Jump to content

    
Sign in to follow this  
Zuse

Динамические характеристики MOSFET

Recommended Posts

Коллеги, здравствуйте.

В связи с необходимостью спроектировать мощный повышающий преобразователь стал изучать даташиты на силовые mosfet и столкнулся с непонятным.

Возьмем например транзистор STB34NM60N и его график заряда затвора:

charge.JPG.a5cb3355e20a3c7e1a8e236b1f1505ef.JPG

Из графика видно, что после начала плоского миллеровского участка для того чтобы Vds упало на 90% необходимо сообщить затвору 15-20 нК.

Теперь поглядим в таблицу динамических характеристик на параметр "Rise time":

Dynamic.thumb.JPG.ae89c6fdd18decae8c21651288b1a6c1.JPG

Rise time составляет 36 нс. Затвор заряжали через резистор 4.7 Ом, т.е. после достижения плато, ток составлял примерно 1А. При таком токе на прокачку 15-20 нК требуется 15-20 нс. Условия проведения тестов несколько различные, но, по-моему, это не объясняет, почему Rise time составляет 36 нс, а не максимальные с моей точки зрения 20 нс... 

Кто-нибудь может объяснить, где тут собака зарыта?

PS. я, кажется, понял, в чем заключено ключевое различие: в одном тесте нагрузкой был источник тока, а в другом резистор

Edited by Zuse

Share this post


Link to post
Share on other sites
On 2/9/2020 at 2:55 PM, Zuse said:

 

Из графика видно, что после начала плоского миллеровского участка для того чтобы Vds упало на 90% необходимо сообщить затвору 15-20 нК.

какое это имеет отношение к таблице динамических характеристик?

Share this post


Link to post
Share on other sites
11 часов назад, jartsev сказал:

заряд/разряд затвора и запирание транзистора не совсем синхронные вещи.

 C чего бы это? Заряд затвора был вчера, а открытие транзистора завтра?

 

Edited by wla

Share this post


Link to post
Share on other sites
59 minutes ago, wla said:

 C чего бы это? Заряд затвора был вчера, а открытие транзистора завтра?

td(on) и td(off) как бы намекают.

другое дело, что на практике, да ещё и после отладки источника, процесс включения и выключения будет сильно отличаться от первоначального расчётного, поэтому так, какТС, с этим никто не заморачивается.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Насколько помню, Rise и Fall time относятся к времени нарастания и спада тока, а не напряжения.

Процесс переключения по времени достаточно сложный. На миллеровском участке происходит спад/нарастание напряжения почти до номинала, но этим переключение совсем не заканчивается - в этот момент ток еще почти не изменился (если только нагрузка не ярко резистивная). А дальше идет некий аналог миллеровского участка, но по току - падение напряжения на индуктивности истока препятствует переключению, dI/dt = Vзатвора/Lистока. Для наиболее характерных величин 7-8 нгн и 6-8 В это 1А/нс - для приведенных в таблице 16 А будут как раз лишние 16 нс. Но если транзистор с длинными ногами - можно получить и в два раза больше.

Share this post


Link to post
Share on other sites
В 09.02.2020 в 14:55, Zuse сказал:

Кто-нибудь может объяснить, где тут собака зарыта?

Условия снятия характеристик разные - Vdd и Id отличаются почти в два раза, может в этом дело.

Ну вообще, тоже встречал подобные несоответствия в нюансах, поэтому думаю не стоит особо надеяться на высокую точность параметров дш, к тому же там тайпикал значения.

Edited by Груфф

Share this post


Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

Sign in to follow this