КОМПЭЛ 2 28 мая, 2020 Опубликовано 28 мая, 2020 · Жалоба Микросхемы драйверов затвора силовых транзисторов, изготавливаемые по технологии монолитного кремния, подвержены негативному влиянию отрицательных напряжений, возникающих на опорном выводе для верхнего плеча. Технология «Кремний-на-изоляторе» (Silicon-on-insulator, SOI) является надежным решением этой проблемы, о чем свидетельствуют результаты испытаний трех микросхем драйверов затвора полумостовой схемы, в том числе – SOI-драйвера производства Infineon. Читать статью >> Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
alexunder 4 28 мая, 2020 Опубликовано 28 мая, 2020 · Жалоба Так и писали бы КНИ вместо SOI ведь это устоявшаяся абревиатура в русскоязычной литературе. Кстати, сейчас вроде уже и нитрид галлия на КНИ ростят как раз с целью разделения доменов разных напряжений. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
