[SAVC 0]

5 hours ago, ae_ said:

Сохраняйте только рабочую область а не весь рабочий стол. Ваши примеры без потери качества, PNG 256 color, объём сократился в 10+ раз, с 153 кБ до 14 кБ :

upd: если не заморачиватся с сохранением в 8-bit, а оставить 24-bit, то объём получится 153->22 кБ для этой же схемы.

Рамки и иконки занимают объём в разы больше самой схемы.

Да, вот, с графиками это не решает вопрос. Или их не выкладывать?

[SAVC 0]

Озадачился вопросом, какой регулирующий элемент поставить в реальной схеме. Так как мне нужно именно регулируемое сопротивление, J-FET и BJT не подходят. Нужен MOSFET. Выбор пал на BSS83 от NXP.

Глядя на PDF я обрадовался, так как решил, что у него нет встроенного диода. Он бы идеально подошёл. Но как показывает практика, непосредственные измерения и поведение модели, встроенный диод есть.

Хотя, в документации об этом ни слова.

Дальше больше, при попытке измерить параметры этого диода, а именно, пропустить ток через транзистор в обратном направлении, модель ведёт себя так, как будто диода нет.

Вот и я думаю, что это за модель такая и что это за документация такая кривая, и что мне делать. Какой компонент ставить для регулирования сопротивления, неужели (:-O) мемристор ???

circuit2.cir

 

BSS83_N.pdf

Изменено 24 декабря, 2020 пользователем SAVC

[тау 21]

2 часа назад, SAVC сказал:

так как решил, что у него нет встроенного диода.

У всех поголовно мосфетов  есть пара диодов встречно включённых , для N типа анодами соединенных вместе и этой точкой подключены они к подложке (ваш вывод который Вы соединили с истоком). Как только вы подложку соединили с истоком - моментально и бесповоротно образовался диод, шунтирующий сток - исток. То что фирмачи эти диоды не нарисовали - не их вина, а ваша недоработка.  Посмотрите устройство униполярного полевого транзистора. Есть подложка ( ваш вывод 1)  и в ней два кармана иной проводимости чем эта подложка. Вот эти два кармана вместе с подложкой ( вывод 1) и делают эти два диода. Не верю, что Вы хоть раз в жизни не видели этой картинки устройства униполярного транзистора.  Ваш транзистор хоть и полевой, но неидеально симметричный, в нём сток и исток различны, поэтому линейность сопротивления под вопросом для больших напряжений сток исток , т.к. крутизна S по истоку обычно больше чем крутизна по стоку ( в инверсном включении). А это есть нехорошо для попыток делать суперлинейный, с малым КНИ, генератор с мостом Вина. Хотя я не в курсе может Вам этот КНИ и не нужен шибко низкий.

[ae_ 2]

9 hours ago, SAVC said:

Да, вот, с графиками это не решает вопрос. Или их не выкладывать?

Я проверил все схемы и графики из вашего поста с облачными ссылками перед тем, как советовать. Все они примерно в 10 раз уменьшались в объёме при кадрировании. Результаты выкладывать не стану, поверьте на слово. Из 150-170 кБ оставалось 14-17 кБ.

Понятно, что график получается чуть больше схемы из-за более плотного изображения, но буквально на 2 кБ при 8-bit PNG.

[SAVC 0]

тау, я преклоняюсь перед вашими познаниями в области полупроводниковой схемотехники. Сам я таких вещей не знаю, у меня нет профильного образования, и курс по полупроводникам я не слушал.

КНИ скажем 1% меня бы вполне устроил. Я пока так думаю. Может быть, я выбрал не ту схему генератора.

ae_, всё понятно, графики тоже будем кадрировать.

[Tanya 4]

36 минут назад, SAVC сказал:

 Может быть, я выбрал не ту схему генератора.

Лучше в само начале написать, что Вы хотите получить в самом конце.

Лучше поздно. Пока  не поздно.

[Plain 166]

32 минуты назад, SAVC сказал:

выбрал не ту схему генератора

https://electronix.ru/forum/index.php?app=forums&module=forums&controller=topic&id=129262&do=findComment&comment=1525343

[SAVC 0]

Круто, Plain, мне теперь это 2,5 года изучать..

А такой вопрос, третий ОУ корректно будет генерировать синус при изменении частоты сигнала в 2 раза? Потому что мне это нужно.

Tanya, идея в том, чтобы подстраивать частоту генератора при помощи ФАПЧ с колебаниями в выходном контуре, и держать при заданной амплитуде. А потом, по разнице между сигналами, формировать PWM для управления.

Изменено 25 декабря, 2020 пользователем SAVC

[Plain 166]

12 минут назад, SAVC сказал:

изменении частоты сигнала в 2 раза

Заменить первый ОУ на компаратор, заменить его фиксированнные пороги триггера Шмитта на регулируемые, переключаемые аналоговым ключом и создаваемые посредством одного униполярного сигнала управления и одного инвертирующего усилителя. То же самое (один сигнал управления, аналоговый ключ и инвертирующий усилитель) в отношении интегратора.

 

После этого делается типовая ФАПЧ, управляющая уставкой интегратора, и типовая АРУ, управляющая уставкой компаратора. Если нужен большой динамический диапазон, то проще поделить его на декады.

[SAVC 0]

Мне нужно плавное регулирование, ГУН.

Прошу прощения, вы же это и предлагаете. Ещё раз извините.

Или нет? Что-то не могу понять пока, что же именно вы имеете в виду.

[Plain 166]

Само собой, на входе ФАПЧ — опорная частота, на входе АРУ — опорная амплитуда. Для бесшовного стыка диапазонов они должны перекрывать друг друга.

[SAVC 0]

Поставил J-FET..

J111-D.PDF

[SAVC 0]

Как теперь избавиться от биений?

[Plain 166]

Вот это лежало в учебных примерах к LTspice:

 

[SAVC 0]

А можете увеличить график V(out) ? Мне кажется, там тоже биения амплитуды..

Да, я видел подобную же схему, когда вчера гуглил, только с P-транзистором.. но здесь нет чёткой уставки. А мне нужно стабилизировать амплитуду на заданном уровне, вне зависимости от параметров транзистора.