Перейти к содержанию
    

Транзисторы для мощных источников питания: какую технологию выбрать?

В последние годы в области импульсного преобразования сложился определенный баланс между реальным значением КПД, которого можно достичь при использовании существующих технологий, и ценой, которую современные потребители готовы платить за столь высокую эффективность.


В статье рассматриваются характеристики одной из основных сфер применения широкозонных транзисторов – сетевых источников питания, состоящих из корректора коэффициента мощности (ККМ) и изолированного преобразователя постоянного напряжения. А также обосновывается, всегда ли новые полупроводниковые материалы – карбид кремния и арсенид галлия – позволяют создавать преобразователи с лучшими характеристиками, чем при использовании традиционного кремния.

 

Читать статью >>

 

Infineon_tranzistors_400x82.png.6c7d3aa57c5dec8f29fb09988506dc9d.png

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

1 час назад, vladec сказал:

Ну наверное, все таки нитрид галлия, а не арсенид.

Вы совершенно правы, речь идет о нитриде галлия. Спасибо за комментарий. 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...