Jump to content

    
def_rain

Стек 8 слойной платы

Recommended Posts

Здравствуйте.

вот пример стека платы

TOP-PWR(3.3V)-GND-SIGN-SIGN-GND-PWR(5V;1.9V)-BOT

Сигнальные дорожки есть и на ТОПе тоже(в небольшом кол-ве). 

Отсюда у меня и возник вопрос. Получается что в этом случае опорный полигон для дорожек на топе будет PWR(3.3V). Сам полигон этот цельный, не рваный.

Нормально ли вообще что опорный для сигнальных дорожек является полигон питания?

Не навредит ли обратным токам? Или они по нему так же протекают как и в случае если это был бы GND?

Share this post


Link to post
Share on other sites
2 часа назад, def_rain сказал:

Нормально ли вообще что опорный для сигнальных дорожек является полигон питания?

Опорный для чего? Для линии передачи? Ей пофигу, главное что металл и цельный.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Для высокочастотных сигналов, слои питания можно считать эквивалентными.

Но в вашем случае можно ведь сделать чередование Top-Gnd- sign-pwr- pwr1-sign-gnd-bot, тогда для всех сигнальных слоев земляной слой.

Share this post


Link to post
Share on other sites
14 hours ago, Arlleex said:

Опорный для чего? Для линии передачи? Ей пофигу, главное что металл и цельный.

Да, для линии передач. Спасибо

3 hours ago, Александр77 said:

Для высокочастотных сигналов, слои питания можно считать эквивалентными.

Но в вашем случае можно ведь сделать чередование Top-Gnd- sign-pwr- pwr1-sign-gnd-bot, тогда для всех сигнальных слоев земляной слой.

Да, я думал над таким стеком как Вы предлагаете. Но у него, как мне кажется, есть недостатки по сравнению с тем что я предлагаю:

1. Это два распределенных конденсатора, которые образуются парами слоёв 2-3 и 6-7 (PWR и GND через тонкий препрег = высокочастотный конденсатор)

2. В моем варианте слой 3.3В ближе к ТОПу, что лучше для питания микросхем. (GND тоже не глубоко)

Share this post


Link to post
Share on other sites

Если всю трассировку внутри можно сделать ортогональной, то хороший стэк. Если есть BGA, из-под которой нужно будет выходить одинаково на разных слоях, то уже все далеко не так хорошо.

Ну и вопрос импедансов на внутренних слоях. Чтобы они были вменяемыми сигнал-плэйн нужен в районе 100-200мкм.

Share this post


Link to post
Share on other sites

если pwr=3.3v, то пофиг что-где и в каких слоях.

20 hours ago, def_rain said:

Нормально ли

нормально

20 hours ago, def_rain said:

Не навредит

не навредит

Share this post


Link to post
Share on other sites
31 minutes ago, Uree said:

Если всю трассировку внутри можно сделать ортогональной, то хороший стэк. Если есть BGA, из-под которой нужно будет выходить одинаково на разных слоях, то уже все далеко не так хорошо.

Ну и вопрос импедансов на внутренних слоях. Чтобы они были вменяемыми сигнал-плэйн нужен в районе 100-200мкм.

Да, вот я тоже всё думал об ортогональности, вроде должно получиться в целом по плате, она далеко не маленькая будет... но, Вы правы, не подумал как буду из под BGA выводить! Поэтому всё таки разделю эти два сигнальных слоя полигоном. Заодно получится как полноценная симметричная полосковая линия.

TOP-GND-PWR(3V3)-Sign-GND-Sign-PWR(5V0;1V9)-BOT

Расстояние сигнал-полигон 125мкм (FR4 2116) 

Ядро FR4 0.3мм

Как раз типовая резонитовская сборка стека.

 

steck.jpg

Share this post


Link to post
Share on other sites

Один момент по поводу питаний. Если предполагается именно так их раскладывать, как описано в стэке, то я бы советовал подумать над перемещением 1V9 на 3-й слой. Если я правильно догадываюсь, это похоже на питание ядра проца, а такие вещи лучше размещать как можно ближе к потребителю. Тут слой уже может иметь значение.

Share this post


Link to post
Share on other sites
18 minutes ago, Uree said:

Один момент по поводу питаний. Если предполагается именно так их раскладывать, как описано в стэке, то я бы советовал подумать над перемещением 1V9 на 3-й слой. Если я правильно догадываюсь, это похоже на питание ядра проца, а такие вещи лучше размещать как можно ближе к потребителю. Тут слой уже может иметь значение.

1V9 Это питание ядра BGA проца. Спасибо за совет. Перемещу как Вы сказали.

TOP-PWR(5V0;1V9)-GND-Sign-GND-Sign-PWR(3V3)-BOT

PWR(5V0;1V9) сделал вторым слоем он рваныйна ТОПе все равно дорог мало. Вторая причина, чтобы была связка GND-(125мкм)-Sign-(300мкм)-GND-(125мкм)-Sign для нужного импеданса

Share this post


Link to post
Share on other sites
19 часов назад, def_rain сказал:

TOP-PWR(5V0;1V9)-GND-Sign-GND-Sign-PWR(3V3)-BOT

Я бы все-таки переставил 2 и 3 слои -- GND важнее, а также позволит иметь один неразрывный опорный полигон под сигналами на TOP, Вы же не будете тянуть полигон 1V9 по всей длине своих сигналов и у Вас будут разрывы в опоре.

Share this post


Link to post
Share on other sites
9 minutes ago, vladec said:

GND важнее, а также позволит иметь один неразрывный опорный полигон под сигналами

Имхо, очень правильное утверждение.

Второй и предпоследний слой GND позволяют спрятать всю "электромагнитную жизнь" проводников от внешнего мира и обеспечить качественную опору для скоростных дифпар.

Share this post


Link to post
Share on other sites
32 minutes ago, vladec said:

Я бы все-таки переставил 2 и 3 слои -- GND важнее, а также позволит иметь один неразрывный опорный полигон под сигналами на TOP, Вы же не будете тянуть полигон 1V9 по всей длине своих сигналов и у Вас будут разрывы в опоре.

Вообще получается без разрывов  в опоре, сам полигон маленький DC-DC преобразователь рядом с процом... Дело в том, что на топе почти нет дорожек. Они во внутренних слоях, поэтому я и думаю переместить землю ближе к ним. Чтобы у сигнальных слоев опорный был GND.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Пожалуй, не буду создавать тему ради вопроса около. Теоретически-практический вопрос. С точки зрения обеспечения неизменности импеданса (и его контроля) между сигнальным и его опорным слоями должно быть ядро или препрег? Сейчас у меня на верхнем слое расположены высокоскоростные диффпары, под ним через препрег в 70мкм (специальный LDP препрег для HDI плат) - опорный GND. Все рассчиталось практически до идеальных 100Ом, однако голову взболомутил дядька на ютубе с альтиум-тусовки, сказав, что для high-speed-ов пара "сигнальный/опорный" должна разделяться ядром. Это действительно так?

Share this post


Link to post
Share on other sites
2 hours ago, Arlleex said:

практически до идеальных 100Ом,

Не на то ты тратишь свое время. Разница между 80, 100 и 120 Омами имеет значение не больше, чем с какой ноги с утра вставать, ну если ты не суеверен конечно.

А этот "дядька" напомнил мне одновременно обоих персонажей из анекдота про сантехников ("учись, студент, а то так и будешь всю жисть ключи подавать").

Не хочешь ни ключи подавать, ни в говно нырять? Тогда научись расставлять приоритеты и определять что важно, а что нет.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.