Схемотехника лабораторных импульсных ИП

[Herz 0]

2 hours ago, wim said:

Я вообще не понимаю сути вопроса - что, так трудно наложить два графика один на другой? ПМСМ это даже в школе умеют.

То есть, Вы это называете моделированием? Я подумал, что использование симуляторов и spice-моделей...

2 hours ago, wim said:

Если надыбали мешок разных сверхдешёвых MOSFET, выбирать из них те, у которых напряжение больше. Чтобы участок вторичного пробоя был заведомо правее рабочей области.

Профессиональный подход к моделированию.

2 hours ago, wim said:

Лично меня не волнуют проблемы любителей.

Строго. По-взрослому. Ну, тогда Вы зря в этой теме - здесь обсуждаются "любительские" конструкции, ИМХО.

18 hours ago, Plain said:

У меня четырёхквадрантного никогда не было, поэтому не в курсе, как быть — схемотехнически, проще сделать симметричные общие и выбирать нужную полярность подключением кабеля. Тот же вопрос иначе — требуется ли смена полярности на лету.

Я бы не стал это закладывать, по крайней мере, изначально. ИМХО, такая опция опасна.

 

2 hours ago, Plain said:

Это да, а в биполярном класс D, каскадно с биполярным линейным, поэтому на выходе четыре вольтодобавки.

Для класса D, пожалуй MOSFET-а в ключевом режиме достаточно.

[wim 0]

1 час назад, Herz сказал:

использование симуляторов и spice-моделей...

Да, а ещё я люблю всякие графики рисовать. LTSpice --> Excel.

1 час назад, Herz сказал:

Ну, тогда Вы зря в этой теме - здесь обсуждаются "любительские" конструкции, ИМХО.

Отнюдь нет. Я как раз даю любителям советы, как им получить "many experience" и "level up".

1 час назад, Herz сказал:

Профессиональный подход к моделированию.

Судя по предыдущим высказываниям, Вы, вероятно, думаете, что симулятор это такое сильное колдунство, которым можно промоделировать всё, что угодно?  Я Вас огорчу - многие вещи в симуляторах не решаются вообще никак. Профессиональный подход - это получение гарантированного результата.

[haker_fox 0]

5 hours ago, khach said:

Пререгулятор делать с цепью буста для базы

А по какой топологии наиболее предподчительно с целью минимизации помех? Так, чтобы этот лабораторник годился для отладки аналоговых схем?

5 hours ago, khach said:

Прямое падение выбрать в районе 1.2-1.5В.

Можно же его включить как в low-drop стабилизаторах. Правда корректировать тяжелее, чем схему с эмиттерным повторителем.

[Herz 0]

54 minutes ago, wim said:

Судя по предыдущим высказываниям, Вы, вероятно, думаете, что симулятор это такое сильное колдунство, которым можно промоделировать всё, что угодно? 

Именно на то, что это не так, я и пытался обратить внимание. Ведь это же Вы заявили, что "проблемы у двоечников, которые не умеют считать/моделировать линейные схемы".

Вот я и уточняю, о каком моделировании речь, особенно в отсутствие адекватных моделей.

[khach 0]

10 minutes ago, haker_fox said:

А по какой топологии наиболее предподчительно с целью минимизации помех? Так, чтобы этот лабораторник годился для отладки аналоговых схем?

Обычно в виде дополнительной обмотки на пререгуляторе- 1-2 витка и отдельный выпрямитель, витки последовательно с силовой обмоткой пререгулятора. Я принципиально хочу иметь изолирующий пререгулятор для многканальника. ПОэтому схемы с бустом на степ-дауне неизолирующем не рассматриваю. Можно ли будет питать аналоговые схемы- надо будет посмотреть. Т.е для меня например целевая задача- питать СВЧ VCO так чтобы спурами от блока питания можно было пренебречь. Но это микровольтовые пульсации, что трудно достижимо. Поэтому хочу пытаться получить подавление пульсаций от пререгулятора до 200-500 мкв чтобы не особо усложнять схему.

 

[Herz 0]

13 minutes ago, haker_fox said:

Можно же его включить как в low-drop стабилизаторах. Правда корректировать тяжелее, чем схему с эмиттерным повторителем.

Вот этого делать, ИМХО, категорически нельзя. Я бы, наоборот, дал бы запас на прямое падение побольше. Да, тепло сдувать потребуется (иногда) интенсивнее, но в чём проблема? Это же не приборчик с батарейным питанием, и качество выходных параметров тут гораздо важнее экономичности.

low-drop нужны в исключительных случаях: когда напряжения впритык хватает и КПД нужен максимальным. А их проблемы с устойчивостью - не для данного применения.

[wim 0]

30 минут назад, Herz сказал:

отсутствие адекватных моделей.

Что такое "адекватная модель" с Вашей точки зрения?

[iliusmaster 0]

1 час назад, wim сказал:

Что такое "адекватная модель" с Вашей точки зрения?

Учитывающая индивидуальные условия охлаждения каждого участка кристалла.

Работа Mosfeta в линейном режиме и выбор нужного компонента для этого режима - сложность не только для радиолюбителей. 

[Plain 0]

У радиолюбителей как раз никаких сложностей, ставят первый попавшийся.

[Herz 0]

1 hour ago, wim said:

Что такое "адекватная модель" с Вашей точки зрения?

Та, которая учитывает режим линейного режима, в нашем случае. А в идеале, как можно более полно соответствующая поведению реального прибора.

[wim 0]

59 минут назад, Herz сказал:

Та, которая учитывает режим линейного режима, в нашем случае. А в идеале, как можно более полно соответствующая поведению реального прибора.

Таких не существует.

1 час назад, iliusmaster сказал:

Учитывающая индивидуальные условия охлаждения каждого участка кристалла.

Мы о симуляторах spice говорим? Там нет таких моделей.

[iliusmaster 0]

Так вам и я и иные пытаются намекнуть, что не все тем симуляторам подвластно. 
И тем паче при применении транзистора, спроектированного для работы в импульсном режиме, в линейной схеме. То есть когда вы отрицаете проблему, которая реально существует и ссылаетесь на "модели" и умение считать. У людей, кто сталкивался с этой проблемой, несмотря на всякие "моделирования", возникают к вам вопросы.

[wim 0]

1 минуту назад, iliusmaster сказал:

Так вам и я и иные пытаются намекнуть, что не все тем симуляторам подвластно. 

Не имею возражений - я сказал то же самое другими словами.

 

3 минуты назад, iliusmaster сказал:

при применении транзистора, спроектированного для работы в импульсном режиме, в линейной схеме.

Ну, давайте по кругу пойдём - какие Ваши доказательства невозможности применения этих транзисторов в линейных схемах. Без ссылок на то, что это всем известно ещё со времён Бонч-Бруевича.

[тау 0]

1 час назад, Herz сказал:

Та, которая учитывает режим линейного режима, в нашем случае. А в идеале, как можно более полно соответствующая поведению реального прибора.

Такие модели вроде есть, но это как раз тот случай, когда "лучшее - враг хорошего". Как то скачал года 3-4 назад Cree-шную полную модель, помучился с ней и расстался, без сожаления. Сочинил для неё левел_3 и всё разрешилось с большим совпадением с дальнейшим макетом довольно непростого источника.

[haker_fox 0]

6 hours ago, тау said:

левел_3

Можно попутный вопрос: почему существует огромное количество уровней моделей для одного и того же элемента? В том же Micro Cap на один транзистор может быть до 10 уровней (LevelX, BSimx). Почему нельзя иметь одну полную? Или как учитывать нюансы их выбора для расчётов?