Jump to content
    

Технология SOI против паразитных эффектов в драйверах затвора

Микросхемы драйверов затвора силовых транзисторов, изготавливаемые по технологии монолитного кремния,

подвержены негативному влиянию отрицательных напряжений, возникающих на опорном выводе для верхнего плеча.

Технология «Кремний-на-изоляторе» (Silicon-on-insulator, SOI) является надежным решением этой проблемы, о чем

свидетельствуют результаты испытаний трех микросхем драйверов затвора полумостовой схемы, в том числе –

SOI-драйвера производства Infineon. Читать статью >>

 

Infineon_2ED2106S06F_400x82.png

Share this post


Link to post
Share on other sites

Так и писали бы КНИ вместо SOI ведь это устоявшаяся абревиатура в русскоязычной литературе. Кстати, сейчас вроде уже и нитрид галлия на КНИ ростят как раз с целью разделения доменов разных напряжений.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

×
×
  • Create New...