КОМПЭЛ 0 January 31, 2022 Posted January 31, 2022 (edited) · Report post Любой источник питания должен иметь как можно большие значения КПД, удельной мощности, уровня надежности, а также максимально длительный срок службы. На сегодняшний день одним из основных направлений улучшения этих параметров является усовершенствование кристаллов силовых транзисторов, при этом характеристики их корпусов обычно остаются без должного внимания. Однако, как показали результаты исследований специалистов компании Infineon, для уменьшения потерь при преобразовании иногда достаточно всего лишь изменить ориентацию кристалла транзистора внутри его корпуса. Новый способ сборки MOSFET, при котором их кристаллы ориентируются истоком вниз, в ближайшем будущем имеет все шансы стать отраслевым стандартом, а пока данная технология применяется лишь в некоторых продуктах компании Infineon, одними из которых являются уже успевшие завоевать широкую популярность транзисторы семейства OptiMOS. Читать статью >> Edited January 31, 2022 by КОМПЭЛ Quote Share this post Link to post Share on other sites More sharing options...
