Jump to content

    
Sign in to follow this  
zombi

LDO MIC29150 температура корпуса

Recommended Posts

1 minute ago, ViKo said:

При расчете температуры пользуются понятием "junction temperature". Как вы считаете, my504 - это что?

Это в прямом переводе - температура полупроводникового перехода, а в нормативном смысле - интегральная температура КРИСТАЛЛА без учета тепловых пятен тока.

Share this post


Link to post
Share on other sites

В расчетах температура кристалла высчитывается относительно температуры среды (она же - температура во всём объёме корпуса микросхемы, пока она не включена). А при работе уже возникает градиент, определяемый по тепловому сопротивлению. Так что мы учитываем температуру не на поверхности корпуса, а ту, что даёт среда в начальный момент. 

5 минут назад, my504 сказал:

Это в прямом переводе - температура полупроводникового перехода, а в нормативном смысле - интегральная температура КРИСТАЛЛА без учета тепловых пятен тока.

Вот видите - кристалла... внутри корпуса. А не поверхности корпуса.

То есть, ваши придирки, что нас не интересует температура внутри корпуса микросхемы - необоснованны.

И возникает законный вопрос - что вы имели ввиду под "внутренней температурой в корпусе".

Share this post


Link to post
Share on other sites
8 minutes ago, ViKo said:

В расчетах температура кристалла высчитывается относительно температуры среды

Если бы Вы открыли даташит на обсуждаемый чип, то поняли бы причину возникновения этой темы. Дело в том, что на обсуждаемый корпус этого чипа даташит НЕ ПРИВЕЛ температурное сопротивление переход-среда (junction to ambient), а имеется только junction to case. То есть между кристаллом и поверхностью корпуса. Обратите внимание, последняя величина - всего 2 Ватта/град. А корпус-среда остальные примерно 50...60.

ЗЫ. И в догон. Для корпусов с пайкой корпуса на подложку температурой корпуса считают не температуру пластика, а температуру подложки. Это так... Для точности.

Share this post


Link to post
Share on other sites
57 minutes ago, my504 said:

 Только учтите, что делать отверстия под самим корпусом достаточно стремно при автоматической пайке. Припой уйдет из под корпуса.

в отверстие 0.2 мм припой не уйдёт, а в 0.3 мм уйдёт?

7.jpg.8f174104bfba7141a41bc3300ac363fb.jpg

8.thumb.jpg.bd5d0181ef463d76e293ee32b59ff5ab.jpg

Share this post


Link to post
Share on other sites
1 minute ago, zombi said:

в отверстие 0.2 мм припой не уйдёт, а в 0.3 мм уйдёт?

 

 

Увы, не знаю. Я в последнем своем серийном изделии сделал отверстия 0,2 на термоПЭДе преобразователя в DFN8 как рекомендует даташит НА СВОЙ СТРАХ И РИСК. Потому что у меня была история, когда припой уходил при отверстиях 0,4.

Share this post


Link to post
Share on other sites
17 minutes ago, ViKo said:

что вы имели ввиду под

Мне кажется, что мы всё друг другу уже сказали. Автор темы понял меня правильно и это единственный критерий истины в данном случае. Причины Вашей критики мне в общем понятны и они лежат не в технической плоскости...

Share this post


Link to post
Share on other sites
9 минут назад, my504 сказал:

последняя величина - всего 2 Ватта/град

2 градуса на ватт. Хороший корпус, с железякой. Увы, тепло на свою поверхность он выдаёт хорошо, а куда дальше тепло передавать - голова болит у разработчика.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Just now, ViKo said:

голова болит у разработчика.

Собственно с этой болью он и обратился.

4 minutes ago, zombi said:

Буду знать.

Внесу еще уточнение. Проблема часто заключается в качестве паяльной пасты у монтажной конторы. При малом содержании металлической компоненты пасты и при даже допустимых отверстиях припой может уйти. Я недавно проверял целую партию плат тепловизором, чтобы понять какие "попы" припаяны нормально, а где халтура...

