Jump to content

    

Recommended Posts

53 минуты назад, wim сказал:

Это не обмотка реле. :biggrin:

А что?
А, понел... :biggrin:
Но защита от высокого напряжения может стоять параллельно выходу ключа.

Share this post


Link to post
Share on other sites
6 минут назад, ViKo сказал:

защита от высокого напряжения может стоять параллельно выходу ключа.

Не требуется - напряжение на ключе ограничено величиной выходное напряжение + падение напряжения на выпрямительном диоде (или синхронном ключе).

Share this post


Link to post
Share on other sites
33 минуты назад, wim сказал:

Не требуется - напряжение на ключе ограничено величиной выходное напряжение + падение напряжения на выпрямительном диоде (или синхронном ключе).

Если диод быстрый и выходное напряжение не подбирается к предельному для ключа.  

Share this post


Link to post
Share on other sites
1 час назад, ViKo сказал:

Если диод быстрый и выходное напряжение не подбирается к предельному для ключа.  

Надуманная проблема, как и вся тема с самой первой страницы. Реальная проблема -  в том, что не показано в левой части схемы. Может там очередной STM32? :biggrin:

Share this post


Link to post
Share on other sites
6 часов назад, варп сказал:

Не не не... - здесь "ощущение"  - не катит... Серьёзные аргументы есть? С каких пор IGBT стал лучше MOSFET? Где что лучше и почему пояснять надо....

А чем Вам родной выход драйвера не угодил? Ваш эмиттерный повторитель намного хуже родного выхода драйвера. Понять не могу - Вы серьёзно советы даёте, или у Вас шутки такие?

Чем эмиттерный повторитель хуже?   Ну громоздкий и падение напряжения появляется. Но ток он усиливает до значения Ic max.  А не угодил "родной" драйвер не мне, а автору темы.

И применяют такое решение некоторые специалисты (по всей видимости, незнакомые со всей  вашей серьёзностью). См приложенный файл.

Что касается замены MOSFET на IGBT, то имею опыт построения ККМ на 5 кВт, куда ставил сначала МОСФЕТЫ (STW88N65) и они сгорали через непродолжительное время, а после замены их на IGBT (FGH60N60SMD) всё заработало надежно. Причины подробно не выяснял ( как всегда нет времени) , только заметил что закрывание МОСФЕТ происходит медленно , независимо от напряжения на затворе.  Дроссели перерасчитал несколько раз, они соответствовали.   Правда грелись , хотя кольца сендастовые ( Kool Mμ 46,7*24,1*18мм) по документации должны легко выдерживать нужную мощность

Можете повторить опыты:    PFC  на  UCC28070.    Texas Instruments.    Очень интересуюсь результатами.  

9_готов_модуль_Opto_isolated_IGBT_Driver.pdf 1_Схема_PMP4311slur515.pdf

Share this post


Link to post
Share on other sites
20 hours ago, LLLLLLLLLL said:

... имею опыт построения ККМ на 5 кВт, куда ставил сначала МОСФЕТЫ (STW88N65) и они сгорали через непродолжительное время, а после замены их на IGBT (FGH60N60SMD) всё заработало надежно. Причины подробно не выяснял ( как всегда нет времени) , только заметил что закрывание МОСФЕТ происходит медленно , независимо от напряжения на затворе.  

"опыт" "надёжно" "не выяснял" 

Так лучше не поступать по жизни)) 

STW88 есть SJ mosfet, он специально задуман, чтобы скорость выключения определяла выходная ёмкость. Но в конкретном случае им на погибель вставили индуктивность в исток шаловливые ручки, предположу. 

Share this post


Link to post
Share on other sites
3 часа назад, НЕХ сказал:

"опыт" "надёжно" "не выяснял" Так лучше не поступать по жизни)) 

STW88 есть SJ mosfet, он специально задуман, чтобы скорость выключения определяла выходная ёмкость. Но в конкретном случае им на погибель вставили индуктивность в исток шаловливые ручки, предположу. 

