[uve 3]

Думаю, что ТС просто лень изучать электромагнитные симуляторы. Нормальная схема трансформации 5 Ом в 50 предложена в ПДФ чипа. Я её в симулятор поместил с произвольной топологией и получил S12  около -0.4 дБ. Настройкой схемы или топологии можно и улучшить это значение.

[Aner 3]

Я емкостями перемычки и перед 5-омным портом .. пренебрегаем? Да, анизотропия материала на этих частотах еще не так сильно влияет, можно не учитывать.

[Konstantin_Alexandrovich 0]

3 hours ago, uve said:

Думаю, что ТС просто лень изучать электромагнитные симуляторы. Нормальная схема трансформации 5 Ом в 50 предложена в ПДФ чипа. Я её в симулятор поместил с произвольной топологией и получил S12  около -0.4 дБ. Настройкой схемы или топологии можно и улучшить это значение.

Убедительно, спасибо. Наверное лень изучать, да.

Вопросы, если можно:

1) Мне казалось, что схема из даташита приведена для отладочной платы SE2435L-EK1, которая от 900 до 930 МГц. А у вас на графике там опять же, КСВ не очень, если экстраполировать. То есть мой самый первый вопрос, типа как так Skyworks просто берут на ровном месте теряют 0.5-1 дБ на mismatch loss?

2) У вас компоненты идеальные или заданы честными библиотечными s-параметрами внутри вашей 3d симуляции?

3) Вообще, если посмотреть на саму плату, то там дорожка поворачивает пару раз под 90 градусов. Но герберов нет у Skyworks к сожалению. Если уж моделировать в 3d, то долой полумеры?

4) У вас индуктивность переходных отверстий на землю не моделируется, можно пренебречь, думаете?

[uve 3]

Добры день, Константин Александрович. Я просто хотел показать Вам, что без учёта влияния контактных площадок и полосков расчёт характеристик согл. цепей далёк от реальности в СВЧ диапазоне частот. Обычно я получаю от инженера разработчика геометрию топологии из Альтиума ( с переходными отв. и пр.) и её с элементами схемы рассчитываю и корректирую с целью оптимизации характеристик. Потом заказываем в Резоните пробные пару плат, паяем элементы и проверяем электрические характеристики на измерительном стенде.

 

 P.S. Номиналы элементов схемы те же, а геометрию топологии изменил: см. скрин. Если поработать с топологией Вашей платы можно добиться хороших характеристик и для частот выше 900 МГц.

Изменено 30 июля, 2021 пользователем uve

[Konstantin_Alexandrovich 0]

@uve Вы были правы, моделировать надо было с линиями передачи. Но необязательно в 3d симуляторе. Circuit simulation тоже работает, если вставить хотя бы один блок TLine.

 

Дефолтная схема с отладочной платы оказалась очень чувствительна к длине линии между 5-омным портом и первой индуктивностью (3 мм длины значительно всё меняют).

Могу показать две симуляции (full-3d и circuit) с использованием элементов, заданных библиотечными s-параметрами.

 

Circuit simulation (было/стало):

 

В 3d симуляторе всё выглядит немного по-другому, но можно легко добиться хорошего согласования лишь играясь длиной линий:

 

 

 

 

[uve 3]

Добрый вечер, Константин Александрович. Поздравляю с осознанием важности расчётов в составе топологии проводников. Посмотрел я на  расчёты, нет ли у Вас сомнений в их достоверности. На мой взгляд где то в установках "хомут". Как могут так сильно отличаться друг от друга расчёты S11 и S22 у пассивной цепи?

[Freesom 15]

2 hours ago, uve said:

Как могут так сильно отличаться друг от друга расчёты S11 и S22 у пассивной цепи?

Могут. Достаточно, чтобы цепь была несимметричной и обладала потерями. Но мне интересно другое. Какой смысл порта с сопротивлением 5 ом и шириной с 50-омную линию? Там геометрия стыковки сыграет большую роль, чем вся эта согласующая цепь.

[uve 3]

Вы хотите сказать, что один и тот же трансформатор имеет разные характеристики согласования в зависимости от того откуда подан сигнал!?

 

 А насчёт линии с геометрией для 50 Ом в порту 5 Ом всё просто. Свойства длинных линий начинают сказываться на электрической длине(линии) больше 0.05L. А более короткая будет иметь свойства индуктивности или ёмкости, в зависимости от её ширины.

 P.S. Вот как выглядят графики этой схемы в моём симуляторе.

Изменено 1 августа, 2021 пользователем uve

[Freesom 15]

1 hour ago, uve said:

Вы хотите сказать, что один и тот же трансформатор имеет разные характеристики согласования в зависимости от того откуда подан сигнал!?

Так и будет, если он с потерями и потери распределены несимметрично. Считайте, что предельном случае потери согнаны к одному порту, т.е. к своей цепи вы с одной стороны подключаетесь непосредственно, а с другой через аттенюатор. Ожидаете увидеть одинаковое отражение?

[uve 3]

В том то и дело, что в этой схеме потери будут около 0.1 дБ. Поэтому разница будет не большая, а у ТС в расчётах отличие обратных потерь достигает 25 дБ.

[Freesom 15]

6 hours ago, uve said:

Поэтому разница будет не большая, а у ТС в расчётах отличие обратных потерь достигает 25 дБ.

Ну так у него и получается небольшая разница: 25 дБ это всего 0,2% разницы по мощности, а если бы он случайно поймал полное согласование где сейчас -54дБ, разница была бы вообще 200 дБ, и то потому что CST больше не покажет)

6 hours ago, uve said:

В том то и дело, что в этой схеме потери будут около 0.1 дБ.

где-то он ещё 0.2 дБ потерял, хотя с такими портами там сходу непонятно куда что потерялось.

[uve 3]

Freesom, спасибо за участие. Для сравнения настроил эту согласующую цепь с номиналами элементов из ПДФ для "своих" частот. Прямые потери S12 = -0.072 dB. Расчёт в HFSS:

Изменено 2 августа, 2021 пользователем uve

[Konstantin_Alexandrovich 0]

14 hours ago, Freesom said:

Какой смысл порта с сопротивлением 5 ом и шириной с 50-омную линию?

Мало смысла, но места нет для широких проводников:

 

4 hours ago, Freesom said:

где-то он ещё 0.2 дБ потерял

потери в сосредеточенных элементах, не? Они же заданы не идеальными, а в виде s-параметров для каждого part number'а. 

[Freesom 15]

1 minute ago, Konstantin_Alexandrovich said:

потери в сосредеточенных элементах, не? Они же заданы не идеальными, а в виде s-параметров для каждого part number'а

Там в дереве 1D результатов есть папка Power, в ней потери разложены по полочкам - в материалах, элементах, что ушло на излучение и т.д. Вот это интересно в первую очередь.

[Konstantin_Alexandrovich 0]

Это для порта #1: Потери только в сосредоточенных элементах, металлы и диэлектрики по нулям всё