Jump to content

    

Recommended Posts

20 часов назад, Alex-lab сказал:

Есть ли у этого решения какие-то подводные камни?

Если моделирование показало, что траектория переключения транзистора в координатах V-I находится в пределах ОБР, то в первом приближении это можно считать годным решением.

Share this post


Link to post
Share on other sites
53 minutes ago, wim said:

траектория переключения транзистора в координатах V-I находится в пределах ОБР

Да, находится в ОБР. А до замедления действительно, рабочая точка выходила за пределы.

Share this post


Link to post
Share on other sites

А почему вы не хотите выкинуть второе плечо и среднюю точку, а амплитуду отрицательной полуволны регулировать параметрами ШИМ? Я много раз так делал, правда шимировал сразу мостом, а на входе имел постоянку :biggrin:

Share this post


Link to post
Share on other sites
4 hours ago, ded2016 said:

А почему вы не хотите выкинуть

Так и есть в оригинале. Нет смысла питать отрицательное плече той же амплитудой, что и положительное, там напряжение всегда меньше половины первого (причем сильно меньше), а ток желательно иметь побольше. Питать низкое с высокого плохо из-за низкого К.зап и малого количества ступеней регулирования.

Но конденсаторы в затворах вроде помогли. Первичные испытания прошли вроде нормально. Будем набирать статистику.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Не ясно, каким может быть остаточное напряжение на C1+ в момент открытия VT4.

Даже если по замыслу оно должно быть малым, в реальности возможно возникают редкие ситуации, когда в момент открытия VT4 напряжение на C1+ велико и тогда звон, возникающий на паразитных индуктивностях во время разряда C1+, имхо, может вызвать перенапряжение на VT3       

Share this post


Link to post
Share on other sites
16 minutes ago, Zuse said:

каким может быть остаточное напряжение на C1+ в момент открытия VT4.

Около 900В.

17 minutes ago, Zuse said:

тогда звон, возникающий на паразитных индуктивностях во время разряда C1+, имхо, может вызвать перенапряжение на VT3       

Это странно, ведь в верхнем ключе есть диод, и напряжение не должно подниматься выше питания.

Пока полноценно испытать не получилось. Работаем неделю через неделю на каждого приходится по два дня в лаборатории в месяц.

Share this post


Link to post
Share on other sites
2 minutes ago, Alex-lab said:

Это странно, ведь в верхнем ключе есть диод, и напряжение не должно подниматься выше питания

я говорил о возможности выброса на эмиттере VT3 отрицательного напряжения.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Ну вот, наступил день теста. После замедления отпирания транзисторов, прибор проработал аж целых 27 минут. Без нареканий. Однако, течение целевого процесса таково, что рабочее напряжение плавно возрастает для обоих полярностей. И по достижении некоторого критического уровня, опять произошел пробой транзистора VT3. Немного обновил схему.

При моделирование в LTspice с учетом подачи ШИМ сигнала на L1C1 фильтр (раньше моделировал DC) обнаружил, что фильтр без нагрузки образует последовательный колебательный контур с повышением напряжения примерно в два раза (А это уже сильно больше Uкэ 1200В). Частота резонанса около 90кГц, а рабочая частота ШИМ 100 кГц (50 на трансформаторе).

Есть ли какие-то не сильно диссипативные способы подавить резонанс в контуре? Поставить TVS вряд ли получится, закипит. Пробовал моделировать с диодом между L1 и C1. Результат не однозначный, первый всплеск остается, зато потом колебания быстро гаснут.

HFstm32_230V_fail2.thumb.GIF.3ff73510866b86992fd275856f8bd803.GIF

2020-10-20_22-53-53.thumb.png.a00897e6ff3785c38dc957aef3702b38.png

559138292_2020-10-20_22-54-48(3).thumb.png.a0a9b271a9426e29f98b5157bede8313.png

Share this post


Link to post
Share on other sites
4 hours ago, Baza said:

22н или 33н и сдвинуться вниз по частоте

Это совершенно не значительно сдвинет частоту, реальный эффект получается если поставить 500нФ. Но даже 100 уже много из-за всплеска.

Share this post


Link to post
Share on other sites
On 10/6/2020 at 6:00 AM, ded2016 said:

А почему вы не хотите выкинуть второе плечо и среднюю точку

Quote

Так и есть в оригинале.

Quote

Немного обновил схему.

Так схема теперь соответствует реальности или нет? Потому что она от первой версии отличается какими-то посторонними деталями, и понять, что там на самом деле - как разгадывать кроссворд.

Share this post


Link to post
Share on other sites
1 minute ago, Herz said:

соответствует реальности или нет?

Соответствует. Кроме диода после L1, он только в моделировании. Дорисовал только снабберы и TVS.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Тогда я не пойму, какое "второе плечо" было выкинуто? Что стало со средней точкой? Вы же сами писали:

Quote

Нет смысла питать отрицательное плече той же амплитудой, что и положительное

И в чём смысл ШИМить именно верхние ключи?

Share this post


Link to post
Share on other sites
25 minutes ago, Herz said:

какое "второе плечо" было выкинуто?

Наоборот, оно было добавлено в данном топике.

On 10/6/2020 at 8:57 AM, Alex-lab said:
On 10/6/2020 at 4:00 AM, ded2016 said:

А почему вы не хотите выкинуть

Так и есть в оригинале. Нет смысла питать отрицательное плече той же амплитудой, что и положительное

"В оригинале" - имелось ввиду в прошлой версии, которая тут не фигурирует. То есть опробовано, и не удовлетворило. Плечи пришлось разделить. Потому что:

On 10/6/2020 at 8:57 AM, Alex-lab said:

Питать низкое с высокого плохо из-за низкого К.зап и малого количества ступеней регулирования.

В целевом процессе положительные импульсы 500-600 В, а отрицательные 50-150 примерно.

25 minutes ago, Herz said:

И в чём смысл ШИМить именно верхние ключи?

ШИМ используется для того, что бы задавать форму импульсов (произвольную). Хотя может я не понял ваш вопрос тут.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Только что, Alex-lab сказал:

ШИМ используется для того, что бы задавать форму импульсов (произвольную). Хотя может я не понял ваш вопрос тут.

У вас везде нагрузка резистор, т.е. и схему вы включаете на резистор и моделируете то же на резистор.

Или будет стоять какой-то интегратор/фильтр чтобы сгладить ШИМ?

21.10.2020 в 05:02, Alex-lab сказал:

Есть ли какие-то не сильно диссипативные способы подавить резонанс в контуре? Поставить TVS вряд ли получится, закипит. Пробовал моделировать с диодом между L1 и C1. Результат не однозначный, первый всплеск остается, зато потом колебания быстро гаснут.

Поставить 10...100 мкФ.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.