объясните чем отличаются LVT и SLVT в GF FDSOI 22nm (22FDX) процессе

[yes 0]

это взаимозаменяемые библиотеки, то есть техпроцесс один

при этом внутри LVT (и SLVT) есть несколько библиотек с разной длиной затвора 20-36nm - соответственно чем толще, тем медленнее, но зато утечки меньше

и по характеристикам эти LVT/SLVT практически перекрываются (типа самая быстрая LVT (20nm) практически такая же как самая медленная SLVT (36nm)), при одинаковой длине SLVT быстрее

во всех библиотеках одинаковые ячейки одного размера (то есть взаимозаменяемы на лэйоуте для улучшения времянки)

------------------------

вопрос из любопытства - физически (конструкция ячейки на транзисторах) в чем отличие LVT и SLVT ? например HVT от LVT отличается полярностью *well (по нашему "карманов"?) - то есть HVT как по книжкам N транзистор в p-well, а LVT в n-well (flipped well)

предполагаю, что SLVT отличается от LVT еще подачей смещения на подложку (forward biased), но тогда должен быть какой-то еще источник, какие-то ограничения на размещения LVT и SLVT ячеек рядом и т.п.

практический вопрос - какие накладные расходы на использование SLVT элементов вместо LVT? кроме большой утечки, ес-сно

-----------------------

я не очень в технологических тонкостях разбираюсь, поэтому если вопрос слишком примитивный или мое понимание неверно, прошу растолковать

 

 

[Losik 0]

основное отличие HVT LVT SLVT библиотек это пороги транзисторов которые используется для гейтов. по порогам от большего к меньшему HVT LVT SLVT.

SLVT гейты могут работать  нормально уже от 0.3V. смещение карманов не связана с типом транзисторов. изменяя напряжение смещения, меняют порог транзистора и это влияет на скорость работы и потребление.  смещать можно любые ячейки и это делается двумя доп генераторами напряжения (+/-2V для 22FDX) генераторы можно купить или сделать самому. ячейки вроде как можно миксовать, ограничений я не помню, но это не точно. SLVT требует доп масок, что скажется на стоимости чипа.  

[yes 0]

спасибо

еще вопрос по поводу углов (PVT) для LVT библиотек - с процессом/температурой все так как и раньше, а вот с напряжением:

присутствует 4-ре группы - первая Vcc core (так же как и раньше было); вторая - не знаю, всегда 0; третья и четвертая смещение карманов (как я понял) 0.7В и -1.5В 

то есть не 9 углов а больше

----------------

вопрос, какая из них worse (брать для сетапов синтезу)? 

GF22FDX_SC7P5T_116CPP_BASE_CSC36L_SSG_0P72V_0P00V_0P00V_0P00V_125C.lib.gz
GF22FDX_SC7P5T_116CPP_BASE_CSC36L_SSG_0P72V_0P00V_0P00V_0P00V_M40C.lib.gz  <--- ?
GF22FDX_SC7P5T_116CPP_BASE_CSC36L_SSG_0P72V_0P00V_0P60V_M1P00V_125C.lib.gz
GF22FDX_SC7P5T_116CPP_BASE_CSC36L_SSG_0P72V_0P00V_0P70V_M1P50V_M40C.lib.gz

вообще, зачем для LVT дают библиотеки с этими смещениями?

---------------

в дополнение к первому сообщению - для изменения порога кроме подачи напряжения используется еще и тип кармана (это для RVT / HVT, которые мне на практике не нужны, было просто интересно)

картинка не из официальной документации, а какая-то статья из сети

[Nick_K 0]

2 hours ago, yes said:

GF22FDX_SC7P5T_116CPP_BASE_CSC36L_SSG_0P72V_0P00V_0P00V_0P00V_125C.lib.gz

Worst corner для сетап синтез, всегда наибольшая температура и наименьшее напряжение. То есть ноль вольт земли/смещения и +125 С. Остальніе библиотеки будут полезні в павер анализе или для анализа Холдов, к примеру.

[Aleх 0]

3 hours ago, yes said:

вопрос, какая из них worse (брать для сетапов синтезу)? 

GF22FDX_SC7P5T_116CPP_BASE_CSC36L_SSG_0P72V_0P00V_0P00V_0P00V_125C.lib.gz
GF22FDX_SC7P5T_116CPP_BASE_CSC36L_SSG_0P72V_0P00V_0P00V_0P00V_M40C.lib.gz  <--- ?
GF22FDX_SC7P5T_116CPP_BASE_CSC36L_SSG_0P72V_0P00V_0P60V_M1P00V_125C.lib.gz
GF22FDX_SC7P5T_116CPP_BASE_CSC36L_SSG_0P72V_0P00V_0P70V_M1P50V_M40C.lib.gz

вообще, зачем для LVT дают библиотеки с этими смещениями?

SSG -slow slow global, модель транзистора, питание и температуру вы написали. Это все слоу корнера, любой из них может быть худшим при определенных условиях. Советую найти в документации Timing Sign-Off guide и в нем таблицу mandatory corners - там список корнеров всяко меньше, чем полный комплект от фаба. Берите оттуда любой слоу корнер, либо все слоу (если синтез MCMM/MMMC). Но на мой взгляд, в синтезе не принципиально - взяли вы просто медленный корнер или самый-самый медленный.

p.s.

Касательно угла М40 - он может быть слоу из-за т.н. температурной инверсии - при снижении температуры растет порог, и если питание низкое, то порог начинает сильно влиять на задержки, они растут - угол становится слоу.

Edited January 18 by Aleх

[yes 0]

фаб говорит, что нужно брать со смещениями

GF22FDX_SC7P5T_116CPP_BASE_CSC36L_SSG_0P72V_0P00V_0P70V_M1P50V_M40C.lib.gz

предполагаю, что это смещение в сторону увеличения Vt (reverse), но не разобрался что к чему относится в названии, наверно 0.7 это максимум из-за какого-нибудь прямого смещения (паразитного) диода, то есть к p-well (но нет пока времени разобраться)

-------------------------------------

там активно продвигается технология адаптивной подстройки напряжения на подложку

https://www.dolphin-design.fr/adaptative-body-bias-ip/

но мы не используем

[Aleх 0]

Да это много кто делает, вот еще ссылка

https://racyics.de/products/abb-ip-platform/

Конкретно долфин известен в РФ низкими ценами и отвратительной тех. пождержкой. По первой причине очень популярен в РФ (ну и наутех их впаривает изо всех сил). С другой стороны - саппорт какой никакой но есть.

 

У фаундри должна быть дока на стандарт селлы, где расшировываются названия либов. Скорее всего приведенный корнер имеет высокий порог, что в сочетании с м40 и низким питанием дает нам слоу.