MW_Юрий 0 5 июля, 2020 Опубликовано 5 июля, 2020 · Жалоба Есть набор модуляций передатчика (G)FSK, 4(G)FSK, (G)MSK , OOK. Подбираю схему УМ на транзисторах, надо 5-6Вт 170МГц. для примера беру транзистор MRF134. Два типа схем линейная и класс E. В линейных все по взрослому, согласование по входу и выходу. Схемы громоздкие. В классе E схема почти примитивная. Смещение на Gate и конденсатор развязки, по выходу ФНЧ. Не понимаю такую вещь. Входной импеданс транзистора не зависит от типа схемы и сосем не пахнет 50 Ом, сильно комплексный, но разработчики в классе E на это забили и просто вкачивают мощность на вход, при этом приводят график S11 прекрасно согласованный на 50 Ом, по выходу аналогично к комплексному импедансу цепляют ФНЧ и дальше нагрузка 50Ом и показывают спектр где первая гармоника 6Вт. ну и много других в полосе до 600МГц, но ниже -20dBm. Привлекает то что схема очень компактная, ну и кпд получше линейной. Два вопроса. Что все так просто и куда исчезает комплексность. Второй, а какую модуляция можно использовать в классе Е? и почему нельзя использовать какие то другие (из списка)? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Aner 1 5 июля, 2020 Опубликовано 5 июля, 2020 · Жалоба Какой то странный вопрос про класс E. В учебниках все же разжевано, и про особенности видов модуляции для этого класса. Если лень читать, то берете MWO или ADS. Там все это есть, в примерах, даже анализ. Да и дремучие виды модуляции у вас. ... На вход транзистора, работающего в ключевом режиме, подается высокочастотный сигнал, полезная информация в котором содержится в его частоте и фазе. Амплитудная модуляция в нем отсутствует, поэтому усилители класса E в основном подходят только для усиления сигналов с угловой модуляцией, таких как F3E, G3E для аналоговых сигналов или F1D, G1D (виды модуляции GMSK, MSK, FFSK) для цифровых видов модуляции. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
V_G 8 5 июля, 2020 Опубликовано 5 июля, 2020 · Жалоба 3 часа назад, MW_Юрий сказал: Что все так просто и куда исчезает комплексность. На самом деле меня тоже в перспективе интересуют вопросы применения класса E в том же диапазоне и достигнутые реально КПД. Если и когда что-нибудь получится, просьба отписаться. По комплексному входному сопротивлению могу предположить следующее. Транзистор работает в ключевом режиме. Для НЧ ключей входной импеданс практически по барабану, базовый резистор можно выбирать с допуском 200%. Скорее всего, на ВЧ схожая ситуация, от того и отношение к S11 такое наплевательское. Предположу также, что для эффективной работы класса Е нужно закачивать на вход не синус, а импульсы определенной скважности, т.е. сложность формирования сигнала переносится в предыдущие каскады. Ну и про модуляцию поддержу предыдущего оратора: АМ и все виды модуляции, где меняется амплитуда, категорически противопоказаны. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
MW_Юрий 0 6 июля, 2020 Опубликовано 6 июля, 2020 · Жалоба 8 hours ago, Aner said: Какой то странный вопрос про класс E. В учебниках все же разжевано, и про особенности видов модуляции для этого класса. Если лень читать, то берете MWO или ADS. Там все это есть, в примерах, даже анализ. Да и дремучие виды модуляции у вас. Не вижу ни какого смысла тратить время на моделирование и тем более книжки читать, ибо эта тема стара с бородой лет 30 и масса статей с подробными результатами моделирования в основном в ADS. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
