Herz 0 Posted November 2, 2020 · Report post 2 hours ago, wim said: Я вообще не понимаю сути вопроса - что, так трудно наложить два графика один на другой? ПМСМ это даже в школе умеют. То есть, Вы это называете моделированием? Я подумал, что использование симуляторов и spice-моделей... 2 hours ago, wim said: Если надыбали мешок разных сверхдешёвых MOSFET, выбирать из них те, у которых напряжение больше. Чтобы участок вторичного пробоя был заведомо правее рабочей области. Профессиональный подход к моделированию. 2 hours ago, wim said: Лично меня не волнуют проблемы любителей. Строго. По-взрослому. Ну, тогда Вы зря в этой теме - здесь обсуждаются "любительские" конструкции, ИМХО. 18 hours ago, Plain said: У меня четырёхквадрантного никогда не было, поэтому не в курсе, как быть — схемотехнически, проще сделать симметричные общие и выбирать нужную полярность подключением кабеля. Тот же вопрос иначе — требуется ли смена полярности на лету. Я бы не стал это закладывать, по крайней мере, изначально. ИМХО, такая опция опасна. 2 hours ago, Plain said: Это да, а в биполярном класс D, каскадно с биполярным линейным, поэтому на выходе четыре вольтодобавки. Для класса D, пожалуй MOSFET-а в ключевом режиме достаточно. Quote Ответить с цитированием Share this post Link to post Share on other sites
wim 0 Posted November 2, 2020 · Report post 1 час назад, Herz сказал: использование симуляторов и spice-моделей... Да, а ещё я люблю всякие графики рисовать. LTSpice --> Excel. 1 час назад, Herz сказал: Ну, тогда Вы зря в этой теме - здесь обсуждаются "любительские" конструкции, ИМХО. Отнюдь нет. Я как раз даю любителям советы, как им получить "many experience" и "level up". 1 час назад, Herz сказал: Профессиональный подход к моделированию. Судя по предыдущим высказываниям, Вы, вероятно, думаете, что симулятор это такое сильное колдунство, которым можно промоделировать всё, что угодно? Я Вас огорчу - многие вещи в симуляторах не решаются вообще никак. Профессиональный подход - это получение гарантированного результата. Quote Ответить с цитированием Share this post Link to post Share on other sites
haker_fox 0 Posted November 2, 2020 · Report post 5 hours ago, khach said: Пререгулятор делать с цепью буста для базы А по какой топологии наиболее предподчительно с целью минимизации помех? Так, чтобы этот лабораторник годился для отладки аналоговых схем? 5 hours ago, khach said: Прямое падение выбрать в районе 1.2-1.5В. Можно же его включить как в low-drop стабилизаторах. Правда корректировать тяжелее, чем схему с эмиттерным повторителем. Quote Ответить с цитированием Share this post Link to post Share on other sites
Herz 0 Posted November 2, 2020 · Report post 54 minutes ago, wim said: Судя по предыдущим высказываниям, Вы, вероятно, думаете, что симулятор это такое сильное колдунство, которым можно промоделировать всё, что угодно? Именно на то, что это не так, я и пытался обратить внимание. Ведь это же Вы заявили, что "проблемы у двоечников, которые не умеют считать/моделировать линейные схемы". Вот я и уточняю, о каком моделировании речь, особенно в отсутствие адекватных моделей. Quote Ответить с цитированием Share this post Link to post Share on other sites
khach 0 Posted November 2, 2020 · Report post 10 minutes ago, haker_fox said: А по какой топологии наиболее предподчительно с целью минимизации помех? Так, чтобы этот лабораторник годился для отладки аналоговых схем? Обычно в виде дополнительной обмотки на пререгуляторе- 1-2 витка и отдельный выпрямитель, витки последовательно с силовой обмоткой пререгулятора. Я принципиально хочу иметь изолирующий пререгулятор для многканальника. ПОэтому схемы с бустом на степ-дауне неизолирующем не рассматриваю. Можно ли будет питать аналоговые схемы- надо будет посмотреть. Т.е для меня например целевая задача- питать СВЧ VCO так чтобы спурами от блока питания можно было пренебречь. Но это микровольтовые пульсации, что трудно достижимо. Поэтому хочу пытаться получить подавление пульсаций от пререгулятора до 200-500 мкв чтобы не особо усложнять схему. Quote Ответить с цитированием Share this post Link to post Share on other sites
