Jump to content

    

Аспекты использования ключевых MOSFET в линейном режиме

Recommended Posts

Plain

Про каскод было предположение. Без изменения конструкции нынешних транзисторов, они будут оставаться генераторами-двухполюсниками, повлиять на которые извне затруднительно:

 

Parasitic oscillation and ringing of power MOSFETs

Share this post


Link to post
Share on other sites

byRAM
13 часов назад, Plain сказал:

ЕМНИП именно Toshiba и выпускали полевые транзисторы для применения в аналоговой схемотехнике.

А вот сейчас не знаю как дела обстоят, сейчас многие их продукты стремительно исчезают из продажи.

 

По мне, так приспосабливание ключевых MOSFETов для иных целей порою может быть обоснованным решением только при отсутствии альтернативного решения.

Share this post


Link to post
Share on other sites

НЕХ

Infineon производит mosfet, адаптированные для линейной работы

https://www.infineon.com/cms/en/product/power/mosfet/12v-300v-n-channel-power-mosfet/ipb048n15n5lf/

Share this post


Link to post
Share on other sites

НЕХ

Если нет материальных ограничений, можно попробовать HEMT

https://gansystems.com/wp-content/uploads/2020/09/GN004-Design-Considerations-of-Paralleled-GaN-HEMTs_200910.pdf

10 Ампер при 20 Вольт гарантируют на DC у GS61008

Share this post


Link to post
Share on other sites

khach

Нитридные HEMT-ы в линейном режиме? Искренне желаю успехов, особенно с поиском и подавлением генераций на сотнях МГц. А еще у них часто ВАХ несимметричная, с гистерезисом.

Share this post


Link to post
Share on other sites

byRAM
5 часов назад, khach сказал:

А еще у них часто ВАХ несимметричная, с гистерезисом.

Уход от гистерезиса ВАХ прост - это пройти этот гистерезис более чем на половину, если потребуется идти в обратную сторону.

Share this post


Link to post
Share on other sites

khach
56 minutes ago, byRAM said:

Уход от гистерезиса ВАХ прост - это пройти этот гистерезис более чем на половину, если потребуется идти в обратную сторону.

И как это реализовать в ЛИНЕЙНОМ режиме транзистора? Я пытался реализовать на GS66516T линейный РЧ усилитель на десяток МГц. Можно, но очень сложно. В том числе из за самовозбудов. И тут я заранее знал рабочую частоту.

Share this post


Link to post
Share on other sites

wim
05.06.2021 в 10:41, byRAM сказал:

приспосабливание ключевых MOSFETов для иных целей 

Об этом писАли уже 100500 раз - работа на постоянном токе "ключевых" MOSFET отличается только наличием у них участка вторичного пробоя, который конкретно указывают в честных даташитах. Все остальные страшилки - это радиолюбительская мифология.

Share this post


Link to post
Share on other sites

byRAM
7 часов назад, wim сказал:

Об этом писАли уже 100500 раз - работа на постоянном токе "ключевых" MOSFET отличается только наличием у них участка вторичного пробоя, который конкретно указывают в честных даташитах. Все остальные страшилки - это радиолюбительская мифология.

Тем не менее, разработчики полупроводниковых приборов продолжают разработки linear FET и правильно делают. В радиолюбительских погремушках вполне можно их заменять ключевыми MOSFETами, но в профессиональной схемотехнике их прииенение надо обосновать и защитить, так как профи не работают в одиночестве.

Share this post


Link to post
Share on other sites

byRAM
9 часов назад, khach сказал:

И как это реализовать в ЛИНЕЙНОМ режиме транзистора?

Этот подъём темы стартовал из темы, где требовалось точное управление электромагнитом, который также имеет гистерезис. Вот в таком случае это вполне реализуемо.

Share this post


Link to post
Share on other sites

wim
4 часа назад, byRAM сказал:

в профессиональной схемотехнике их прииенение надо обосновать и защитить

Уже обосновано и защищено в этой ветке, которую Вы либо не читали, либо не поняли. Решается в два этапа: 1) Устойчивость контура регулирования. 2) Траектория рабочей точки на вольт-амперной характеристике и сопоставление её с графиком ОБР. Всё это решается в симуляторах и всяких разных матлабах. А особо одарённые решают эти задачки в мозгу.

Share this post


Link to post
Share on other sites

byRAM
54 минуты назад, wim сказал:

Уже обосновано и защищено в этой ветке, которую Вы либо не читали, либо не поняли. Решается в два этапа:

...

А особо одарённые решают эти задачки в мозгу.

Я давно читал эту ветку и понял только одно: при имеющихся альтернативных решениях: BT, JFET, linear MOSFET

использование ключевых MOSFET в линейных схемах - это попытка натянуть сапог на голову "особо одарёнными" :crazy:

Share this post


Link to post
Share on other sites

khach
7 hours ago, byRAM said:

Этот подъём темы стартовал из темы, где требовалось точное управление электромагнитом, который также имеет гистерезис. Вот в таком случае это вполне реализуемо.

Вот про электрмагниты ненадо. Если это обычный соленоид с подвижным сердечником, то там линейное управление без надобности- вполне ШИМ справится. А если это электромагнит для создания точного поля то обычно они рабоатют за пределом петли гистерезиса начально намагничивания, например электромагниты ЖИГ генераторов или фильтров. А вот электромагниты с точным проходом поля через ноль ( типа электромагнитов ЭПР спектрометров) требую очень сложного блока питания, часто с обратной связью по холловскому датчику поля и сложной системой стабилизации тока, где линейный транзистор- не самое проблемное место.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.