[Frederic 0]

Нагрузка и питатели расположены на ТОР.
Меди 35 микрон на одном слое не достаточно, необходим второй слой меди 35 микрон
Для уменьшения падения напряжения на via эти слои расположены максимально близко к ТОР

Вопрос: как технически правильно расположить эти два слоя ?
- друг за другом
- или через plane GND (возможно в этом случае распределенная емкость plane будет больше и динамика потребления тока улучшится) 

 

[PBO 1]

7 minutes ago, Frederic said:

Вопрос: как технически правильно расположить эти два слоя ?
- друг за другом
- или через plane GND (возможно в этом случае распределенная емкость plane будет больше и динамика потребления тока улучшится) 

Если у вас на первом слое есть контроль импеданса то второй должен быть опорным.

[arhiv6 14]

Емкость можете посчитать  для платы 10х10см и расстояния между слоями 0,25мм получается всего лишь 15пФ.

[Frederic 0]

8 minutes ago, PBO said:

Если у вас на первом слое есть контроль импеданса то второй должен быть опорным.

1.TOP + контроль импеданса
2.GND
3.signal + контроль импеданса
4.GND
5.питание VCCINT
6.питание VCCINT
7.питание 

из за тока VCCINT добавил еще два слоя и теперь могу между слоями 5 и 6 VCCINT расположить plane GND

[PBO 1]

Емкость покажет HyperLynx там вроде не проблема ее отобразить

3 minutes ago, Frederic said:

1.TOP + контроль импеданса
2.GND
3.signal + контроль импеданса
4.GND
5.питание VCCINT
6.питание VCCINT
7.питание 

У вас нессиметричный стек будет?

[Frederic 0]

3 minutes ago, PBO said:

Емкость покажет HyperLynx там вроде не проблема ее отобразить

У вас нессиметричный стек будет?

всегда симметричные
окончательный стэк
1.TOP + контроль импеданса
2.GND
3.signal + контроль импеданса
4.GND
5.питание VCCINT
6.питание VCCINT
7.питание 
8.??? лишний не чего размещать, только GND 
9.GND
10.signal + контроль импеданса
11.GND
12.Bottom + контроль импеданса

было 10 слоёв, теперь 12
 

[_4afc_ 24]

39 minutes ago, Frederic said:

Нагрузка и питатели расположены на ТОР.
Меди 35 микрон на одном слое не достаточно, необходим второй слой меди 35 микрон
Для уменьшения падения напряжения на via эти слои расположены максимально близко к ТОР

Вопрос: как технически правильно расположить эти два слоя ?

Внешние слои получатся толще при металлизации - поэтому TOP\BOTTOM будут уже не 35, а 50мк.

Кроме того я раз китайцев просил 2 раза медь накатать,  из 35 -  70мк получилось, даже на ощупь чувствуется.

Ну и китайцы делали мне спокойно 35/70/70/35 - у нас конечно проще вместо этого 35/35/35/35/35/35

[Frederic 0]

2 hours ago, _4afc_ said:

Внешние слои получатся толще при металлизации - поэтому TOP\BOTTOM будут уже не 35, а 50мк.

Кроме того я раз китайцев просил 2 раза медь накатать,  из 35 -  70мк получилось, даже на ощупь чувствуется.

Ну и китайцы делали мне спокойно 35/70/70/35 - у нас конечно проще вместо этого 35/35/35/35/35/35

пока не знаю как будет реализован стэк по числу ядер с накатками, но на ТОР, 3, 10 и Bottom закладываю медь 18 микрон, т.к. на 35 микрон производство требует трасса/проводник 0,15/0.15 мм, что меня не устраивает да и нет больших токов

с ТОР питание сразу уходит во внутренние слои и затем к нагрузке. Основное падение напряжения происходит на внутренних слоях.
Поэтому необходимо применить два слоя по 35 микрон. 

[Uree 1]

Дороже получится. Я бы сделал слои в 2 Oz, вместо дублирования, собственно на 8-ми слойках так и делаю.

[Frederic 0]

35 minutes ago, Uree said:

Дороже получится. Я бы сделал слои в 2 Oz, вместо дублирования, собственно на 8-ми слойках так и делаю.

и какие значения зазора при 70 микронах ?

P.S. рациональное зерно в этом есть, если для не подключенных via в этом слое убрать контактные площадки. В этом случае требование по зазору удастся выполнить

[_4afc_ 24]

59 minutes ago, Frederic said:

и какие значения зазора при 70 микронах ?

Я 0,2/0,2 делал на внутренних. via 0.4/0.15

[Uree 1]

Тоже 0.2/0.2

Для Hole-Plane 0.225

[lockdok 0]

On 7/3/2020 at 11:31 AM, Frederic said:

Нагрузка и питатели расположены на ТОР.
Меди 35 микрон на одном слое не достаточно, необходим второй слой меди 35 микрон
Для уменьшения падения напряжения на via эти слои расположены максимально близко к ТОР

Вопрос: как технически правильно расположить эти два слоя ?
- друг за другом
- или через plane GND (возможно в этом случае распределенная емкость plane будет больше и динамика потребления тока улучшится) 

 

Что насчет вскрытия маски и дополнительного лужения для увеличения площади сечения?

[Frederic 0]

14 minutes ago, lockdok said:

Что насчет вскрытия маски и дополнительного лужения для увеличения площади сечения?

маска вскрыта, доп лужение на ТОР не требуется и негде делать
на ТОР (медь 18 микрон) нет разводки силовых цепей, только пады
силовые пады прошиты via и падение в пару mV можно не учитывать
по совету Uree ушел от дублирования слоёв и вернулся на 10 слоев с медью 70 микрон для plane 
результат моделирования - мах падение 21 mV на мах токе 25А при допуске в 28 mV

[lockdok 0]

2 minutes ago, Frederic said:

маска вскрыта, доп лужение на ТОР не требуется и негде делать
на ТОР (медь 18 микрон) нет разводки силовых цепей, только пады
силовые пады прошиты via и падение в пару mV можно не учитывать
по совету Uree ушел от дублирования слоёв и вернулся на 10 слоев с медью 70 микрон для plane 
результат моделирования - мах падение 21 mV на мах токе 25А при допуске в 28 mV

падение прям впритирочку прошло. Тогда успехов с реализацией)