[iliusmaster 5]

10 часов назад, wim сказал:

Не имею возражений - я сказал то же самое другими словами.

 

Ну, давайте по кругу пойдём - какие Ваши доказательства невозможности применения этих транзисторов в линейных схемах. Без ссылок на то, что это всем известно ещё со времён Бонч-Бруевича.

Доказательство в том, что современные полевые транзисторы с большой площадью кристалла и значительным числом запараллеленных структур имеют значительные проблемы с температурной нестабильностью в линейном режиме. Во времена Бонч-Бруевича таких проблем не было, да даже пару поколений структур назад эти проблемы были гораздо меньше. Linear Mode Operation and Safe Operating Diagram of Power-MOSFETs. - теория с выводами на странице 12. Про тепловое сопротивление и хороший тепловой контакт.

Application Note AN-1155, MOSFETs Withstand Stress of Linear-Mode Operation(Abdus Sattar from Ixys)  - тоже самое про обеспечение сверхнизкого теплового сопротивления для недопущения температурной разницы.   

[SSerge 4]

3 часа назад, haker_fox сказал:

почему существует огромное количество уровней моделей для одного и того же элемента?

Одни точнее, но дольше считаются, другие попроще, но быстрее.

[wim 6]

31 минуту назад, iliusmaster сказал:

современные полевые транзисторы с большой площадью кристалла и значительным числом запараллеленных структур имеют значительные проблемы с температурной нестабильностью в линейном режиме

Нет никаких проблем, если мы не выходим за пределы ОБР. Я об этом уже 100500 раз говорил. А в ключевом режиме это что ли не так? При этом в качестве альтернативы предлагают архаичные биполярные транзисторы, у которых тоже есть участок вторичного пробоя.

[haker_fox 60]

1 minute ago, wim said:

А в ключевом режиме это что ли не так?

Гм... не выходит ли так, что линейный режим - растянутый ключевой? И, выходит, в любом случае нужно просто не выходить за ОБР.

4 minutes ago, SSerge said:

Одни точнее, но дольше считаются, другие попроще, но быстрее.

Т.е. так вот банально просто)

[wim 6]

4 часа назад, haker_fox сказал:

Почему нельзя иметь одну полную?

Основная проблема моделей 500-го уровня - это ошибка сходимости численных методов.

Только что, haker_fox сказал:

в любом случае нужно просто не выходить за ОБР

Да, но есть разные участки ОБР. Есть область теплового пробоя - это там, где пальчику уже горячо, но транзистор ещё работает. Умирает, но работает. И есть участок вторичного пробоя, где он умирает, даже не успев нагреться.

[haker_fox 60]

30 minutes ago, wim said:

И есть участок вторичного пробоя, где он умирает, даже не успев нагреться.

К своему невежеству не знаю, как его определить графически. Не поможете?) Т.е. какие характерные признаки на графике участка вторичного пробоя? При проектировании своей нагрузки на IRF3205 я сделал всё, чтобы точка транзистора просто не ушла за самую "нижнюю" кривую. Спасибо)

[тау 22]

3 часа назад, haker_fox сказал:

почему существует огромное количество уровней моделей для одного и того же элемента? В том же Micro Cap на один транзистор может быть до 10 уровней (LevelX, BSimx). Почему нельзя иметь одну полную? Или как учитывать нюансы их выбора для расчётов?

много людей и у каждого свои вкусы. Те, кто ближе к топологии ИС,  используют модели с заданием геометрических параметров  и погонными емкостями стока затвора. Кому то это не нравится и используют абсолютные значения паразитных емкостей. Кому то не нравится и то и это потому что вычисление поведения емкостей в динамике на их взгляд усложнено (тормозит) из-за непростых формул физических процессов , приближенных к теории, и они рады их заменить более простыми эмпирическим формулами поведения емкостей. Кому то надо более точное поведение от температуры и вводят два коэффициента для более точной аппроксимации, а кому то это по барабану , если надо быстрее считать.

Одну полную иметь нельзя. Конкуренция между изготовителями пакетов САПР в скорости обсчета схемы заставляют их искать всякие разные методы ускорения расчетов, не влияющие драматически в их области на качество моделирования.

Учитывать нюансы для их выбора- это по вкусу и желанию тратить время на это неблагодарное иногда занятие. Если у Вас есть сапр, в котором Вы проектируете - используйте рекомендации изготовителя этого сапра при выборе моделей.

Поведение боди-диода через подложку вообще как правило неверно моделируется в встроенных моделях (важно для проектантов ИИП) и поэтому существуют рекомендации для чувствительных схем по этому параметру подключать "внешний" должный диод в подсхеме спайса для элемента, который более точно опишет процессы рассасывания.

[wim 6]

15 минут назад, haker_fox сказал:

какие характерные признаки на графике участка вторичного пробоя?

 

[Plain 168]

21 минуту назад, haker_fox сказал:

какие характерные признаки на графике участка вторичного пробоя?

MOSFET secondary breakdown.pdf

 

5 минут назад, wim сказал:

Вы так и не ответили, что делать в случаях, когда этого перегиба нет.

[wim 6]

Только что, Plain сказал:

что делать в случаях, когда этого перегиба нет

Ответил ещё раньше - использовать MOSFET  с более высоким напряжением V_(BR)DSS.

[dimka76 42]

9 minutes ago, Plain said:

MOSFET secondary breakdown.pdf 449.46 kB · 1 download

Число философский вопрос )))

А что в России перестали толковые технические книжки писать ?

[wim 6]

15 минут назад, dimka76 сказал:

А что в России перестали толковые технические книжки писать ?

Про полевые транзисторы? Так их и не было. То есть книжки писАли, но они содержат ложные утверждения, поэтому толковыми их никак не назовёшь.

[haker_fox 60]

Уважаемые @Plain, @wim, спасибо за инфу про вторичный пробой. Будет, что на выходном прочитать.

Уважаемый @тау, благодарю за объяснение про модели!

[Plain 168]

31 минуту назад, wim сказал:

использовать MOSFET  с более высоким напряжением V_(BR)DSS

Это не синоним и не гарантия наличия у таковых перегиба на графике — т.е. в отсутствие перегиба, весь график ОБР становится графиком вторичного пробоя?

[wim 6]

2 минуты назад, Plain сказал:

Это не синоним и не гарантия наличия у таковых перегиба на графике 

Нужно исходить из того, что перегиб реально существует, но не отражён в даташите. Выбор транзистора с более высоким напряжением отодвигает участок вторичного пробоя вправо от рабочей области. Других советов по использованию неправильных транзисторов в линейном режиме у меня нет.