byRAM 24 14 января, 2021 Опубликовано 14 января, 2021 · Жалоба Увеличиваем R2 в 10 раз - ничего не меняется: Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
MrBearManul 0 14 января, 2021 Опубликовано 14 января, 2021 · Жалоба 7 часов назад, byRAM сказал: VD1 должен быть стабилитроном, подключенным анодом к земле, а катодом - к базе. Уточню, что не обязательно стабилитрон. Достаточно и двух последовательно включенных диодов. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Raven 8 14 января, 2021 Опубликовано 14 января, 2021 · Жалоба Вообще-то, насколько я помню, источником тока может служить схема ОБ (стабильный ток коллектора), причем без особых ухищрений. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
byRAM 24 14 января, 2021 Опубликовано 14 января, 2021 · Жалоба Только что, Raven сказал: Вообще-то, насколько я помню, источником тока может служить схема ОБ (стабильный ток коллектора), причем без особых ухищрений. Да много ещё других вариантов: токовое зеркало, линейный стабилизатор, включённый по схеме стабилизатора тока, источник тока на ОУ и транзисторе. Главное, что обсуждаемая схема не может ток стабилизировать в принципе, поэтому анализировать её дальше нет никакого смысла. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Джун 3 14 января, 2021 Опубликовано 14 января, 2021 · Жалоба Со схемой ясно. А на самый главный вопрос так и не отвентили уменьшение базы(Эрли) это и есть компенсация и изменение напряжения питания? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Plain 168 14 января, 2021 Опубликовано 14 января, 2021 · Жалоба Ваша схема токового зеркала неполная, потому что сопротивление есть у любого проводника, у диода в т.ч., которое точно так же является функцией от объёма материала, а в случае нынешней технологии изготовления, это функция от рабочей площади p-n-перехода, следовательно, задающий и заданный токи на Вашей схеме относятся почти как площади p-n-переходов диода и транзистора, т.е. как RD и RЭ, потому что напряжения на собственно полупроводниковых p-n-переходах зависят только от их токов, которые предположительно желаемо одинаковые, и их температуры, которая в данном случае тоже скорее всего одинаковая, и, таким образом, про отрицательную обратную связь, созданную RЭ,— если бы ток коллектора увеличился, увеличилось бы и напряжение на RЭ, а на БЭ пропорционально уменьшилось бы, тогда баланс общего задающего тока между диодом и базой сместился бы в сторону диода, т.е. ток базы уменьшился бы, а следовательно и ток коллектора. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Джун 3 14 января, 2021 Опубликовано 14 января, 2021 · Жалоба Ааа то есть увеличившийся ток базы забрал бы диод, вон как, диод компенсатор??? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Джун 3 14 января, 2021 Опубликовано 14 января, 2021 · Жалоба Один вопрос решил, второй вылез. Почему в данном случае про диод говорят что у него скорость изменения напряжения выше (производная) чем у п-н перехода транзистора? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Plain 168 14 января, 2021 Опубликовано 14 января, 2021 · Жалоба 1 час назад, Джун сказал: то есть увеличившийся ток базы забрал бы диод, вон как, диод компенсатор? Да, только не увеличившийся, а уменьшившийся — по закону Ома, ток Вашего R1 всегда делят между собой диод и база транзистора. 27 минут назад, Джун сказал: Почему в данном случае про диод говорят что у него скорость изменения напряжения выше (производная) чем у п-н перехода транзистора? Что за данный случай? На Вашей схеме всё статично, никаких источников сигналов нет. Если же речь о ёмкости и величине заряда восстановления, то это зависит от конструкции, т.е. пропорций площадей на кристалле, форм областей, и т.д. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Джун 3 14 января, 2021 Опубликовано 14 января, 2021 · Жалоба Только что, Plain сказал: Что за данный случай? На Вашей схеме всё статично, никаких источников сигналов нет. Если же речь о ёмкости и величине заряда восстановления, то это зависит от конструкции, т.е. пропорций площадей на кристалле, форм областей, и т.д. Не, я имел ввиду когда диод в базе для термокомпенсации и вот тут почему-то говорят про скорость изменения напряжения(производная) диода вот я про что? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Plain 168 14 января, 2021 Опубликовано 14 января, 2021 · Жалоба Какие-то сказки. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Джун 3 14 января, 2021 Опубликовано 14 января, 2021 · Жалоба Ну наверно я что то напутал... Много что нового узнал. Я там новую тему начал) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться