[ikm 0]

15 минут назад, yurik82 сказал:

MHT1006N в классе усиления А = 21..23% (из фундаментального лимита 25%), на 4 Ватта выхлопа - 15 ватт тепла

может всё таки изменить класс усиления, какой запас мощности не возьми - все равно отвести надо те же 15 ватт тепла

Я приводил характеристики для MHT1008N, он отличается от того, что у ТС. На сайте производителя они оба указаны как транзисторы класса АВ. 

Может сможете мне подсказать (для самообразования), как включить один транзистор в каскад усиления по классу А или В, просто мне до этого казалось, что это заложено в самой  структуре транзистора.

[yurik82 17]

37 минут назад, ikm сказал:

просто мне до этого казалось, что это заложено в самой  структуре транзистора.

MHT1006N декларируется как оптимизированный для получения хороших характеристик вообще в Class C

 

Цитата

это заложено в самой  структуре транзистора

это заложено в выборе смещения базы

http://rfic.eecs.berkeley.edu/ee242/pdf/Module_6_2_PA_Classes.pdf

41 минуту назад, ppram5 сказал:

Менять режим крайне не желательно...

Цитата

а вот при 4х - уже печка, за полчаса работы он прогревает фрезерованный алюминиевый корпус к которому прикручен до 45 градусов

 

Тогда непонятно что вы хотите от транзистора. Class A выдет до 25% на резистивную нагрузку (до 50% на согласованную индуктивную нагрузку)

Прогрев до 45 градусов корпуса - связан с тем, что выбрав Class A, вы согласились на рассеиваниее не менее 15 Ватт тепла. А корпус Ваш такой поток тепла способен рассеять лишь прогревшись до +45С. Марка транзистора в этом уравнении вообще не фигурирует

Изменено 16 марта, 2020 пользователем yurik82

[ppram5 0]

Само пе себе выделение тепла это нормально, вопрос с эффективным отводом тепла от транзистора. Корпус в дальнейшем будет иметь активное охлаждение (там кроме УМ еще много всего будет). Марка транзисторы как раз важна - важен корпус. Данный транзистор отдает тепло только через плату, вот я и рассчитывал на какие то другие варианты. Использование MHT1008N  вместо MHT1006N уже позволит улучшить тепло-отведение.

[ikm 0]

36 минут назад, yurik82 сказал:

это заложено в выборе смещения базы

Спасибо почитаю. Просто никогда для своих приложений не задавался таким вопросом. Всегда смотрел на кривую КПД в зависимости от смещения затвора выбирая максимум.

 

8 минут назад, ppram5 сказал:

на какие то другие варианты

Другие варианты это Qorvo и Cree у них есть много вариантов. 

Кстати как вариант, это вырез в плате под землей транзистора и там будет выступ от медного основания. К нему припаять пузо транзистора и затвор и сток к печатной плате. можно сделать, этот медный пяточек поменьше, так чтобы часть пуза была припаяна к нему, а часть к земле печатной платы.

[ppram5 0]

1 час назад, yurik82 сказал:

http://rfic.eecs.berkeley.edu/ee242/pdf/Module_6_2_PA_Classes.pdf

Хороший файлик. Применительно к схеме включения HMT1008N1 - теоретический кпд - 50% (стр. 9 и 10 документа), на практике будет 30-40. Почему вы считаете, что "из фундаментального лимита 25%"?

[yurik82 17]

48 минут назад, ppram5 сказал:

Само пе себе выделение тепла это нормально, вопрос с эффективным отводом тепла от транзистора. 

так как "фрезерованный алюминиевый корпус" нагревается до +45С - значит с теплоотводом всё хорошо. но вас не устраивает именно этот показатель (температура корпуса), какая при этом температура транзистора - вы не измеряли.

 

5 минут назад, ppram5 сказал:

Почему вы считаете, что "из фундаментального лимита 25%"?

 

1 час назад, yurik82 сказал:

Class A выдет до 25% на резистивную нагрузку (до 50% на согласованную индуктивную нагрузку)

 

[yurik82 17]

1 час назад, ikm сказал:

никогда для своих приложений не задавался таким вопросом. Всегда смотрел на кривую КПД в зависимости от смещения затвора выбирая максимум.

значит смотрели в контексте только какого-то класса, В (АВ) обычно делают push-pull (на одном транзисторе теоретически тоже можно, но такие искажения от только одного полупериода на выходе мало где можно использовать).
С используют для немодулированного сигнала (телеграф, СВЧ печи, пилот, постановщик помех)

56-57% из даташита MHT1008N - это Class C

В классе С смещение на затвор выбирается чтобы транзистор был полностью закрыт, в классе А ток покоя близкий к номинальному