Herz 0 Posted November 2, 2020 · Report post 13 minutes ago, haker_fox said: Можно же его включить как в low-drop стабилизаторах. Правда корректировать тяжелее, чем схему с эмиттерным повторителем. Вот этого делать, ИМХО, категорически нельзя. Я бы, наоборот, дал бы запас на прямое падение побольше. Да, тепло сдувать потребуется (иногда) интенсивнее, но в чём проблема? Это же не приборчик с батарейным питанием, и качество выходных параметров тут гораздо важнее экономичности. low-drop нужны в исключительных случаях: когда напряжения впритык хватает и КПД нужен максимальным. А их проблемы с устойчивостью - не для данного применения. Quote Ответить с цитированием Share this post Link to post Share on other sites
wim 0 Posted November 2, 2020 · Report post 30 минут назад, Herz сказал: отсутствие адекватных моделей. Что такое "адекватная модель" с Вашей точки зрения? Quote Ответить с цитированием Share this post Link to post Share on other sites
iliusmaster 0 Posted November 2, 2020 · Report post 1 час назад, wim сказал: Что такое "адекватная модель" с Вашей точки зрения? Учитывающая индивидуальные условия охлаждения каждого участка кристалла. Работа Mosfeta в линейном режиме и выбор нужного компонента для этого режима - сложность не только для радиолюбителей. Quote Ответить с цитированием Share this post Link to post Share on other sites
Plain 0 Posted November 2, 2020 · Report post У радиолюбителей как раз никаких сложностей, ставят первый попавшийся. Quote Ответить с цитированием Share this post Link to post Share on other sites
Herz 0 Posted November 2, 2020 · Report post 1 hour ago, wim said: Что такое "адекватная модель" с Вашей точки зрения? Та, которая учитывает режим линейного режима, в нашем случае. А в идеале, как можно более полно соответствующая поведению реального прибора. Quote Ответить с цитированием Share this post Link to post Share on other sites
wim 0 Posted November 2, 2020 · Report post 59 минут назад, Herz сказал: Та, которая учитывает режим линейного режима, в нашем случае. А в идеале, как можно более полно соответствующая поведению реального прибора. Таких не существует. 1 час назад, iliusmaster сказал: Учитывающая индивидуальные условия охлаждения каждого участка кристалла. Мы о симуляторах spice говорим? Там нет таких моделей. Quote Ответить с цитированием Share this post Link to post Share on other sites
iliusmaster 0 Posted November 2, 2020 · Report post Так вам и я и иные пытаются намекнуть, что не все тем симуляторам подвластно. И тем паче при применении транзистора, спроектированного для работы в импульсном режиме, в линейной схеме. То есть когда вы отрицаете проблему, которая реально существует и ссылаетесь на "модели" и умение считать. У людей, кто сталкивался с этой проблемой, несмотря на всякие "моделирования", возникают к вам вопросы. Quote Ответить с цитированием Share this post Link to post Share on other sites
wim 0 Posted November 2, 2020 · Report post 1 минуту назад, iliusmaster сказал: Так вам и я и иные пытаются намекнуть, что не все тем симуляторам подвластно. Не имею возражений - я сказал то же самое другими словами. 3 минуты назад, iliusmaster сказал: при применении транзистора, спроектированного для работы в импульсном режиме, в линейной схеме. Ну, давайте по кругу пойдём - какие Ваши доказательства невозможности применения этих транзисторов в линейных схемах. Без ссылок на то, что это всем известно ещё со времён Бонч-Бруевича. Quote Ответить с цитированием Share this post Link to post Share on other sites
тау 0 Posted November 2, 2020 · Report post 1 час назад, Herz сказал: Та, которая учитывает режим линейного режима, в нашем случае. А в идеале, как можно более полно соответствующая поведению реального прибора. Такие модели вроде есть, но это как раз тот случай, когда "лучшее - враг хорошего". Как то скачал года 3-4 назад Cree-шную полную модель, помучился с ней и расстался, без сожаления. Сочинил для неё левел_3 и всё разрешилось с большим совпадением с дальнейшим макетом довольно непростого источника. Quote Ответить с цитированием Share this post Link to post Share on other sites
haker_fox 0 Posted November 3, 2020 · Report post 6 hours ago, тау said: левел_3 Можно попутный вопрос: почему существует огромное количество уровней моделей для одного и того же элемента? В том же Micro Cap на один транзистор может быть до 10 уровней (LevelX, BSimx). Почему нельзя иметь одну полную? Или как учитывать нюансы их выбора для расчётов? Quote Ответить с цитированием Share this post Link to post Share on other sites