[НЕХ 4]

Это ШИМ должен управляться сигналом тока экрана ?

Пиковым, интегральным ?

9 hours ago, serg_Fry said:

Интересная идея. Ёмкость МКП существенно больше чем у фотокатода. В результате фронт будет получаться по худшему условию.

Но это нужно оценить количественно, может приемлемо получится.

Есть только ёмкости между фотокатодом и МКП, фотокатодом и корпусом, МКП и корпусом.

ШИМ нужен для сбережения фотокатода от чрезмерной засветки или регулировка яркости так осуществляется ?

Чем чревато направление оптики на Солнце при обесточенном ОЭП ?

[НЕХ 4]

Сообразил для чего нужен такой затвор. Импульсная лазерная подсветка и отделение целей на известном расстоянии в тумане.

 

[serg_Fry 0]

Quote

...это, скорее, схема привязки к уровню напряжения...

Спасибо за подсказку. 

Quote

 

Это ШИМ должен управляться сигналом тока экрана ?

Пиковым, интегральным ?

 

Да, обратная связь по току экрана. Экран довольно инерциальный на затухание. Поэтому скорее интегральным.

Quote

Есть только ёмкости между фотокатодом и МКП, фотокатодом и корпусом, МКП и корпусом.

Да. Я выше писал про ёмкость фотокадод-выход_МКП и емкость вход-выход_МКП. Эти 2 ёмкости существенно отличаются. Поэтому их совместная коммутация будет заведомо медленнее (фронты) чем только коммутация нагрузки ФК-вход_МКП.

Quote

 

ШИМ нужен для сбережения фотокатода от чрезмерной засветки или регулировка яркости так осуществляется ?

Чем чревато направление оптики на Солнце при обесточенном ОЭП ?

 

И то и другое. Импульсное управление существенно расширяет рабочий диапазон вх. яркостей в сторону яркого света. При достаточно коротком минимальном импульсе отпадает потребность в защитных диафрагмах на дневном свете. Про смотреть на солнце - не хочу загадывать, все зависит от того, какие фронты и мин. длительность импульса сможем обеспечить.

И собственно управление получается довольно скоростное, что позволяет сделать качественный автомат регулировки яркостей чтобы наблюдатель с комфортом работал даже в условиях вспышек и резких изменений освещенности сцены.

Плюс вроде бы расширяется динамический диапазон (пока экспериментально не проверяли). 

Quote

Сообразил для чего нужен такой затвор. Импульсная лазерная подсветка и отделение целей на известном расстоянии в тумане.

И это тоже. В тумане, в дождь, под водой и прочее подобное. Это называется "активно-импульсная подсветка".

Похоже у вас есть опыт по этому направлению. 

[Plain 168]

Получить перепады 15 нс мешают Coss и ОБР — следовательно, ключи должны быть ненасыщаемыми источниками тока, и этот ток должен расти, следуя за графиком ОБР, т.е. нужны порядка 950 В транзисторы и четырёхуровневый БП, чтобы ограничить СИ на уровне 50 В.

[НЕХ 4]

IPN95R3K7P7 подходящий кандидат - SJ MOSFET является при переключении ограничителем тока на 2.5 Ампера

1000 V / 10 ns лучше не превышать

За 10 нс током 2.5 А до 800 В можно прокачать 31 пФ

Будет некоторая задержка, связанная с начальной зарядкой выходной ёмкости - но её легко учесть и на длительность перепада напряжения она не скажется.

Управление осуществимо  через "трансформатор", выполненный на ферритовой бусинке.

[Plain 168]

22 часа назад, НЕХ сказал:

SJ MOSFET является при переключении ограничителем тока на 2.5 А

Естествоиспытания? В перерытой куче официальных бумаг не нашлось подтверждения. На графике ОБР нетрадиционный загиб виден, но это двоякотолкуемо.

[НЕХ 4]

В документации на транзистор показано, что даже 20 Вольт на затворе не приводят к росту тока - fig.5  fig.9

Это давняя особенность SJ MOSFET в режиме короткого замыкания с ограничением тока.

800 Вольт под рукой не нашел - вот результаты работы полумоста на вышеозначенном транзисторе на 500 В на частоте 32768 Гц

синий луч - напряжение на затворе

жёлтый луч - напряжение на резисторе 3,33 Ома, включенного последовательно с ёмкость имитирующей нагрузку 20 пФ (5V = 1.5A)

Включение:

mosfet ON на ixbt.photo:

 

Длительность управляющего импульса менее 100 нс:

gate pulse на ixbt.photo:

 

Включение оппозитного ключа - на затворе сохраняется отрицательное напряжение:

mosfet OFF на ixbt.photo:

 

Управляющий трансформатор - бусинка, все три обмотки по 2 витка.

Вполне хватило бы и 1 витка и 25-50 нс импульса... Для таких коротких событий ОБР не приводится))

[НЕХ 4]

800 Вольт ничего принципиально не меняют.

800V за 15ns на ixbt.photo:

 

Ключи справляются с задачей.

Если нужно быстрее - надо ставить более мощный транзистор.

Для справки - на 500V 32768Hz потребляемая мощность 0.7 Вт,

так как первые 5 нс открывающийся ключ работает на фактическое КЗ - ёмкость закрытого оппозитного ключа велика. 

[Plain 168]

Большое спасибо, но всё равно сомнительно, хотелось бы опереться на что-то официальное — я про всё тот же странный обрыв графика ОБР на 1 мкс, формально можно истолковать, как "время переключения не должно быть меньше этого, потому что мы не проверяли".

[НЕХ 4]

Главное не превышать 100V/ns - чтобы не открыть паразитный BJT внутри структуры. Это обернётся катастрофой.

Редкий MOSFET не переживёт однократное КЗ в течении 1 мкс))