Перейти к содержанию
    

Вопрос по поводу работы транзистора

58 минут назад, dxp сказал:

Ну, так объясните как "малый ток базы управляет большим током коллектора" работает в токовом зеркале? А то что-то все остальные сторонники тока базы почему-то уклонились от ответа на этот вопрос. (наверное, потому что это с этой позиции это объяснить нельзя)

Пусть Хороровиц с Хиллом и объяснят. На русском текст выделить и скопировать - не имею такого источника. вот на английском. 

Цитата

The technique of matched base–emitter biasing can be used
to make what is called a current mirror, an interesting
current-source circuit that simply reverses the sign of a
“programming” current. (Figure 2.55). You program the
mirror by sinking a current from Q1’s collector. That causes
a VBE for Q1 appropriate to that current at the circuit tem-
perature and for that transistor type. Q2, matched to Q1,
is thereby programmed to source the same current to the
load. The small base currents are unimportant.

У согласованной пары зависимость тока коллектора от напряжения напряжения база-эмиттер (требуемого для получения тока базы) - одинаковая. Здесь нет противоречия тому, что ток базы управляет током коллектора.

2 минуты назад, haker_fox сказал:

Я бы сказал: преобразователь напряжения между эмиттером и базой в ток коллектора.

Сначала - в ток базы. А уж потом... :wizard:

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

18 minutes ago, ViKo said:

Сначала - в ток базы. А уж потом...

В принципе, если какой-либо абстракции для работы с транзистором хватает, то и ладно...

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

1 час назад, haker_fox сказал:

 

Я бы сказал: преобразователь напряжения между эмиттером и базой в ток коллектора.

Кхм... Лучше такое не говорить. Тут же и дети. :)

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

1 час назад, ViKo сказал:

"ток базы управляет током коллектора". Годится? 

Да, но лишь для такого рода задач. А когда требуется задать ток коллектора, то это не решить никак, кроме как через напряжение БЭ и температуру, и только такая модель дала возможность создавать полупроводниковые эталоны напряжения, тока и датчики температуры. Почитайте в ХХ гл.9.10.2 про UБЭ ИОН и попробуйте решить такую задачу через ток базы.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

27 minutes ago, Егоров said:

Кхм... Лучше такое не говорить. Тут же и дети. :)

Уф... запарился сегодня на работе и выразился, конечно, туманно)

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

А давайте обсуждать что важнее для резистора ток или напряжение? Это потому что ток по нему течёт возникает напряжение. Или ток течёт потому что к нему приложили напряжение?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

1 час назад, MegaVolt сказал:

А давайте обсуждать что важнее для резистора ток или напряжение? Это потому что ток по нему течёт возникает напряжение. Или ток течёт потому что к нему приложили напряжение?

Вот именно! :gamer2:О чём я сразу сказал.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

1 hour ago, MegaVolt said:

Или ток течёт потому что к нему приложили напряжение?

Кажется, что так. Ибо ток течёт только в замкнутой цепи, а напряжение существует само по себе и может быть (теоретически) измерено вольтметром с бесконечно большим импедансом.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

12 минут назад, haker_fox сказал:

Кажется, что так. Ибо ток течёт только в замкнутой цепи, а напряжение существует само по себе и может быть (теоретически) измерено вольтметром с бесконечно большим импедансом.

А в сверхпроводнике ток есть а напряжения нет :))

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

А ТС сейчас ладошки потирает, гадливо хихикая, что раскрутил сообщество на 5 страниц "про количество чертей на острие иголки". Ж8-//

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

12 часов назад, ViKo сказал:

У согласованной пары зависимость тока коллектора от напряжения напряжения база-эмиттер (требуемого для получения тока базы) - одинаковая.

Не одинаковая, близкая.

12 часов назад, ViKo сказал:

Здесь нет противоречия тому, что ток базы управляет током коллектора.

Конечно нет - потому что ток базы тут вообще не причём. Забудьте про напряжение Ube и докажите свою позицию, объяснив, как ток базы решает задачу отражения токов в токовом зеркале.

12 часов назад, Егоров сказал:

1. Потому что транзистор - ТОКОВЫЙ прибор. Усилитель тока, а не напряжения в чистом виде.
2. Потому же., ток базы управляет всем. Напряжение на переходе база-эмиттер никого в принципе не волнует. Выше какого-то порогового, начал течь ток в базу,   и ладно

Ой! Вот от кого, но от вас не ожидал. :)

 

1. Представим себе идеальный БТ, у которого все носители, инжектированные в базу, унеслись в коллектор. Какой тут будет ток базы? Как тут этот ток управляет током коллектора? Какое тут будет усиление тока?

2. Волнует Ube или нет, это другой вопрос. Когда я использую БТ как ключ, мне важно обеспечить ток в базу по минимальной бете, и Ube мне тут без разницы. Когда я рассчитываю усилительный каскад, мне важно понимание, как влияет изменение входного параметра (а это напряжение Ube) на выходной (ток эмиттера). Но принцип действия прибора не меняется - сначала Ube порождает ток эмиттера, который уж потом делится на токи коллектора и базы. Мы говорим про принцип действия прибора. И по принципу действия БТ не является прибором, управляемым током базы. Ток базы - это следствие тока эмиттера. А ток эмиттера - это следствие Ube:

 

Ie = I0exp(Ube/Ut -1)

 

I0, Ut - константы. Аргументом функции является только Ube. Где тут ток базы?

 

Вроде простейшие вещи. Удивительно давление стереотипов.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

13 часов назад, dimka76 сказал:

Также никто не ответил на следующие два вопроса

1. Почему в справочных данных приводят коэффициент преобразования по току, а не по напряжению.

