[ustus 0]

 

2 hours ago, Plain said:

Если Вы их соедините с данным проводом, то да, а иначе программа их от него изолирует.

Такой вариант соответсвует идеи?

Первый слой +12В и -12В, второй слой сигнальный

 

 

Изменено 22 февраля, 2020 пользователем ustus

[Plain 167]

Уже лучше. Теперь верните равное деление нижнего слоя на две равные половины, входной соединитель соответственно поднимется в центр платы по вертикали, а транзистор и выходной соединитель сдвиньте вниз до положения, чтобы эта горизонтальная ось встала ровно между ними — ведь Вы создали данную тему на предмет получения наибольшей площади меди — странно, что Вы же эту медь каждый раз режете в капусту.

[ustus 0]

1 hour ago, Plain said:

Уже лучше. Теперь верните равное деление нижнего слоя на две равные половины, входной соединитель соответственно поднимется в центр платы по вертикали, а транзистор и выходной соединитель сдвиньте вниз до положения, чтобы эта горизонтальная ось встала ровно между ними — ведь Вы создали данную тему на предмет получения наибольшей площади меди — странно, что Вы же эту медь каждый раз режете в капусту.

Можно ли такой вариант (без диода) считать окончательным?

Да, и как лучше этот диод расположить?

И, не нужно ли к транзистору прикручивать радиатор? (корпус TO220, насколько я знаю способен рассеивать до 50 ВТ тепла)

[Plain 167]

Да, вариант рабочий, но под соединение транзистора и соединителя Вы несмотря ни на что продолжаете использовать слой шин питания и соответственно резать их, радикально уменьшая их сечение, поэтому добавление в эту капусту диода вряд ли что-то изменит.

[ustus 0]

3 hours ago, Plain said:

Да, вариант рабочий, но под соединение транзистора и соединителя Вы несмотря ни на что продолжаете использовать слой шин питания и соответственно резать их, радикально уменьшая их сечение, поэтому добавление в эту капусту диода вряд ли что-то изменит.

Спасибо кажется я понял свои ошибки и исправил.

Какие Вы дали бы рекомендации по ширине проводников (связь между соединителем и транзистором сделал 2мм, связь между затвором транзистора,резисторами и пином управления 0,6мм)?

И, как же лучше расположить диод?

[Plain 167]

Логично не добавлять уменьшений сечения шин, следовательно, единственное место для диода — справа, с его контактами по осям уже существующих.

[ustus 0]

6 hours ago, Plain said:

Логично не добавлять уменьшений сечения шин, следовательно, единственное место для диода — справа, с его контактами по осям уже существующих.

Добавил теперь и диод на плату следуя Вашим рекомендациям, если я их правильно уяснил...

Изменено 23 февраля, 2020 пользователем ustus

[Plain 167]

Да, теперь нормально.

[ustus 0]

Just now, Plain said:

Да, теперь нормально.

Отлично, благодаря Вам вопрос по плате можно считатать закрытым. За что я Вам признателем и благодарю.

Осталась лишь пара разношерстных вопросов по улучшению схемотехники.

1. Можно ли вместо диода использовать варистор? Стоит ли его вообще использовать?

2. Где-то вычитал, что простой диод типа 1N4007 здесь не особо уместен и лучше взять быстро восстанавливающийся импульсный диод RF157. Насколько это обосновано?

3. Вы назвали даташит на указанный полевик irlb3034pbf "раратетным", означает ли это, что лучше взять какой-то другой полевик ("более современный")?

4. Как понять, сколько ампер можно по максимуму пропустить через транзистор (скажем на 12В или 24В), чтобы не прибегать к установке радиатора? Или радиатор нужен? От какой температуры?

Заранее благодарю

[Plain 167]

1. Можно, но на порядки дороже.

2. Без разницы, лишь бы импульсный ток и средняя мощность соответствовали.

3. Означает, например.

4. На примере DMN22M5UFG из вышеприведённого списка, берём из таблицы "Electrical ..." сопротивление канала (3,5 мОм при 2,5 В на затворе), умножаем его на коэффициент 1,4 из Рис.6, умножаем на квадрат коммутируемого тока (например, 10 А), умножаем на взятое из таблицы "Thermal ..." тепловое сопротивление 127 °C/Вт (если степень нашего жабоудушения беспредельна и мы не дали транзистору нисколько меди) и получаем перегрев: 0,0035 Ом · 1,4 · 10 А · 10 А · 127 °С/Вт = 62 °C, т.е. при окружающей температуре 40 °C кристалл нагреется до: 40 °C + 62 °C = 102 °C, что вполне далековато от паспортного предела 150 °C.

[Alex-lab 5]

Если у вас питание от батареи которая может выдать 1кА, я бы поставил предохранитель хотя бы на входе, а может и для каждой из нагрузок, если их независимое питание имеет смысл.

[ustus 0]

5 hours ago, Plain said:

1. Можно, но на порядки дороже.

2. Без разницы, лишь бы импульсный ток и средняя мощность соответствовали.

3. Означает, например.

4. На примере DMN22M5UFG из вышеприведённого списка, берём из таблицы "Electrical ..." сопротивление канала (3,5 мОм при 2,5 В на затворе), умножаем его на коэффициент 1,4 из Рис.6, умножаем на квадрат коммутируемого тока (например, 10 А), умножаем на взятое из таблицы "Thermal ..." тепловое сопротивление 127 °C/Вт (если степень нашего жабоудушения беспредельна и мы не дали транзистору нисколько меди) и получаем перегрев: 0,0035 Ом · 1,4 · 10 А · 10 А · 127 °С/Вт = 62 °C, т.е. при окружающей температуре 40 °C кристалл нагреется до: 40 °C + 62 °C = 102 °C, что вполне далековато от паспортного предела 150 °C.

Еще раз благодарю Вас за рекомендации.

На этом, думаю, что можно эту тему окончательно закрыть как решенную.

[Oymyacon 0]

Закрывай, кто мешает!

Или этому тоже учить надо?

[ustus 0]

2 часа назад, Oymyacon сказал:

Закрывай, кто мешает!

Или этому тоже учить надо?

В отличие от Вас, другие участники своими комментариями мне помогли разобраться в вопросе и "чему-то" тем самым научили.