byRAM 0 Posted January 14 · Report post Увеличиваем R2 в 10 раз - ничего не меняется: Quote Ответить с цитированием Share this post Link to post Share on other sites
MrBearManul 0 Posted January 14 · Report post 7 часов назад, byRAM сказал: VD1 должен быть стабилитроном, подключенным анодом к земле, а катодом - к базе. Уточню, что не обязательно стабилитрон. Достаточно и двух последовательно включенных диодов. Quote Ответить с цитированием Share this post Link to post Share on other sites
Raven 0 Posted January 14 · Report post Вообще-то, насколько я помню, источником тока может служить схема ОБ (стабильный ток коллектора), причем без особых ухищрений. Quote Ответить с цитированием Share this post Link to post Share on other sites
byRAM 0 Posted January 14 · Report post Только что, Raven сказал: Вообще-то, насколько я помню, источником тока может служить схема ОБ (стабильный ток коллектора), причем без особых ухищрений. Да много ещё других вариантов: токовое зеркало, линейный стабилизатор, включённый по схеме стабилизатора тока, источник тока на ОУ и транзисторе. Главное, что обсуждаемая схема не может ток стабилизировать в принципе, поэтому анализировать её дальше нет никакого смысла. Quote Ответить с цитированием Share this post Link to post Share on other sites
Джун 0 Posted January 14 · Report post Со схемой ясно. А на самый главный вопрос так и не отвентили уменьшение базы(Эрли) это и есть компенсация и изменение напряжения питания? Quote Ответить с цитированием Share this post Link to post Share on other sites
Plain 0 Posted January 14 · Report post Ваша схема токового зеркала неполная, потому что сопротивление есть у любого проводника, у диода в т.ч., которое точно так же является функцией от объёма материала, а в случае нынешней технологии изготовления, это функция от рабочей площади p-n-перехода, следовательно, задающий и заданный токи на Вашей схеме относятся почти как площади p-n-переходов диода и транзистора, т.е. как RD и RЭ, потому что напряжения на собственно полупроводниковых p-n-переходах зависят только от их токов, которые предположительно желаемо одинаковые, и их температуры, которая в данном случае тоже скорее всего одинаковая, и, таким образом, про отрицательную обратную связь, созданную RЭ,— если бы ток коллектора увеличился, увеличилось бы и напряжение на RЭ, а на БЭ пропорционально уменьшилось бы, тогда баланс общего задающего тока между диодом и базой сместился бы в сторону диода, т.е. ток базы уменьшился бы, а следовательно и ток коллектора. Quote Ответить с цитированием Share this post Link to post Share on other sites
Джун 0 Posted January 14 · Report post Ааа то есть увеличившийся ток базы забрал бы диод, вон как, диод компенсатор??? Quote Ответить с цитированием Share this post Link to post Share on other sites
Джун 0 Posted January 14 · Report post Один вопрос решил, второй вылез. Почему в данном случае про диод говорят что у него скорость изменения напряжения выше (производная) чем у п-н перехода транзистора? Quote Ответить с цитированием Share this post Link to post Share on other sites
Plain 0 Posted January 14 · Report post 1 час назад, Джун сказал: то есть увеличившийся ток базы забрал бы диод, вон как, диод компенсатор? Да, только не увеличившийся, а уменьшившийся — по закону Ома, ток Вашего R1 всегда делят между собой диод и база транзистора. 27 минут назад, Джун сказал: Почему в данном случае про диод говорят что у него скорость изменения напряжения выше (производная) чем у п-н перехода транзистора? Что за данный случай? На Вашей схеме всё статично, никаких источников сигналов нет. Если же речь о ёмкости и величине заряда восстановления, то это зависит от конструкции, т.е. пропорций площадей на кристалле, форм областей, и т.д. Quote Ответить с цитированием Share this post Link to post Share on other sites
Джун 0 Posted January 14 · Report post Только что, Plain сказал: Что за данный случай? На Вашей схеме всё статично, никаких источников сигналов нет. Если же речь о ёмкости и величине заряда восстановления, то это зависит от конструкции, т.е. пропорций площадей на кристалле, форм областей, и т.д. Не, я имел ввиду когда диод в базе для термокомпенсации и вот тут почему-то говорят про скорость изменения напряжения(производная) диода вот я про что? Quote Ответить с цитированием Share this post Link to post Share on other sites
Plain 0 Posted January 14 · Report post Какие-то сказки. Quote Ответить с цитированием Share this post Link to post Share on other sites
Джун 0 Posted January 14 · Report post Ну наверно я что то напутал... Много что нового узнал. Я там новую тему начал) Quote Ответить с цитированием Share this post Link to post Share on other sites