Перейти к содержанию
    

SiC транзистор в линейном режиме. Автогенерация 100 МГц и пробой затвора.

Добрый день.

В двух словах:

Сделал ограничитель сетевого напряжения (срезает верхушки синуса на уровне 450 В). Для защиты покупного источника от перенапряжений.

Использую транзисторы в линейном режиме с обратной связью через оптрон и стабилитрон (трансил).

Выбрал SiC потому что у них меньше потери в открытом состоянии (при прочих равных).

Покупной источник при перенапряжении отключается и потребляет минимальную мощность для подзарядки накопительного конденсатора и работы дежурного источника.

Так что перегрева транзисторов в линейном режиме быть не должно.

 

Похоже что транзисторы умирают по затвору. Были обнаружены SiC транзисторы с сопротивлением затвора порядка 10 кОм и меньше (даже до 200 Ом) при этом вполне рабочие.

В линейном режиме (в момент подзарядки конденсатора внешнего источника) происходит самовозбуждение SiC транзистора (частота порядка 100 МГц) и похоже что это его и убивает.

Транзисторы обвешаны защитными диодами и конденсаторами со всех сторон но это не помогает ни сбить автогенерацию ни спасти транзистор.

На осциллограммах синяя-выходное напряжение, красная- затворы транзисторов, чёрная-щуп на земле (наводка).

Видно что на ХХ всё работает нормально а вот при подзарядке конденсатора внешнего блока меняется режим работы транзистора и он входит в автогенерацию.

Ток подзарядки в пике не превышает 0.5 А

Плавно повышая напряжение через латр колебания растут по амплитуде и потом транзистор умирает, причём если его не добивать то можно поймать момент когда он рабочий но с сопротивление затвора уже не гигаомы а килоомы.

Посоветуйте пожалуйста, что можно предпринять чтобы избавиться от генерации.

IMG_20211126_155859.jpg

IMG_20211126_155901.jpg

IMG_20211126_160825.jpg

IMG_20211126_160951.jpg

Ограничитель Напряжения.jpg

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

43 минуты назад, Белый Шаман сказал:

Видно что на ХХ всё работает нормально а вот при подзарядке конденсатора внешнего блока меняется режим работы транзистора и он входит в автогенерацию.

А если отключить управление вообще и поставить в затвор 20 Ом. Будет возбуждаться?

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

31 минуту назад, HardEgor сказал:

А если отключить управление вообще и поставить в затвор 20 Ом. Будет возбуждаться?

 

просто транзистор останется закрытым и всё

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

На третьей фотке видно, как на затвор пролезает генерация.

Имхо, нужно понизить импеданс управляющих цепей затвор-исток.

Например, конденсатор на ноги транзистора попробовать повесить..

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

22 часа назад, Белый Шаман сказал:

просто транзистор останется закрытым и всё

Так и надо сделать чтобы транзистор был открыт. Отсоединить цепь управления от транзистора, замкнуть 10 кОм на транзистор и кнопкой кратковременно подавать напряжение  и смотреть возбуд.

Потом перейти на 20 Ом и тоже смотреть.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Спасибо всем откликнувшимся, удалось вчера добить (добиться), до результата.

В плате параллельно транзистору (сток-исток)  кроме трансилов ещё стоит варистор (в схеме не показан, извиняюсь, схема сильно сложнее и бОльшая часть её отключена, поэтому не показал)

Вот ёмкость этого варистора (300pF) и приводила к генерации (пробовал заменять на конденсатор с тем же результатом)

у трансилов ёмкость раза в 3 меньше.

Всё равно конечно не до конца понимаю механизм возникновения этой генерации через ёмкость исток-сток.

И главное её было никак не сбить, ни конденсатор затвор-исток (10нФ), ни RC цепь затвор-сток (300пФ, 10кОм), ни ферритовые трубочки в истоке.

С обычными Mosfet кстати работало без проблем (не считая что у них сопротивление в 5 раз выше).

Если кому интересно вот полная схема. (Там в основном цепи защиты от превышения тока и мощности которые были закорочены.)

Ограничитель Напряжения 2.jpg

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

6 minutes ago, Белый Шаман said:

Вот ёмкость этого варистора (300pF) и приводила к генерации (пробовал заменять на конденсатор с тем же результатом

Вы конденсатор вешали на ноги или на посадочное место варистора?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

на ноги

16 минут назад, _Sergey_ сказал:

Вы конденсатор вешали на ноги или на посадочное место варистора?

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

1 hour ago, Белый Шаман said:

С обычными Mosfet кстати работало без проблем (не считая что у них сопротивление в 5 раз выше).

Укажите, пжл, Part Number..

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

16 minutes ago, Белый Шаман said:

STW20N95K5/C3M0120090D

Емкость затвор-исток: 1550пф/414пф

Емкость затвор-сток: 1пф/3пф

Резистор в затворе: 3.5 Ом/13 Ом

Gate Threshold Voltage: 4в/2.1в

Получается SiC более критичный к трассировке/монтажу..

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Генерация возникает из-за положительной обратной связи, для данной точки смещения (рис4 красная кривуля). Это может быть обусловено параметрами цепи затвора-истока, а также ЧТО ВАЖНО, монтажём окружающих элементов и земли. SiC в этом плане хороши для возбуда на высоких частотах. Причины их пробоя в инете описаны.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Раздобыл осциллограф получше, Посмотрел напряжение на затворе. Оно реально уходит в минус. Наверное поэтому Транзистор и умирает. причём не помогает ни конденсатор, ни диод (затвор-исток)

Прилагаю осциллограммы. они сняты с конденсатором 0.01 np0 и диодом шотки (100в 2а).

По факту ничем не получается сбить генерацию, ни даже снизить её частоту (70 МГц)

пытался и увеличивать емкость, и ставить RC снаббер (сток-исток).

удивительно также, что напряжение проваливается меньше -2 В а диод не поглощает это напряжение. и конденсатор тоже.

Меряю с короткой землёй. Наводка на щуп порядка 2 В (при размахе сигнала порядка 10 В)

Не думаю что разводка как то влияет. Могу конечно выложить разводку, но все конденсаторы-диоды припаиваю практически на ноги транзистора.

IMG_20211213_141015.jpg

IMG_20211213_141053a.jpg

IMG_20211213_141545a.jpg

IMG_20211213_141854a.jpg

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

18 hours ago, Белый Шаман said:

Не думаю что разводка как то влияет. Могу конечно выложить разводку, но все конденсаторы-диоды припаиваю практически на ноги транзистора.

Зря не думаете.. очень влияет. Я в другом топике утверждал, что добился "чистого" Миллер-эффекта.

Определение конечно так себе.. :russian_ru: но смысл в том, что на время переключения не влияет протекающий через полевик ток.

Остается в "чистом виде" зависимость dv/dt.

Обратите внимание на какие ухищрения идут производители GanFET, чтобы реализовать скоростной потенциал:

epc2023-die.png

Даже обычные многоамперные MosFET-ы оптимизируют для высоких скоростей (заодно и тепловое сопротивление):

Pic_23.jpg

Возможно, ваша трассировка является идеальной для данного корпуса и ничего больше не выжать..

а может и нет.. если не секрет - выкладывайте.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...