КОМПЭЛ 2 28 января, 2020 Опубликовано 28 января, 2020 · Жалоба Новые MOSFET-транзисторы от компании Infineon линейки CoolSiC 1200 В в корпусе TO247-3/-4 основаны на современных технологиях построения полупроводников и оптимизированы для обеспечения высоких показателей производительности и надежности. Преимущество использования SiC-транзисторов по сравнению с Si-решениями – это более высокий КПД, что особенно важно для систем преобразования энергии. По сравнению с IGBT и MOSFET на основе Si, SiC MOSFET имеют ряд преимуществ. Подробнее о преимуществах>> Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
