Схитрить с LVDS

[Dr.Alex 0]

В одном не очень ответственном месте хочется принять сигнал LVDS обычным входом плисины (LVCMOS 1,8V).

Поскольку железа нет, проверить пока не могу.

Как думаете, если терминирующий резистор 100 Ом не ставить (или увеличить его в несколько раз), то размах сигнала существенно увеличится?

Тогда может хватить.

[Александр Мылов 0]

4 часа назад, Dr.Alex сказал:

В одном не очень ответственном месте хочется принять сигнал LVDS обычным входом плисины (LVCMOS 1,8V).

Поскольку железа нет, проверить пока не могу.

Как думаете, если терминирующий резистор 100 Ом не ставить (или увеличить его в несколько раз), то размах сигнала существенно увеличится?

Тогда может хватить.

 

50,100,200, No resist.

[Dr.Alex 0]

Спасибо, кажется должно прокатить.

А какую именно микросхему симулировали?

[alexPec 0]

22 часа назад, Dr.Alex сказал:

В одном не очень ответственном месте хочется принять сигнал LVDS обычным входом плисины (LVCMOS 1,8V).

Поскольку железа нет, проверить пока не могу.

Как думаете, если терминирующий резистор 100 Ом не ставить (или увеличить его в несколько раз), то размах сигнала существенно увеличится?

Тогда может хватить.

А по Fmax на LVCMOS18 смотрели? Обычно по LVDS (ну по крайней мере в моих задачах) гоняют сотни мегабит.

[Dr.Alex 0]

Just now, alexPec said:

сотни мегабит

Я же сказал - "в не очень ответственном месте". Частота десяток-другой МГц.

[Александр Мылов 0]

22 часа назад, Dr.Alex сказал:

А какую именно микросхему симулировали?

Важно как Вы оформите дифф.пару.

То ,что приведено выше , для случая со сплошным земляным окружением и прошивкой земляными отверстиями через каждые 4 мм вдоль всей линии. Длина линии 143мм.

Если убрать все это оформление, то все будет намного страшнее.

Edited January 15 by Александр Мылов
добавить

[Dr.Alex 0]

1 hour ago, Александр Мылов said:

намного страшнее

:-)))

"Прошивка земляными отверстиями" это совершенно лишнее, а так плата многослойная, длина линии миллиметров... ну...... 5.. :-))))