больше. Я скармливал калькулятору разные препреги из библиотеки материалов "Резонита", закономерность хорошо видна.

[Arlleex 131]

Сатурн с препрегом 0.045 мм, толщиной меди 36 мкм, дорожками в районе 0.1 мм и таким же зазором показывает смешные 60 Ом дифференциального, а то и меньше.

[DSIoffe 2]

27 минут назад, Arlleex сказал:

Сатурн с препрегом 0.045 мм, толщиной меди 36 мкм, дорожками в районе 0.1 мм и таким же зазором показывает смешные 60 Ом дифференциального, а то и меньше.

Калькулятор Альтиума с препрегом FR4 PR толщиной 0,045 мм, взятым из библиотеки материалов, шириной дорожки 0,075 мм, зазором 0,3 мм, толщиной меди на наружном слое 0,045 мм, толщиной plane 0,015 мм, толщиной маски 0,025 мм и её Dk 3,5, подтравом 0,025 мм (цифры от "Резонита") показывает дифференциальный импеданс 98,02 Ома.

Saturn, честно говоря, мне как-то меньше понравился. Туда и толщину меди не введёшь произвольно, и подтрава нет, а он заметно влияет. И вообще, книга Excel вместо него была бы понятнее и приятнее, имхо.

[vladec 7]

В качестве калькулятора лучше возьмите Polar Si9000. Там все можно подобрать и посчитать. У Вас вполне типовая задача. И стек у Резонита лучше брать типовой: https://www.rezonit.ru/directory/v-pomoshch-konstruktoru/proektirovanie-elementov-konstrukcii-pechatnoj-platy-proizvodstva-v-rezonit/tipovye-sborki-i-konstruktsii-pechatnykh-plat/#bazovaya_tolshchina_medi_18_mkm

 

[Александр Мылов 4]

17 часов назад, DSIoffe сказал:

Калькулятор Альтиума с препрегом FR4 PR толщиной 0,045 мм, взятым из библиотеки материалов, шириной дорожки 0,075 мм, зазором 0,3 мм, толщиной меди на наружном слое 0,045 мм, толщиной plane 0,015 мм, толщиной маски 0,025 мм и её Dk 3,5, подтравом 0,025 мм (цифры от "Резонита") показывает дифференциальный импеданс 98,02 Ома.

Будьте осторожны, AD20.2.7, на внутренних слоях считает волновое с отклонением где-то 15-20%(включая дифф. пары). Проверено на  TDR анализе.  Внешние слои норм.

Более свежие AD не проверял.