[euthon 0]

4 hours ago, Herz said:

Для 100кГц, пожалуй, серьёзной проблемой. И не столько межобмоточная, сколько межслойная, ИМХО.

Межслойную ёмкость мне померить нечем (ну, если только частоту собственного резонанса попробовать найти, но это лениво), а прикинуть - опыта нет. В любом случае, понятно, что или ёмкость или индуктивность рассеяния. На низких напряжениях (больших токах) ёмкость мне видится меньшим злом. 

[Yuri7751 19]

Всё зависит от того, как это всё у вас будет работать и управляться. Потому как может оказаться, что бороться с ёмкостью и индуктивностью рассеяния вовсе и не надо. Почитайте, например тайваньских китайцев: Current-fed full-bridge boost converter with zero current switching for high voltage applications | Semantic Scholar

С постоянным Ton и управлением по частоте у вас получается ZCS в широком диапазоне нагрузок.

[НЕХ 4]

Как-то в драйвер затвора полумоста решил добавить защиту по току, кроме desat. Ток измерял интегрируя dI/dt на индуктивности выводов кристаллов - в модулях это легко, цепи затвора отделены от путей силового тока. Оказалось, что при холостом переключении внутренние токи были под сотню Ампер - зарядка выходной емкости оппозитного ключа. А ведь кристаллу ещё и самого себя разряжать.

Забавно, что на миллиметрах этих волосков, идущих к чипу, обладающих индуктивностью в единицы наногенри, набегает много Вольт от скорости изменения тока. Да и из-за индуктивности стока/коллектора защита desat может сработать преждевременно - порог превышен из-за слагаемого L*dI/dt

ZCS  оно такое...