Jump to content
    

SiC MOSFET = высокий КПД источника питания

650 В карбид-кремниевые (SiC) MOSFET компании Wolfspeed имеют самый низкий в отрасли показатель сопротивления

открытого канала и наименьшую его зависимость от температуры, что дает им преимущество не только перед обычными

кремниевыми (Si) 650 В MOSFET, но и перед нитрид-галлиевыми транзисторами.

Полупроводниковые приборы на основе карбида кремния позволяют разработчикам оптимизировать системы питания таким

образом, чтобы одновременно максимизировать удельную мощность, уменьшить размер и вес устройств, а также повысить их КПД.

 

Читать статью >>

 

Wolfspeed_SiC_MOSFET_CRD-06600FF065N_400X82.png

Share this post


Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

×
×
  • Create New...