Jump to content

    
Sign in to follow this  
Zuse

Схемотехника лабораторных импульсных ИП

Recommended Posts

2 hours ago, wim said:

Я вообще не понимаю сути вопроса - что, так трудно наложить два графика один на другой? ПМСМ это даже в школе умеют.

То есть, Вы это называете моделированием? Я подумал, что использование симуляторов и spice-моделей...

2 hours ago, wim said:

Если надыбали мешок разных сверхдешёвых MOSFET, выбирать из них те, у которых напряжение больше. Чтобы участок вторичного пробоя был заведомо правее рабочей области.

Профессиональный подход к моделированию.

2 hours ago, wim said:

Лично меня не волнуют проблемы любителей.

Строго. По-взрослому. Ну, тогда Вы зря в этой теме - здесь обсуждаются "любительские" конструкции, ИМХО.

18 hours ago, Plain said:

У меня четырёхквадрантного никогда не было, поэтому не в курсе, как быть — схемотехнически, проще сделать симметричные общие и выбирать нужную полярность подключением кабеля. Тот же вопрос иначе — требуется ли смена полярности на лету.

Я бы не стал это закладывать, по крайней мере, изначально. ИМХО, такая опция опасна.

 

2 hours ago, Plain said:

Это да, а в биполярном класс D, каскадно с биполярным линейным, поэтому на выходе четыре вольтодобавки.

Для класса D, пожалуй MOSFET-а в ключевом режиме достаточно.

Share this post


Link to post
Share on other sites
1 час назад, Herz сказал:

использование симуляторов и spice-моделей...

Да, а ещё я люблю всякие графики рисовать. LTSpice --> Excel.

1 час назад, Herz сказал:

Ну, тогда Вы зря в этой теме - здесь обсуждаются "любительские" конструкции, ИМХО.

Отнюдь нет. Я как раз даю любителям советы, как им получить "many experience" и "level up".

1 час назад, Herz сказал:

Профессиональный подход к моделированию.

Судя по предыдущим высказываниям, Вы, вероятно, думаете, что симулятор это такое сильное колдунство, которым можно промоделировать всё, что угодно? :biggrin: Я Вас огорчу - многие вещи в симуляторах не решаются вообще никак. Профессиональный подход - это получение гарантированного результата.

Share this post


Link to post
Share on other sites
5 hours ago, khach said:

Пререгулятор делать с цепью буста для базы

А по какой топологии наиболее предподчительно с целью минимизации помех? Так, чтобы этот лабораторник годился для отладки аналоговых схем?

5 hours ago, khach said:

Прямое падение выбрать в районе 1.2-1.5В.

Можно же его включить как в low-drop стабилизаторах. Правда корректировать тяжелее, чем схему с эмиттерным повторителем.

Share this post


Link to post
Share on other sites
54 minutes ago, wim said:

Судя по предыдущим высказываниям, Вы, вероятно, думаете, что симулятор это такое сильное колдунство, которым можно промоделировать всё, что угодно? :biggrin:

Именно на то, что это не так, я и пытался обратить внимание. Ведь это же Вы заявили, что "проблемы у двоечников, которые не умеют считать/моделировать линейные схемы".

Вот я и уточняю, о каком моделировании речь, особенно в отсутствие адекватных моделей.

Share this post


Link to post
Share on other sites
10 minutes ago, haker_fox said:

А по какой топологии наиболее предподчительно с целью минимизации помех? Так, чтобы этот лабораторник годился для отладки аналоговых схем?

Обычно в виде дополнительной обмотки на пререгуляторе- 1-2 витка и отдельный выпрямитель, витки последовательно с силовой обмоткой пререгулятора. Я принципиально хочу иметь изолирующий пререгулятор для многканальника. ПОэтому схемы с бустом на степ-дауне неизолирующем не рассматриваю. Можно ли будет питать аналоговые схемы- надо будет посмотреть. Т.е для меня например целевая задача- питать СВЧ VCO так чтобы спурами от блока питания можно было пренебречь. Но это микровольтовые пульсации, что трудно достижимо. Поэтому хочу пытаться получить подавление пульсаций от пререгулятора до 200-500 мкв чтобы не особо усложнять схему.

