Jump to content

    
Sign in to follow this  
_alex__

Как предотвращается пробой транзисторов в конечных каскадах усилитей мощности?

Recommended Posts

В параметрах транзисторов есть предельно допустимое напряжение эмиттер-база. В мощных ВЧ/СВЧ транзисторах это напряжение несколько вольт.
Как в усилителях мощности класса В,С предотвращается превышение этого параметра во время отрицательной полуволны, т.е. когда от предыдущего каскада подается запирающее напряжение?

 

 

Edited by _alex__

Share this post


Link to post
Share on other sites
On 11/2/2021 at 11:55 AM, Boriskae said:

Каскад с общей базой? Что стоит в цепи постоянного тока база-эмиттер?

 

Меня ни конкретная схема интересует, а вообще. Нужно ли как-то ограничивать обратное напряжение БЭ(напряжение запирающей полуволны) транзисторов в схемах с отсечкой?

Share this post


Link to post
Share on other sites

Никогда не встречал подобного ограничения. Вероятно, обратное напряжение эмиттер-база согласуется (с запасом) с нормой на выходную мощность и коэффициент передачи.

По-любому можно попробовать в каком-либо симуляторе посмотреть соотношение положительных и отрицательных полуволн входного напряжения при питании от предоконечного каскада класса А.

Share this post


Link to post
Share on other sites
On 11/4/2021 at 7:17 PM, _alex__ said:

Меня ни конкретная схема интересует, а вообще. Нужно ли как-то ограничивать обратное напряжение БЭ(напряжение запирающей полуволны) транзисторов в схемах с отсечкой?

Опыт показал, что надо, в некоторых каскадах пришлось убрать смещение эмиттер-база, чтобы избегать пробоя. Причём пробой может не только выжигать транзистор, а например создавать автогенерацию.

Share this post


Link to post
Share on other sites
On 11/6/2021 at 11:37 AM, Boriskae said:

Опыт показал, что надо, в некоторых каскадах пришлось убрать смещение эмиттер-база, чтобы избегать пробоя. Причём пробой может не только выжигать транзистор, а например создавать автогенерацию.

А диоды используются? К примеру параллельно БЭ включить, что б шунтировать отрицательную полуволну.

Share this post


Link to post
Share on other sites
On 11/9/2021 at 12:06 AM, _alex__ said:

А диоды используются? К примеру параллельно БЭ включить, что б шунтировать отрицательную полуволну.

Не пробовали, это надо диод тогда в структуру кристалла вписывать.

Share this post


Link to post
Share on other sites

На каждом транзисторе чаще всего стоит:
1. Генераторный.
2. Усилительный
3. Класс усиления А, АB.. и т.д.
Приводится схема в которой меряли параметры на 1-2 частоты. Там тоже стоит режим работы.
Рнилерс он же NXP тот же, на все транзисторы всё указывает.
Моторолла она же Freescale тоже на всё указывает.
Видимо это и будет задавать диапазон параметров.
Транзисторы припаивают к теплоотводу.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

Sign in to follow this