euthon 0 February 18, 2022 Posted February 18, 2022 · Report post 4 hours ago, Herz said: Для 100кГц, пожалуй, серьёзной проблемой. И не столько межобмоточная, сколько межслойная, ИМХО. Межслойную ёмкость мне померить нечем (ну, если только частоту собственного резонанса попробовать найти, но это лениво), а прикинуть - опыта нет. В любом случае, понятно, что или ёмкость или индуктивность рассеяния. На низких напряжениях (больших токах) ёмкость мне видится меньшим злом. Quote Share this post Link to post Share on other sites More sharing options...
Yuri7751 5 February 21, 2022 Posted February 21, 2022 · Report post Всё зависит от того, как это всё у вас будет работать и управляться. Потому как может оказаться, что бороться с ёмкостью и индуктивностью рассеяния вовсе и не надо. Почитайте, например тайваньских китайцев: Current-fed full-bridge boost converter with zero current switching for high voltage applications | Semantic Scholar С постоянным Ton и управлением по частоте у вас получается ZCS в широком диапазоне нагрузок. Quote Share this post Link to post Share on other sites More sharing options...
НЕХ 1 February 21, 2022 Posted February 21, 2022 · Report post Как-то в драйвер затвора полумоста решил добавить защиту по току, кроме desat. Ток измерял интегрируя dI/dt на индуктивности выводов кристаллов - в модулях это легко, цепи затвора отделены от путей силового тока. Оказалось, что при холостом переключении внутренние токи были под сотню Ампер - зарядка выходной емкости оппозитного ключа. А ведь кристаллу ещё и самого себя разряжать. Забавно, что на миллиметрах этих волосков, идущих к чипу, обладающих индуктивностью в единицы наногенри, набегает много Вольт от скорости изменения тока. Да и из-за индуктивности стока/коллектора защита desat может сработать преждевременно - порог превышен из-за слагаемого L*dI/dt ZCS оно такое... Quote Share this post Link to post Share on other sites More sharing options...
