[v_crys 0]

Добрый день!

Последние сутки я потратил на запуск прошивки на плате и нашел в чем было дело абсолютно случайно. Хотел бы поделиться данной тонкостью с новичками и спросить у профессионалов, почему так происходит.

Моя плата (самодельная) прошивается через jtag. В цепочке прошивки только одна плис xc6slx9. При прошивке я получал сообщение о том, что все успешно зашито (в программе iMPACT), но при этом ничего не начинало работать. На что я только не грешил, пока не заметил, что статус выглядит следующим образом:

Спойлер

[0] CRC ERROR                                                              :         0
[1] IDCODE ERROR                                                           :         0
[2] DCM LOCK STATUS                                                        :         1
[3] GTS_CFG_B STATUS                                                       :         0
[4] GWE STATUS                                                             :         0
[5] GHIGH STATUS                                                           :         1
[6] DECRYPTION ERROR                                                       :         0
[7] DECRYPTOR ENABLE                                                       :         0
[8] HSWAPEN PIN                                                            :         1
[9] MODE PIN M[0]                                                          :         1
[10] MODE PIN M[1]                                                         :         1
[11] RESERVED                                                              :         0
[12] INIT_B PIN                                                            :         1
[13] DONE PIN                                                              :         0
[14] SUSPEND STATUS                                                        :         0
[15] FALLBACK STATUS                                                       :         0

То есть GTS_CFG_B STATUS и GWE STATUS находятся в нуле.

Немного поигравшись с настройками Generate Program FIle->Process Properties обнаружил, что если во вкладке Startup Option поставить галочку на DriveDone, то проблема решается и прошивка начинает работать. 

Замечу, что DONE и так подтянут через резистор к питанию и по моим представлениям установленная "галочка" ничего изменить не должна, однако оказалось, что именно в ней и было дело. В приложении скрины описанной проблемы. Если кто-то может объяснить почему так происходит, объясните пожалуйста, очень интересно.

[Flood 12]

Это норма! (c)

Всегда ставьте подтягивающий резистор, как требует Xilinx - т.е. 330 Ом. А не кОм, как на вашей схеме. И всегда когда возможно используйте DriveDone.

 

Дело в кривоватой реализации сигнала DONE в S6 и других ранних сериях - перед выводом наружу он не проходит через дополнительный регистр. Т.е. то, что снаружи - то же самое принимается внутренней логикой. Для корректной работы внутренней логики требуется, чтобы на Done был чистый и быстрый фронт. Поэтому в документации есть требование на сильный подтягивающий резистор (330 Ом).

 

В сериях, где Done выходит на внешний пин через дополнительный регистр, требование на резистор 330 Ом убрано.

[v_crys 0]

7 часов назад, Flood сказал:

Это норма! (c)

Всегда ставьте подтягивающий резистор, как требует Xilinx - т.е. 330 Ом. А не кОм, как на вашей схеме. И всегда когда возможно используйте DriveDone.

 

Дело в кривоватой реализации сигнала DONE в S6 и других ранних сериях - перед выводом наружу он не проходит через дополнительный регистр. Т.е. то, что снаружи - то же самое принимается внутренней логикой. Для корректной работы внутренней логики требуется, чтобы на Done был чистый и быстрый фронт. Поэтому в документации есть требование на сильный подтягивающий резистор (330 Ом).

 

В сериях, где Done выходит на внешний пин через дополнительный регистр, требование на резистор 330 Ом убрано.

Спасибо за понятное объяснение!

Я попробовал запаять 330Ом результат был тем же, но вот 150 Ом сделали свое дело.

Единственное, что я еще не понимаю, светодиод DONE на моей схеме после уменьшения сопротивления резистора R12 при включении стал тускло гореть (до этого горел ярче). Что означает что npn транзистор оказался в более закрытом состоянии. Но ведь я подтяжку уменьшил, чем увеличил ток база-эмитер. Почему так произошло?

[Flood 12]

40 минут назад, v_crys сказал:

Я попробовал запаять 330Ом результат был тем же, но вот 150 Ом сделали свое дело.

Попробуйте удалить транзистор (хоть слабый, но pulldown) и оставить 330 Ом - должно работать. Если не заработает, надо разбираться, т.к. 150 Ом - уже слишком, это симптом, что что-то не так.

Если заработает - можно попробовать транзистор без резистора база-эмиттер. А еще лучше полевик. 

[v_crys 0]

58 минут назад, Flood сказал:

Попробуйте удалить транзистор (хоть слабый, но pulldown) и оставить 330 Ом - должно работать. Если не заработает, надо разбираться, т.к. 150 Ом - уже слишком, это симптом, что что-то не так.

Если заработает - можно попробовать транзистор без резистора база-эмиттер. А еще лучше полевик. 

Убрал транзистор и вернул 330 Ом. Все заработало. Запаяю полевик, проверю. Но это позже, т.к. полевиков в этом корпусе сейчас на руках нету.

Большое спасибо!

[Yuri124 1]

13 hours ago, v_crys said:

после уменьшения сопротивления резистора R12 при включении стал тускло гореть

у указанного на схеме "цифрового транзистора" 7-13 кОм по даташиту должно быть в цепи базы. Поэтому добавочных что 330, что 150 - ему как бы без разницы.

Вполне вероятно, что с транзистором что-то не так. Или где-то что-то подкорачивает на плате. Или утечка (например, из-за флюса).

У полевика может оказаться значительная входная емкость - если затвор соединять напрямую с выводом микросхемы, может затянуть фронт (ну это я так, на всякий случай )))  )

Изменено 6 февраля, 2020 пользователем Yuri124

[v_crys 0]

Запайка mosfet N-типа решило проблему. Теперь при резисторе 330 Ом все работает. Спасибо!