[Plain 168]

Прекрасно видно, что к базе VT1 подключено два компонента, а не как у Вас, и под радиатором два NMOS, т.е. обыкновенный каскод.

[Alex-lab 5]

13 minutes ago, Plain said:

базе VT1 подключено два компонента

Да, там еще TVS видимо какой-то.

Если это каскод, то получается должен быть какой-то резистор между К-Б, который я не нашел пока (плата на работе)?

И все-таки весь ток течет через эти "маленькие" ключи?

Если я правильно вас понял, получается схема такая?

[Plain 168]

Ограничитель должен быть на 5 В и параллельно БЭ и 5,1 Ом, потому что паспортный предел 7 В. Также, VD3 явно должен быть наоборот, и ток базы должен быть порядка 8 А, поэтому 100 Ом R35 на это не способен.

[НЕХ 4]

Это же эмиттерное управление BJT. Расширяет область безопасной работы биполярного транзистора. Ограничитель стоит правильно - в момент отключения весь максимальный  коллекторный ток течёт из базы через ограничительный диод.

Обычно ещё используется пропорционально-токовое управление через трансформатор тока.

[Plain 168]

Для такого метода, эмиттер надо переключать между общим и +5 В, а базу между общим и источником тока, который выгоднее импульсный, т.е. соответствующе коммутировать дроссель.

 

Здесь же, Vss — это как минимум +15 В, следовательно, каким бы ни был ограничитель, БЭ всегда пробит, поэтому кандидатов на вылет сильно прибыло. Ну и, даже половина от 30 А, заданных R5, это лихо.

Изменено 28 февраля, 2022 пользователем Plain

[Alex-lab 5]

Спасибо за информацию.

По итогу трех дней нарисовал полную схему драйвера (плата 4 слойная и плотный монтаж). Мне не совсем понятны некоторые моменты, там где управление тразистором идет через последовательные конденсаторы (С14, С26, С25) а так же завиток с интегральным драйвером U1,U2.

On 2/27/2022 at 5:56 PM, НЕХ said:

Обычно ещё используется пропорционально-токовое управление через трансформатор тока.

Да, похоже именно это там и используется.

On 2/27/2022 at 4:13 PM, Plain said:

Также, VD3 явно должен быть наоборот

Да вроде правильно, прозвонил - как нарисовано.

On 2/28/2022 at 9:12 AM, Plain said:

эмиттер надо переключать между общим и +5 В, а базу между общим и источником тока

Вот возможно что-то подобное там и реализуется. Схема драйвера весьма сложная, сразу чувствуется преимущество современных MOSFET, IGBT.

[Plain 168]

18 часов назад, Alex-lab сказал:

где управление тразистором идет через последовательные конденсаторы (С14, С26, С25)

Это форсажи, на включение и выключение, т.е. генераторы коротких импульсов тока, и C26 очевидно должен быть по левую сторону от точки, а при такой ёмкости, разве что может иметь назначение — дать нормально выключенное состояние схемы в долговременном плане, однако в кратковременном — при включении Q21, посредством C25, на базу Q20 подаётся практически Vss, при том, что Q12 на эмиттер тогда же то же, т.е. на БЭ Q20 гарантированно удвоенное Vss минус напряжение пары ограничителей на данном токе — ну может авторы схемы тогда получили от производителя BUF460 какие-то ещё данные, помимо имеющегося предела 7 В, иначе такое необъяснимо.