[my504 2]

1 minute ago, ViKo said:

При расчете температуры пользуются понятием "junction temperature". Как вы считаете, my504 - это что?

Это в прямом переводе - температура полупроводникового перехода, а в нормативном смысле - интегральная температура КРИСТАЛЛА без учета тепловых пятен тока.

[ViKo 1]

В расчетах температура кристалла высчитывается относительно температуры среды (она же - температура во всём объёме корпуса микросхемы, пока она не включена). А при работе уже возникает градиент, определяемый по тепловому сопротивлению. Так что мы учитываем температуру не на поверхности корпуса, а ту, что даёт среда в начальный момент. 

5 минут назад, my504 сказал:

Это в прямом переводе - температура полупроводникового перехода, а в нормативном смысле - интегральная температура КРИСТАЛЛА без учета тепловых пятен тока.

Вот видите - кристалла... внутри корпуса. А не поверхности корпуса.

То есть, ваши придирки, что нас не интересует температура внутри корпуса микросхемы - необоснованны.

И возникает законный вопрос - что вы имели ввиду под "внутренней температурой в корпусе".

[my504 2]

8 minutes ago, ViKo said:

В расчетах температура кристалла высчитывается относительно температуры среды

Если бы Вы открыли даташит на обсуждаемый чип, то поняли бы причину возникновения этой темы. Дело в том, что на обсуждаемый корпус этого чипа даташит НЕ ПРИВЕЛ температурное сопротивление переход-среда (junction to ambient), а имеется только junction to case. То есть между кристаллом и поверхностью корпуса. Обратите внимание, последняя величина - всего 2 Ватта/град. А корпус-среда остальные примерно 50...60.

ЗЫ. И в догон. Для корпусов с пайкой корпуса на подложку температурой корпуса считают не температуру пластика, а температуру подложки. Это так... Для точности.

[zombi 0]

57 minutes ago, my504 said:

 Только учтите, что делать отверстия под самим корпусом достаточно стремно при автоматической пайке. Припой уйдет из под корпуса.

в отверстие 0.2 мм припой не уйдёт, а в 0.3 мм уйдёт?

[my504 2]

1 minute ago, zombi said:

в отверстие 0.2 мм припой не уйдёт, а в 0.3 мм уйдёт?

 

 

Увы, не знаю. Я в последнем своем серийном изделии сделал отверстия 0,2 на термоПЭДе преобразователя в DFN8 как рекомендует даташит НА СВОЙ СТРАХ И РИСК. Потому что у меня была история, когда припой уходил при отверстиях 0,4.

[zombi 0]

Ясно. Буду знать.

[my504 2]

17 minutes ago, ViKo said:

что вы имели ввиду под

Мне кажется, что мы всё друг другу уже сказали. Автор темы понял меня правильно и это единственный критерий истины в данном случае. Причины Вашей критики мне в общем понятны и они лежат не в технической плоскости...

[ViKo 1]

9 минут назад, my504 сказал:

последняя величина - всего 2 Ватта/град

2 градуса на ватт. Хороший корпус, с железякой. Увы, тепло на свою поверхность он выдаёт хорошо, а куда дальше тепло передавать - голова болит у разработчика.

[my504 2]

Just now, ViKo said:

голова болит у разработчика.

Собственно с этой болью он и обратился.

4 minutes ago, zombi said:

Буду знать.

Внесу еще уточнение. Проблема часто заключается в качестве паяльной пасты у монтажной конторы. При малом содержании металлической компоненты пасты и при даже допустимых отверстиях припой может уйти. Я недавно проверял целую партию плат тепловизором, чтобы понять какие "попы" припаяны нормально, а где халтура...

[zombi 0]

2 hours ago, my504 said:

То есть между кристаллом и поверхностью корпуса. Обратите внимание, последняя величина - всего 2 Ватта/град.

Это плохо или хорошо?

Какой должна быть эта величина как правило?

Может мне тип LDO поменять или ещё что...

Сейчас рассматриваю возможность поставить последовательно пару диодов типа MBRS130LT3G 

с целью снижения поступающего на LDO напряжения и распределения выделяемого тепла между всеми компонентами.

[my504 2]

Это очень хорошо, но при условии отвода тепла от корпуса. То есть между чипом и подложкой разницы температуры практически не будет.

[zombi 0]

А не будет ли LM1117 в таком же корпусе TO-263 греться меньше чем MIC29150 при одинаковом входном напряжении и одинаковом токе нагрузки?

При Iout = 500 mA у LM Dropout Voltage примерно 1V, а у MIC в тех же условиях чуть меньше чем 0.2V.

Или Dropout Voltage на температуру никак не влияет?

 

[ViKo 1]

2 часа назад, zombi сказал:

Это плохо или хорошо?

Хорошо. Только my504 неправильно перевёл, будет повышение температуры (кристалла) на 2 градуса при рассеиваемой мощности 1 Вт.
Но это ничего не даёт, если нет хорошего отвода от железяки в окружающую среду. Нужно обеспечить малое тепловое сопротивление от кристалла до окружающей среды. Пока пройдено лишь полпути. Дальше нужен радиатор. Вентилятор. Перфорация. Тепловые трубки. И т.п.

Dropout у вас будет всё то же, разность напряжений на входе и на выходе стабилизатора. Меньше не станет. И рассеиваемая мощность, естественно - та же. А вот если тепловое сопротивление от кристалла до металлической подложки будет больше, чем у MIC29150 (а оно же наверняка больше), то перегреваться кристалл будет больше при остальных одинаковых условиях.

  

[my504 2]

6 hours ago, zombi said:

Или Dropout Voltage на температуру никак не влияет?

Во первых, я действительно опечатался. 2 град/Ватт, естественно. Считал я при этом правильно. Прошу извинить.

Во вторых, как справедливо отметил ViKo, Dropout Voltage - это минимальное его значение при котором стабилизатор еще работает. При меньших значениях он вывалится из стабилизации. К обсуждаемому режиму это не имеет отношения.

В третьих, перфорация с помощью via (переходных отверстий) решит проблему и будет использовать полигон на bottom в качестве радиатора. Отверстия по периметру ПЭДа подложки корпуса (прямо вплотную их натыкать) будут достаточны. Еще полезно вскрыть маску на bottom (нижней стороне п/п) под корпусом микросхемы так, чтобы via оказались внутри зоны вскрытия с хорошим запасом. Ну то есть окно стоит взять раза в два...три больше по линейной геометрии корпуса микросхемы.

Ну и по поводу LM1117. Проблема этой микросхемы в том, что ее подложка соединена с выходом, а не с общим. Ну и ее температурное сопротивление даже в DPAK в 5 раз хуже, чем у MIC - 10 град/Ватт. А в SOT223 вообще 15. Этим уже нельзя пренебречь.

[Plain 168]

20 часов назад, zombi сказал:

температура LDO при комнатной температуре ~ 75-80 °C ... Имеет ли смысл заменить LDO на импульсный ... Даст ли такая замена радикальное снижение температуры внутри корпуса всего изделия?

Нет, лишь температура микросхемы, а нынешние 35°C общего перегрева уменьшатся на 9...10°C.

 

Для жабоудушенного ТЗ, логично навтыкать последовательно с нынешним линейным стабилизатором резисторов, припаянных на обратной стороне ПП и разнесённых друг от друга — при условии соблюдения её проходного напряжения и сохранения блокировочного конденсатора на его месте.