2. Почему выходные ВАХ биполярного транзистора приводять относительно тока базы, а не относительно напряжения база-эмиттер.

Потому, что это приводится в ТУ. ТУ пишется для заказчика, в ТУ приводятся подробные инструкции по проверке приборов, чтобы заказчик мог проверить и убедиться, что прибор соответствует. Поэтому делают характеризацию параметров и подробно документируют это. Вот отсюда и берутся эти графики. Которые почти бесполезны для проектирования схем. Это касается не только ПП приборов, это касается всего. Попробуйте по ТУ понять, как работает какая-нить микросхема посложнее ОУ или вентилей. Вы найдёте в ТУ кучу таблиц и графиков про токи и напряжения на выводах, про температурные характеристики, но про принцип работы и функциональность там зачастую ни слова.

 

Я по молодости, когда работал в КБ, удивлялся - такая толстая книжка (ТУ), столько информации и вся она для меня бесполезная, а старшие товарищи мне объяснили, что эта информация не для тебя (разработчика), а для заказчика, чтобы он мог осуществлять приёмку продукции. А для разработчиков нужна другая книжка - руководство пользователя (User's Guide, Reference Manual). И вот буржуины эти руководства выпускают и предоставляют пользователю, потому что им важно, чтобы их продукцию охотно брали и использовали. А отечественному производителю это пофигу, ему главное, чтобы заказчик работу принял. 

 

Поэтому для разработчика из справочника по БТ полезно всего несколько параметров: коэффициенты передачи по току, предельные напряжения и токи, токи утечки, ёмкости и сопротивления переходов и ещё пара-тройка. И приводимые графики входных и выходных характеристик сюда не входят. А руководство по применению на БТ не пишут, считают, что разработчики сами знают, как этим пользоваться, ведь их в институтах этому учат. Но учителя сами толком не знают (в моём институте те, кто меня учили, точно нифига не понимали, как работает БТ, а тупо из учебников перерисовывали эти нагрузочные прямые на графики выходных характеристик, повторяя: "возьмём ток базы/бету такие-то...". Почему такие-то, а не сякие-то, они объяснить не могли, ссылаясь, что такая методика).

 

И этот стереотип, что "БТ - усилитель тока, значит, он усиливает ток базы, значит он управляется током базы" - вбит очень глубоко. Опят же в бытность работы в КБ подобный спор у меня возник с двумя старшими товарищами, которые тоже были свято уверены в справедливости указанной мантры, и рассказывали, как они ловко используют h21э для расчёта, только расчёт там был про ключевой каскад, управляющий обмоткой реле. И сдались они только, когда им было предложено объяснить работу токового зеркала. :) И этот вопрос меня с тех пор ни разу не подводил - если человек реально хочет честно разобраться, то тут он сам приходит к признанию, что БТ - это преобразователь "напряжение-ток". Как бы не "дико" это звучало для уверенных, что БТ управляется током базы.

 

Кстати, утверждение, что БТ - усилитель тока, тоже не вполне корректно. Зависит от схемы включения. Усилителем тока он является только в схеме с ОК (эмиттерный повторитель). В схеме с ОБ он ток не усиливает, только напряжение. В схеме с ОЭ он является усилителем мощности (усиливает и ток, и напряжение).

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

5 часов назад, dxp сказал:

Не одинаковая, близкая.

Конечно нет - потому что ток базы тут вообще не причём. Забудьте про напряжение Ube и докажите свою позицию, объяснив, как ток базы решает задачу отражения токов в токовом зеркале.

Критерий, по которому разграничивать понятия "одинаковая" и "близкая", надеюсь, обсуждать не будем?

Я не оспариваю то, что уравнение Эберса-Молла точнее описывает работу транзистора. Если хотите, правильнее, чем Ic = h21e*Ib. Но это не меняет самого принципа работы транзистора, в котором ток базы... и т.д. Проблема в том, что эта работа зависит от многих факторов - температуры, качества материалов, геометрии и чего-то там еще. И в уравнении Эбберса-Молла есть чёткая зависимость тока коллектора от напряжения база-эмиттер. Отлично. Однако в нём же есть и "мифический" ток насыщения. Как вы будете рассчитывать свои каскады, не зная Is? Так что это такая же абстракция, что и простое выражение через h21e. Кому-то достаточно первого выражения, кому-то удобнее второе. А большинству не надо ни того, ни другого. Задали напряжение на базу, отняли 0,6В - получили напряжение на коллекторе, посмотрели, сколько на резисторе в эмиттере получилось, ток через резистор посчитали, приняли, что и коллекторный ток такой, посчитали, сколько на коллекторном резисторе упадёт. Шабаш! И таким методом я могу посчитать и дифференциальный усилитель, и токовое зеркало, и всё остальное.

to Plain - температурного датчика и источника опорного напряжения - не посчитаю. Потому, что я не микроэлектроник, не разрабатываю микросхемы, а применяю их. Нахожусь на другом этаже абстракции. 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

7 минут назад, ViKo сказал:

Но это не меняет самого принципа работы транзистора, в котором ток базы... и т.д.

Как это не меняет? Ток базы - это следствие тока эмиттера! Как следствие может управлять причиной в нашем каузальном мире? Именно, что цепочка Ube->Ie->Ib. Ток базы НЕ МОЖЕТ появиться раньше, чем ток эмиттера, а ток эмиттера НЕ может возникнуть до того подачи Ube. Ну, и что тут чем управляет?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Только что, dxp сказал:

Ток базы НЕ МОЖЕТ появиться раньше, чем ток эмиттера

А позже может?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...