Во-первых "предположение - мать всех провалов".  В даном случае неправильное.   Желательно было не "предполагать", а посмотреть приложенную схему/документацию. 

Во-вторых "опыт - сын ошибок трудных".  С таким отношением к личному и чужому опыту лучше не именовать себя професионалом.  Лучше - скакателем по граблям.

В третьих  я очень долго и подробно изучал документацию на STW88N65, пытаясь выяснить причину его поведения, но нигде не видел фразы, что он "специально задуман, чтобы скорость выключения определяла выходная ёмкость".

Но по вопросу выходной емкости автору темы хочу посоветовать обратить внимание на стр 7 документации (прилагаю): Figure 8. Capacitance variations,

из которого следует, что   Output capacitance Coss при  VDS = 1В  достигает аж 100 нФ

Возможно в этом источник непоняток в работе схемы у автора темы.

Для BSC093N15NS5  Output capacitance Coss при  VDS = 1В порядка 20нФ

 

А транзистор IGBT   FGH60N60SMD  при том же напряжении Vce = 1V  имеет Output capacitance примерно 2800 пФ.  См. доку  , товарищ ВАРП.

 

 

1_MOSFET_stwa88n65.pdf

0_IGBT_FGH60N60SMD.pdf

Edited by LLLLLLLLLL

Share this post


Link to post
Share on other sites
16 минут назад, LLLLLLLLLL сказал:

посмотреть приложенную схему/документацию

Автор темы тоже так считает, но это не документация. Лишь разводка является таковой.

Share this post


Link to post
Share on other sites
8 минут назад, Plain сказал:

Автор темы тоже так считает, но это не документация. Лишь разводка является таковой.

Возможно мы имеем ввиду разные документации.  Я писал о схеме ККМ от Тексаса, где датчик тока ( трансформатор ) и установлен в цепи стока полевиков.   У автора темы в истоке полевика установлен резистор (датчик?).

Edited by LLLLLLLLLL

Share this post


Link to post
Share on other sites
42 minutes ago, LLLLLLLLLL said:

... долго и подробно изучал документацию на STW88N65... из которого следует, что   Output capacitance Coss при  VDS = 1В  достигает аж 100 нФ

Сегодня именно их 4 штуки запаял)) 

 Если в вашем ККМ из-за "неопознанной причины" резонансный ток прошёл через внутренний паразитный диод, то грабли будут. 

Не знали, что у конкретно этой серии mosfet имеется гистерезис выходной ёмкости? 

Share this post


Link to post
Share on other sites
2 часа назад, НЕХ сказал:

Сегодня именно их 4 штуки запаял))  Если в вашем ККМ из-за "неопознанной причины" резонансный ток прошёл через внутренний паразитный диод, то грабли будут.

Не знали, что у конкретно этой серии mosfet имеется гистерезис выходной ёмкости? 

Есть много того, что я не знаю (стараюсь постоянно учиться), но я добился нужного мне результата , как уже сказано:  заменой MOSFET на IGBT.  Как я думаю, это куда важнее, чем бесконечно искать причину своих неудач, долбясь лбом в стену рядом с открытой дверью. "У вас прибор в принципе, а у нас в корпусе".

Но мы уклонились в сторону. Ведь у  MiklPolikov     проблемы со сгоранием драйвера MOSFET.   Автор темы зачем-то поставил резистор в цепь истока ключа.   Я  не заметил пояснений с какой целью.    Я поисследовал работу STW88N65 ключом в простейшей схеме (на фото).И получил время закрывания MOSFET порядка 10 мкС. Хотя открывался он быстро. Управление шло от драйвера по схеме, которую я выкладывал ранее ( на ИС  HCPL316). У автора темы другой МОСФЕТ, но, как я уже писал выходная емкость у них существенно увеличивается при низком Vds. (У автора до 20 нФ). Видимо это и приводит к медленному закрыванию.   В результате имеем: на выходе драйвера низкий уровень, а МОСФЕТ еще открыт , на истоке напряжение растет вместе с током через дроссель, внутри МОСФЕТа между затвором и истоком имеется защитный диод, через который напряжение с истока попадает на выход драйвера, вот ему и тяжко.  