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
13 minutes ago, haker_fox said:

Можно же его включить как в low-drop стабилизаторах. Правда корректировать тяжелее, чем схему с эмиттерным повторителем.

Вот этого делать, ИМХО, категорически нельзя. Я бы, наоборот, дал бы запас на прямое падение побольше. Да, тепло сдувать потребуется (иногда) интенсивнее, но в чём проблема? Это же не приборчик с батарейным питанием, и качество выходных параметров тут гораздо важнее экономичности.

low-drop нужны в исключительных случаях: когда напряжения впритык хватает и КПД нужен максимальным. А их проблемы с устойчивостью - не для данного применения.

Share this post


Link to post
Share on other sites
1 час назад, wim сказал:

Что такое "адекватная модель" с Вашей точки зрения?

Учитывающая индивидуальные условия охлаждения каждого участка кристалла.

Работа Mosfeta в линейном режиме и выбор нужного компонента для этого режима - сложность не только для радиолюбителей. 

Share this post


Link to post
Share on other sites
1 hour ago, wim said:

Что такое "адекватная модель" с Вашей точки зрения?

Та, которая учитывает режим линейного режима, в нашем случае. А в идеале, как можно более полно соответствующая поведению реального прибора.

Share this post


Link to post
Share on other sites
59 минут назад, Herz сказал:

Та, которая учитывает режим линейного режима, в нашем случае. А в идеале, как можно более полно соответствующая поведению реального прибора.

Таких не существует.

1 час назад, iliusmaster сказал:

Учитывающая индивидуальные условия охлаждения каждого участка кристалла.

Мы о симуляторах spice говорим? Там нет таких моделей.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Так вам и я и иные пытаются намекнуть, что не все тем симуляторам подвластно. 
И тем паче при применении транзистора, спроектированного для работы в импульсном режиме, в линейной схеме. То есть когда вы отрицаете проблему, которая реально существует и ссылаетесь на "модели" и умение считать. У людей, кто сталкивался с этой проблемой, несмотря на всякие "моделирования", возникают к вам вопросы.

Share this post


Link to post
Share on other sites
1 минуту назад, iliusmaster сказал:

Так вам и я и иные пытаются намекнуть, что не все тем симуляторам подвластно. 

Не имею возражений - я сказал то же самое другими словами.

 

3 минуты назад, iliusmaster сказал:

при применении транзистора, спроектированного для работы в импульсном режиме, в линейной схеме.

Ну, давайте по кругу пойдём - какие Ваши доказательства невозможности применения этих транзисторов в линейных схемах. Без ссылок на то, что это всем известно ещё со времён Бонч-Бруевича.

Share this post


Link to post
Share on other sites
1 час назад, Herz сказал:

Та, которая учитывает режим линейного режима, в нашем случае. А в идеале, как можно более полно соответствующая поведению реального прибора.

Такие модели вроде есть, но это как раз тот случай, когда "лучшее - враг хорошего". Как то скачал года 3-4 назад Cree-шную полную модель, помучился с ней и расстался, без сожаления. Сочинил для неё левел_3 и всё разрешилось с большим совпадением с дальнейшим макетом довольно непростого источника.

Share this post


Link to post
Share on other sites
6 hours ago, тау said:

левел_3

Можно попутный вопрос: почему существует огромное количество уровней моделей для одного и того же элемента? В том же Micro Cap на один транзистор может быть до 10 уровней (LevelX, BSimx). Почему нельзя иметь одну полную? Или как учитывать нюансы их выбора для расчётов?

Share this post


Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

Sign in to follow this