[Zuse 0]

Коллеги, здравствуйте.

В связи с необходимостью спроектировать мощный повышающий преобразователь стал изучать даташиты на силовые mosfet и столкнулся с непонятным.

Возьмем например транзистор STB34NM60N и его график заряда затвора:

Из графика видно, что после начала плоского миллеровского участка для того чтобы Vds упало на 90% необходимо сообщить затвору 15-20 нК.

Теперь поглядим в таблицу динамических характеристик на параметр "Rise time":

Rise time составляет 36 нс. Затвор заряжали через резистор 4.7 Ом, т.е. после достижения плато, ток составлял примерно 1А. При таком токе на прокачку 15-20 нК требуется 15-20 нс. Условия проведения тестов несколько различные, но, по-моему, это не объясняет, почему Rise time составляет 36 нс, а не максимальные с моей точки зрения 20 нс... 

Кто-нибудь может объяснить, где тут собака зарыта?

PS. я, кажется, понял, в чем заключено ключевое различие: в одном тесте нагрузкой был источник тока, а в другом резистор

Изменено 9 февраля, 2020 пользователем Zuse

[_gari 4]

On 2/9/2020 at 2:55 PM, Zuse said:

 

Из графика видно, что после начала плоского миллеровского участка для того чтобы Vds упало на 90% необходимо сообщить затвору 15-20 нК.

какое это имеет отношение к таблице динамических характеристик?

[jartsev 0]

заряд/разряд затвора и запирание транзистора не совсем синхронные вещи.

[wla 2]

11 часов назад, jartsev сказал:

заряд/разряд затвора и запирание транзистора не совсем синхронные вещи.

 C чего бы это? Заряд затвора был вчера, а открытие транзистора завтра?

 

Изменено 11 февраля, 2020 пользователем wla

[ВН2 0]

тут видимо в том смысле, что заряд затвора продолжается и после полки миллера

[borodach 16]

59 minutes ago, wla said:

 C чего бы это? Заряд затвора был вчера, а открытие транзистора завтра?

td(on) и td(off) как бы намекают.

другое дело, что на практике, да ещё и после отладки источника, процесс включения и выключения будет сильно отличаться от первоначального расчётного, поэтому так, какТС, с этим никто не заморачивается.

[AlexeyW 0]

Насколько помню, Rise и Fall time относятся к времени нарастания и спада тока, а не напряжения.

Процесс переключения по времени достаточно сложный. На миллеровском участке происходит спад/нарастание напряжения почти до номинала, но этим переключение совсем не заканчивается - в этот момент ток еще почти не изменился (если только нагрузка не ярко резистивная). А дальше идет некий аналог миллеровского участка, но по току - падение напряжения на индуктивности истока препятствует переключению, dI/dt = Vзатвора/Lистока. Для наиболее характерных величин 7-8 нгн и 6-8 В это 1А/нс - для приведенных в таблице 16 А будут как раз лишние 16 нс. Но если транзистор с длинными ногами - можно получить и в два раза больше.

[Груфф 0]

В 09.02.2020 в 14:55, Zuse сказал:

Кто-нибудь может объяснить, где тут собака зарыта?

Условия снятия характеристик разные - Vdd и Id отличаются почти в два раза, может в этом дело.

Ну вообще, тоже встречал подобные несоответствия в нюансах, поэтому думаю не стоит особо надеяться на высокую точность параметров дш, к тому же там тайпикал значения.

Изменено 12 февраля, 2020 пользователем Груфф

[ВН2 0]

надо начать с простого, что или почему такое полка миллера

Если полки существуют, значит это кому нибудь нужно!

[_gari 4]

и тут Остапа понесло ..... Вы, наверно имеете в виду местные обратные связи транзисторов, ... да кто ж о таком нынче помнит