3_ключ_STW88N65.jpg

Share this post


Link to post
Share on other sites
43 minutes ago, LLLLLLLLLL said:

 В результате имеем: на выходе драйвера низкий уровень, а МОСФЕТ еще открыт , на истоке напряжение растет вместе с током через дроссель, внутри МОСФЕТа между затвором и истоком имеется защитный диод, через который напряжение с истока попадает на выход драйвера, вот ему и тяжко.  

 

Полный абсурд. 

У закрытого полевика ток может только уменьшаться. 

Ёмкость сток-исток заряжается, напряжение растёт, затем и ток уменьшится. 

Даже самый быстрый ключ во вселенной будет тормозить в вашей схеме, если зашунтирован нелинейной ёмкостью а-ля sj-mosfet. 

Эти ключи серии М5 специально для ККМ, и ваша неудача затуманивает мозг другим последователям.

Оттачивая мастерство дрессировки этих М5, научился их пережигать даже с закороченными наглухо затвор-исток)) 

Недавно освоил драйвер UCC217xx для управления SiC - практически идеальный драйвер! Чуть обвесил примочками - ненарадуюсь работе. И работа с overcurrent на высоте. 

К теме это разговор  вообще не относится - там ключ низковольтный и igbt неуместны. 

Edited by НЕХ

Share this post


Link to post
Share on other sites
On 9/20/2021 at 4:44 PM, MiklPolikov said:

Разобрался.
Эти выбросы оказались из-за дребезга в синхронном выпрямителе (на самом деле у меня синхронный выпрямитель, а не диод, как в схеме выше)

 

Схема включения драйвера правильная.
В документации написано, что там защита от "сквозняка"
 

Подскажите по Миллеру:
Из каких соображений выбирать резистор ?
а)Так, что бы вся "полка" была только на затворе, и на ногу драйвера не приходила ?  
б)Или если у драйвера макс. ток 4А , то его нужно ограничить этим резистором, т.е. при питании 12В получаем  12В/4А= 3 Ома ?
в) Принцип "что бы в целом было поменьше дребезгов" не очень применим, потому что не понятно, что значит "поменьше"

а) - это не понятно. При любом резисторе полкана драйвер приходить не будет. И зачем ей туда приходить? И даже если она вдруг туда придет, то ничего страшного не произойдет - встретятся, попьют чаю и разойдутся.... :)

б) - все верно, только вы забыли про внутренние сопротивления драйвера и ключа. В вашем случае резистор затвора может быть от 1Ом и более. А если частота не большая, то и вообще можно не ставить. Однако, при уменьшении резистора затвора вы получите увеличение выбросов на стоке при закрывании транзистора, но в вашем случае это не сильно критично.

Выброс который вы видите на осциллографе - это некорректная разводка печатной платы - силовых цепей и цепей драйвера. Обратите внимание как у вас разведен GND у UCC27511. 

Share this post


Link to post
Share on other sites
On 9/21/2021 at 5:46 PM, LLLLLLLLLL said:

Что касается замены MOSFET на IGBT, то имею опыт построения ККМ на 5 кВт, куда ставил сначала МОСФЕТЫ (STW88N65) и они сгорали через непродолжительное время, а после замены их на IGBT (FGH60N60SMD) всё заработало надежно. Причины подробно не выяснял ( как всегда нет времени) , только заметил что закрывание МОСФЕТ происходит медленно

А ежели мосфеты будут быстро закрываться, при пяти-то киловаттах?

..вопрос из праздного любопытства.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.