MW_Юрий 0 6 июля, 2020 Опубликовано 6 июля, 2020 · Жалоба 7 hours ago, V_G said: По комплексному входному сопротивлению могу предположить следующее. Транзистор работает в ключевом режиме. Для НЧ ключей входной импеданс практически по барабану, базовый резистор можно выбирать с допуском 200%. Скорее всего, на ВЧ схожая ситуация, от того и отношение к S11 такое наплевательское. Предположу также, что для эффективной работы класса Е нужно закачивать на вход не синус, а импульсы определенной скважности, т.е. сложность формирования сигнала переносится в предыдущие каскады. В ряде статей практических с моделями S11 уделяют внимание как важному параметру и приводят обязательно S11 и что удивляет прекрасное согласование. Прочел внимательней и народ тоже интересуется как это и приводит сравнительные характеристики усилителей со схемой согласования и просто емкость и все. Вывод такой. Согласование тщательное (это много лишних компонентов) немного увеличивает выходную мощность по сравнению с просто конденсатором и поэтому на практике все это согласующее хозяйство выбрасывается. Касательно входного сигала никаких импульсов не формируется, обычный синус, но мощность должна быть такой чтобы транзистор уверенно переключался ON/Off и при этом одна часть полуволны запирает глухо транзистор (при этом аналогично работает смещение на Gate), другая полностью открывает. Форма импульса на Drain по напряжению кривой импульс с размахом от 0 до 55В (для MRF134), а ток чистый синус с размахом 600mA, ну а выход фильтруют простым ФНЧ как бы все подчистить, но спектр с хорошим хламом после первой гармоники. Ну собственно ответ по модуляциям я здесь получил и вполне меня устроит, т.к. использую GFSK. Использовать MRF134 не собираюсь, т.к. на порядок дороже бюджетных транзисторов и питание запредельное 28В, это как пример популярный. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
MW_Юрий 0 6 июля, 2020 Опубликовано 6 июля, 2020 (изменено) · Жалоба 34 minutes ago, MW_Юрий said: В ряде статей практических с моделями S11 Вот дошло (все же полезно общение) откуда у комплексного выхода вдруг практически чистый синус на нагрузке 50 Ом. На выходе применяют не согласующий ФНЧ в классическом виде и высокодобротную резонансную схему, которая конечно не такая и добротная , т.к работает на 50ОМ. Т.е. этот усилитель может работать только на реактивную нагрузку (если выбросить выходной резонатор, то все загнется) и поэтому у него на Drain_не 28В, а 55В. Если выходной импеданс сильно увеличить, то будет и 1000В. Проблема такого усилителя уверен будет в полосе. Достаточно сьехать с резонансной частоты и все развалится, а вот на сколько человечество умалчивает и человечество умалчивает работу таких усилителей как реактивных приборов. Тогда вопрос возникает, а с каким спектром по модуляции такие схемы могут работать. Изменено 6 июля, 2020 пользователем MW_Юрий Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
V_G 8 6 июля, 2020 Опубликовано 6 июля, 2020 · Жалоба 39 минут назад, MW_Юрий сказал: Касательно входного сигала никаких импульсов не формируется, обычный синус Я почему так разумничался по этому поводу: почитал кое-какие отечественные статьи и даже автореферат кандидатской (уже в 21 веке) по поводу моделирования усилителя класса Е. Там они оперируют какими-то убогими частотами типа 800 кГц. Вот и подумал, что на более высоких частотах надо формировать достаточно узкий базовый (затворный) импульс, и этим волшебством владеют только импортные разработчики... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
MW_Юрий 0 6 июля, 2020 Опубликовано 6 июля, 2020 · Жалоба 2 hours ago, V_G said: Я почему так разумничался по этому поводу: почитал кое-какие отечественные статьи и даже автореферат кандидатской (уже в 21 веке) по поводу моделирования усилителя класса Е. Там они оперируют какими-то убогими частотами типа 800 кГц. Вот и подумал, что на более высоких частотах надо формировать достаточно узкий базовый (затворный) импульс, и этим волшебством владеют только импортные разработчики... Ну не спорю и интересно что то такое почитать. А физический принцип что на НЧ, что на ВЧ ничем не отличаются. Я имел дело с разработкой и реализацией осцилляторов, работающих на резонаторы на 120кГц и на 100МГц. Везде законы одинаковые. А вот вопрос с модуляцией остался открытым, т.