Share this post


Link to post
Share on other sites
2 hours ago, my504 said:

То есть между кристаллом и поверхностью корпуса. Обратите внимание, последняя величина - всего 2 Ватта/град.

Это плохо или хорошо?

Какой должна быть эта величина как правило?

Может мне тип LDO поменять или ещё что...

Сейчас рассматриваю возможность поставить последовательно пару диодов типа MBRS130LT3G 

с целью снижения поступающего на LDO напряжения и распределения выделяемого тепла между всеми компонентами.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Это очень хорошо, но при условии отвода тепла от корпуса. То есть между чипом и подложкой разницы температуры практически не будет.

Share this post


Link to post
Share on other sites

А не будет ли LM1117 в таком же корпусе TO-263 греться меньше чем MIC29150 при одинаковом входном напряжении и одинаковом токе нагрузки?

При Iout = 500 mA у LM Dropout Voltage примерно 1V, а у MIC в тех же условиях чуть меньше чем 0.2V.

Или Dropout Voltage на температуру никак не влияет?

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
2 часа назад, zombi сказал:

Это плохо или хорошо?

Хорошо. Только my504 неправильно перевёл, будет повышение температуры (кристалла) на 2 градуса при рассеиваемой мощности 1 Вт.
Но это ничего не даёт, если нет хорошего отвода от железяки в окружающую среду. Нужно обеспечить малое тепловое сопротивление от кристалла до окружающей среды. Пока пройдено лишь полпути. Дальше нужен радиатор. Вентилятор. Перфорация. Тепловые трубки. И т.п.

Dropout у вас будет всё то же, разность напряжений на входе и на выходе стабилизатора. Меньше не станет. И рассеиваемая мощность, естественно - та же. А вот если тепловое сопротивление от кристалла до металлической подложки будет больше, чем у MIC29150 (а оно же наверняка больше), то перегреваться кристалл будет больше при остальных одинаковых условиях.

  

Share this post


Link to post
Share on other sites
6 hours ago, zombi said:

Или Dropout Voltage на температуру никак не влияет?

Во первых, я действительно опечатался. 2 град/Ватт, естественно. Считал я при этом правильно. Прошу извинить.

Во вторых, как справедливо отметил ViKo, Dropout Voltage - это минимальное его значение при котором стабилизатор еще работает. При меньших значениях он вывалится из стабилизации. К обсуждаемому режиму это не имеет отношения.

В третьих, перфорация с помощью via (переходных отверстий) решит проблему и будет использовать полигон на bottom в качестве радиатора. Отверстия по периметру ПЭДа подложки корпуса (прямо вплотную их натыкать) будут достаточны. Еще полезно вскрыть маску на bottom (нижней стороне п/п) под корпусом микросхемы так, чтобы via оказались внутри зоны вскрытия с хорошим запасом. Ну то есть окно стоит взять раза в два...три больше по линейной геометрии корпуса микросхемы.

Ну и по поводу LM1117. Проблема этой микросхемы в том, что ее подложка соединена с выходом, а не с общим. Ну и ее температурное сопротивление даже в DPAK в 5 раз хуже, чем у MIC - 10 град/Ватт. А в SOT223 вообще 15. Этим уже нельзя пренебречь.

Share this post


Link to post
Share on other sites
20 часов назад, zombi сказал:

температура LDO при комнатной температуре ~ 75-80 °C ... Имеет ли смысл заменить LDO на импульсный ... Даст ли такая замена радикальное снижение температуры внутри корпуса всего изделия?

Нет, лишь температура микросхемы, а нынешние 35°C общего перегрева уменьшатся на 9...10°C.

 

Для жабоудушенного ТЗ, логично навтыкать последовательно с нынешним линейным стабилизатором резисторов, припаянных на обратной стороне ПП и разнесённых друг от друга — при условии соблюдения её проходного напряжения и сохранения блокировочного конденсатора на его месте.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

Sign in to follow this