к. добротность таких нагрузок высокая и полоса соответственно узкая, а это уже принципиальное ограничение для GFSK и пр. в части быстродействия. Грубо я прикинул на 170МГц добротность порядка 300, а это полоса на уровне -3dB около 550кГц, ну в принципе тоже неплохо. Но опять но, это на идеальные 50 Ом, а антенн таких не бывает. В общем вопросов много, а это признак неприятностей на практике. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
тау 21 9 июля, 2020 Опубликовано 9 июля, 2020 · Жалоба 06.07.2020 в 09:54, V_G сказал: и этим волшебством владеют только импортные разработчики... Вот моя поделка, вроде "узкий" импульс. Это автогенератор на 1,5 МГц. Входная активная мощность для цепей затворов 425 mW в каждом из двух sic транзисторов. Выходная мощность на активной нагрузке 300 W. Кпд по симулятору 95% а реально 90%. Добротность нагруженного выходного контура Q=11 Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
MW_Юрий 0 10 июля, 2020 Опубликовано 10 июля, 2020 · Жалоба 18 hours ago, тау said: Вот моя поделка, вроде "узкий" импульс. Это автогенератор на 1,5 МГц. Входная активная мощность для цепей затворов 425 mW в каждом из двух sic транзисторов. Выходная мощность на активной нагрузке 300 W. Кпд по симулятору 95% а реально 90%. Добротность нагруженного выходного контура Q=11 15 лет назад я своял осциллятор аналогичный на 100МГц. Мощность не помню но не более 5 Вт, больше не надо было, а надо было в LC резонаторе раскочегарить напряжение на стоке, получилось не менее 1500В для поджига плазмы в баллоне, который в резонаторе. Помню вещь хлипкая, транзисторы горели как спички. На затворе нужно было удерживать 0.5-1В (тоже не помню сколько точно), а на стоке под 1500В и по затвору все это выбивало, дальше защита. В общем сильно это мне не нравилось. А В линейном режиме тоже работал осциллятор и тоже 1000В и никаких проблем. Грелся очень даже, так это и хорошо, им стал греть баллон и плазма поджигалась мгновенно, что и стало патентом. Касательно предмета предмета УМ 170МГц сейчас отказался по причине 58В на стоке, а предельно для транзистора 60В и транзистор стоит $60.0, а надо $3.0. В общем ушел в линейный усилитель, уже готова схема и рсв. Разница всего на 10% хуже кпд и габариты не радуют. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Aner 1 10 июля, 2020 Опубликовано 10 июля, 2020 · Жалоба А чем не устроили вас RD15HVF1 мицубишевские? Как раз под ваши 170МГц и дадут поболее 5-6Вт при желании. Да и цена много ближе к $3.0. Да не E класс, не более 60% кпд. Еще меньше в размерах вариант от тошибы 2SK3476, цена еще меньше. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
MW_Юрий 0 10 июля, 2020 Опубликовано 10 июля, 2020 · Жалоба 5 hours ago, Aner said: А чем не устроили вас RD15HVF1 мицубишевские? Как раз под ваши 170МГц и дадут поболее 5-6Вт при желании. Да и цена много ближе к $3.0. Да не E класс, не более 60% кпд. Еще меньше в размерах вариант от тошибы 2SK3476, цена еще меньше. Мне 15Вт совсем не нужно, а нужно 5Вт. Я использую и уже нарисовал полностью УМ RD06HVF1 , кпд прилично выше на 10%, токи божеские, 2SK3476 неплохо в части корпуса, остальное не лучше. Стоит SK в 2 раза дороже. Корпус не определяет габариты, а все габариты в схеме согласования вход, выход. Пришлось отказаться от схемы Toshiba и отмоделировать свою минимальную и оптимальную и она с трудом лезет в заданные габариты. Есть еще сильный конкурент у NXP и цена $3, вот уже выбросил и не помню название. Отказался т.к. они вообще не используют на 170, а начинают с 470, а S параметры не дают и типовую схему на 170 не имеют. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
